一种用于回旋管放大器的高频结构，于加载圆波导上开有复数个耦合槽缝，各耦合槽缝方向上各自对应长方体衰减瓷，以吸收由耦合槽缝泄漏的高频场；加载圆波导和无加载圆波导上各开设有两个呈６０°的对中孔；无加载圆波导的两侧圆周上开设的焊料槽。其对中方法，在加载圆波导的中心孔和其中一个对中孔内放入各自的对中杆，然后将无加载圆波导插入对中杆压紧，接着将另一个加载圆波导按照对中孔方向插入对中杆并压紧，接着顺着对中孔的方向插入另一个无加载圆波导，往后依次重复前面的操作，根据需要的衰减量来确定周期数和整个长度；整个圆波导压紧后，在焊料槽中放入焊料进行钎焊焊接。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微波
，可应用于高功率毫米波器件。
技术介绍
回旋行波管放大器在毫米波段具有高功率、高增益和宽频带的特点，在雷达成像、 电子对抗、反隐身目标探测等方面具有广泛的应用前景和发展潜力，为高功率毫米波源中 倍受关注的一种相干辐射源。回旋行波管高频结构，是电子注与高频场发生相互作用的场 所，用来实现电子注向电磁场的能量转移。通常的做法是互作用结构采用光滑圆波导，在管 壁涂覆石墨类吸收材料来抑制自发性振荡，但是它不能满足高平均功率的需要。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种用于回旋管放大器的高频结构。本专利技术又一目的是提供一种上述回旋管放大器的高频结构的对中方法。为实现上述目的，本专利技术提供的用于回旋管放大器的高频结构，于加载圆波导上 沿中心孔辐射地均勻开有复数个耦合槽缝，各耦合槽缝方向上各自对应长方体衰减瓷，该 衰减瓷为无磁衰减材料，比如氧化铍(BeO)与碳化硅(SiC)的混合物。以吸收由耦合槽缝 泄漏的高频场；加载圆波导和无加载圆波导上各开设有两个呈60°的对中孔；无加载圆波导的两侧圆周上开设焊料槽，还可以在无加载圆波导上沿半径开设一 个排气孔。本专利技术提供的对中方法，是在加载圆波导的中心孔和其中一个对中孔内放入各自 的对中杆，然后将无加载圆波导插入对中杆压紧，接着将另一个加载圆波导按照对中孔方 向插入对中杆并压紧，接着顺着对中孔的方向插入另一个无加载圆波导，往后依次重复前 面的操作，根据需要的衰减量来确定周期数和整个长度；整个圆波导压紧后，在焊料槽中放 入焊料进行钎焊焊接。在无加载圆波导对中时，可以选择另一个对中孔，使其与前一个加载 圆波导成60°转动。若需要排气，则无加载圆波导为带有排气孔的无加载圆波导。本专利技术可以用于抑制回旋行波管放大器电子注-波互作用过程中的各种寄生振 荡，提高回旋行波管工作的稳定性，从而达到提升其输出功率和效率的目的。本专利技术可用于 高平均功率回旋行波管结构中，克服了管壁涂覆石墨类吸收材料不能用于高平均功率的不 足。附图说明图1是加载圆波导的结构图，图中标记1为耦合槽缝，2为衰减瓷，3为对中孔。图2是无加载圆波导的结构图，图中标记4为焊料槽。图3是开无加载圆波导开排气孔的结构图，图中标记5为排气孔。图4是对中杆，a为光滑波导中心孔的对中杆，b为对中孔的对中杆。图5是整个光滑圆波导的组装过程示意图。 具体实施例方式请参阅图1和图2，本专利技术由光滑圆波导周期性排列组成的，每个周期长度内，由 加载圆波导和无加载圆波导共同组成，加载圆波导长度和无加载圆波导长度视所需的衰减 量大小调整。在加载光滑圆波导上沿中心孔A辐射地均勻开有复数个耦合槽缝1，耦合槽缝 的数量不限，在本实施例中以3个为例。在耦合槽缝1方向上各自对应一长方体的衰减瓷 2，该衰减瓷2的作用是吸收由耦合槽缝1泄漏过来的高频场。在加载圆波导上还有两个对 中孔3、3’，两个对中孔3、3’与衰减瓷2对称分布。两个对中孔呈现60°的角度。无加载 圆波导只有两个对中孔3、3’，没有耦合槽缝和衰减瓷，在无加载圆波导的两侧圆周方向上 有一圈焊料槽4(如图2所示)。为了保证排气时的通畅，在其中一个周期的无加载光滑圆 波导上还开了一排气孔5 (请参阅图3)。请参阅图4和图5，进行组装时，加载圆波导中心孔A放入中心孔的对中杆a，在其 中一个对中孔3放入对中杆b，然后将无加载波导插入对中杆a、b，并压紧，接着将另一个加 载圆波导按照对中孔方向插入对中杆并压紧，在组装时可以选择另一个对中孔3’，使其与 前一个加载圆波导成60°角度转动。接着顺着对中孔的方向插入另一个无加载圆波导，往 后依次重复前面的操作，根据需要的衰减量来确定周期数和整个长度。若需要排气，则无加 载圆波导用带排气孔5的无加载圆波导来代替。整个圆波导压紧后，在焊料槽4中放入焊 料进行钎焊焊接。整个过程保证了波导的同心度，可以减小各零件的制造误差对对中的影 响。权利要求一种用于回旋管放大器的高频结构，于加载圆波导上沿中心孔辐射地均匀开有复数个耦合槽缝，各耦合槽缝方向上各自对应长方体衰减瓷，以吸收由耦合槽缝泄漏的高频场；加载圆波导和无加载圆波导上各开设有两个呈60°的对中孔；无加载圆波导的两侧圆周上开设的焊料槽。2.如权利要求1所述的高频结构，其中，衰减瓷为无磁衰减材料。3.如权利要求1或2所述的高频结构，其中，衰减瓷为氧化铍与碳化硅的混合物。4.如权利要求1所述的高频结构，其中，无加载圆波导上沿半径开设一个排气孔。5.一种用于回旋管放大器的高频结构的对中方法，在加载圆波导的中心孔和其中一 个对中孔内放入各自的对中杆，然后将无加载圆波导插入对中杆压紧，接着将另一个加载 圆波导按照对中孔方向插入对中杆并压紧，接着顺着对中孔的方向插入另一个无加载圆波 导，往后依次重复前面的操作，根据需要的衰减量来确定周期数和整个长度；整个圆波导压 紧后，在焊料槽中放入焊料进行钎焊焊接。6.如权利要求5所述的对中方法，其中，在无加载圆波导对中时，选择另一个对中孔， 使其与前一个加载圆波导成60°转动。7.如权利要求5或6所述的对中方法，其中，无加载圆波导为带有排气孔的无加载圆波导。全文摘要一种用于回旋管放大器的高频结构，于加载圆波导上开有复数个耦合槽缝，各耦合槽缝方向上各自对应长方体衰减瓷，以吸收由耦合槽缝泄漏的高频场；加载圆波导和无加载圆波导上各开设有两个呈60°的对中孔；无加载圆波导的两侧圆周上开设的焊料槽。其对中方法，在加载圆波导的中心孔和其中一个对中孔内放入各自的对中杆，然后将无加载圆波导插入对中杆压紧，接着将另一个加载圆波导按照对中孔方向插入对中杆并压紧，接着顺着对中孔的方向插入另一个无加载圆波导，往后依次重复前面的操作，根据需要的衰减量来确定周期数和整个长度；整个圆波导压紧后，在焊料槽中放入焊料进行钎焊焊接。文档编号H01P3/127GK101908456SQ20091008588公开日2010年12月8日 申请日期2009年6月3日 优先权日2009年6月3日专利技术者刘濮鲲, 张世昌, 徐寿喜, 顾伟 申请人:中国科学院电子学研究所本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于回旋管放大器的高频结构，于加载圆波导上沿中心孔辐射地均匀开有复数个耦合槽缝，各耦合槽缝方向上各自对应长方体衰减瓷，以吸收由耦合槽缝泄漏的高频场；加载圆波导和无加载圆波导上各开设有两个呈６０°的对中孔；无加载圆波导的两侧圆周上开设的焊料槽。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐寿喜，顾伟，刘濮鲲，张世昌，
申请(专利权)人：中国科学院电子学研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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