【技术实现步骤摘要】
本发 明涉及晶体硅太阳能电池的制备工艺。
技术介绍
我国在2009年7月,财政部、科技部、国家能源局联合发布了《关于实施金太阳示范工程的通知》,决定综合采取财政补助、科技支持和市场拉动方式,加快国内光伏发电的产业化和规模化发展。目前,中国太阳能电池产量占世界总份额的45%以上,俨然是太阳能电池的制造大国,在如何提高太阳能电池转化效率方面,各太阳能电池制造厂商展开了一场效率竞赛,为的是进一步提高本公司的市场竞争力和促进光伏发电成本降低。近年来,选择性发射极技术被认为是晶体硅太阳能电池生产工艺中最为有希望实现高效、低成本制造技术。选择性发射极结构有两个特征1.在电极栅线下及其附近形成高掺杂的重扩散区;2.在其他区域形成轻掺杂的浅扩散区。因此,实现选择性发射极结构的关键是如何形成选择性重掺杂区。过去制备SE太阳能电池通常采用二次扩散的方法,即重扩散和浅扩散分两次进行。两步扩散工艺的优势是可以实现不同掺杂区的精确控制,但是步骤过于复杂,且两次高温扩散给硅片带来的热损伤比较大,尤其是多晶硅影响更严重,因此SE电池一直难以大规模产业化生产,由于传统的SE高效电池技术要求比较高和工艺比较复杂,使得电池制造成本太高。2008年金融危机造成整个太阳能行业经济萧条,各电池制造厂商逐渐加快了开发 SE高效低成本电池的步伐,促进了高效SE太阳能电池片从实验室走向商业化生产。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种选择性发射极高效晶体硅太阳能电池的制备工艺,该种生产工艺完全适合于大规模生产。选择性发射极高效晶体硅太阳能电池的制备工艺,包括步骤如下(1)将硅片进行浓磷扩散形成表面重 ...
【技术保护点】
1.选择性发射极高效晶体硅太阳能电池的制备工艺,其特征是,包括步骤如下:(1)将硅片进行浓磷扩散形成表面重掺杂区(即重扩散,采用正常工艺,形成高浓度掺杂区),硅片的方块电阻控制在30Ω/□~40Ω/□;(2)用喷墨打印机打印正电极图形,制备电极掩膜,保护电极重掺杂区;(3)用湿法链式刻蚀机腐蚀电极掩膜区以外的区域,形成90Ω/□~100Ω/□的薄层电阻;(4)对硅片边缘刻蚀,去电极掩膜,去磷硅玻璃;(5)镀减氮化硅反射膜;(6)丝网印刷印电极,烧结。
【技术特征摘要】
1.选择性发射极高效晶体硅太阳能电池的制备工艺,其特征是,包括步骤如下(1)将硅片进行浓磷扩散形成表面重掺杂区(即重扩散,采用正常工艺,形成高浓度掺杂区),硅片的方块电阻控制在30 Ω / □ 40 Ω / □;(2)用喷墨打印机打印正电极图形,制备电极掩膜,保护电极重掺杂区;(3)用湿法链式刻蚀机腐蚀电极掩膜区以外的区域,形成90Ω/□ 100Ω/ □的薄层电阻;(4)对硅片边缘刻蚀,去电极掩膜,去磷硅玻璃;(5)镀减氮化硅反射膜;(6)丝网印刷印电极,烧结。2.根据权利要求1所述的选择性发射极高效...
【专利技术属性】
技术研发人员:王步峰,殷海亭,杨雷,夏俊华,陈阳泉,钱金梁,
申请(专利权)人:润峰电力有限公司,
类型:发明
国别省市:37
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