【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种用于极紫外光刻掩模缺陷探测的双焦斜入射干涉显微装置,其特征在于:包括13.5nm极紫外光源(7)、真空室(9)、真空抽气泵(12)、气浮光学隔振平台(13)、极紫外CCD(14)、五维掩模调整扫描工作台(18)、五维掩模调整扫描工作台控制器(17)、双焦波带片斜入射干涉显微光学组件;真空室(9)设置在气浮光学隔振平台(13)上,真空抽气泵(12)设置在真空室(9)底部与真空室(9)相连通,极紫外CCD(14)设置在真空室(9)的顶部与出射光束的位置相对应;五维掩模调整扫描工作台(18)设置在真空室(9)底部,五维掩模调整扫描工作台控制器(17)设置在真空室(9)侧面,双焦波带片斜入射干涉显微光学组件设置在真空室(9)内,位于五维掩模调整扫描工作台(18)上方,其入射光光轴与极紫外光源入口的中轴重合;其中,双焦波带片斜入射干涉显微光学组件包含第一折转反射镜(10)、第一双焦波带片显微物镜(8)、第二双焦波带片显微物镜(15)、第二折转反射镜(16),第一折转反射镜(10)、第二折转反射镜(16)、第一双焦波带片显微物镜(8)和第二双焦波带片显微物镜(15)均用夹持器固定于真空室(9) ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:高志山,王帅,袁群,成金龙,叶井飞,
申请(专利权)人:南京理工大学,
类型:发明
国别省市:
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