一种完全与标准CMOS工艺兼容的温度补偿电流源制造技术

本发明专利技术属集成电路技术领域，具体涉及一种完全与标准CMOS工艺兼容的新型温度补偿电流源。它由四个NMOS管、三个PMOS管、一个补偿电阻和一个运算放大器组成。运算放大器的结构为传统的两级密勒补偿运算放大器，并自带偏置电路。高增益的运算放大器保证差分输入端的电压相同，其余的四个NMOS管、三个PMOS管和一个补偿电阻构成了温度补偿电流源的主体电路，利用电阻、MOS管的迁移率和阈值电压的不同温度系数实现完全与标准CMOS工艺兼容的温度补偿电流源，本发明专利技术结构简单，温度系数低，面积小，成本低，适用于各种模拟电路、模数混合电路中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路
，具体涉及一种完全与标准CMOS工艺兼容的新型温度补偿电流源。
技术介绍
电流源是CMOS集成电路中非常重要的基本电路之一，它为芯片中其它模块提供正常工作所必需的偏置电流，因此它的性能也很大程度上影响了整个芯片的性能。与温度无关的电流源广泛应用于模数转换器、数模转换器、Viterbi解码器中。目前，多数应用的电流源温度系数较高，大于IOOOppm/°C，不能满足高精度电路对参考电流源的要求。虽然近年来出现了一些能够实现低温度系数的电流源，但是它们通常来源于双极型带隙基准，结构比较复杂，占用面积大，制造成本高；有些甚至需要在BiCMOS 的工艺下实现，不能与标准CMOS工艺兼容。因此，设计得到一种结构简单、性能稳定、占用芯片面积小，温度系数低、完全与标准CMOS工艺兼容的恒定电流参考源是CMOS高性能集成电路设计领域需要解决的一项重要课题。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决现有技术存在的问题，提共一种完全与标准CMOS工艺兼容的新型温度补偿电流源。本专利技术能克服现有技术的电流源面积大、电流随温度变化明显、制造工艺成本高的缺点，迎合当今电子产品对模拟本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种完全与标准ＣＭＯＳ工艺兼容的温度补偿电流源，其特征在于由ＰＭＯＳ管（４、５、６）、ＮＭＯＳ管（１、２、３、７）、补偿电阻（８）、运算放大器（９）经电路连接构成；其中，运算放大器具有高增益，保证运算放大器的输入端所连接的节点电压相同，ＰＭＯＳ管（４、５、６）、ＮＭＯＳ管（１、２、３、７）、补偿电阻（８）组成电流源的主体电路，电阻、ＭＯＳ管的迁移率和阈值电压的不同温度系数实现电流源的温度补偿。

【技术特征摘要】
1.一种完全与标准CMOS工艺兼容的温度补偿电流源，其特征在于由PMOS管0、5、6)、 NMOS管(1、2、3、7)、补偿电阻(8)、运算放大器(9)经电路连接构成；其中，运算放大器具有高增益，保证运算放大器的输入端所连接的节点电压相同，PMOS管G、5、6)、NM0S管(1、2、 3、7)、补偿电阻⑶组成电流源的主体电路，电阻、MOS管的迁移率和阈值电压的不同温度系数实现电流源的温度补偿。2.根据权利要求1所述的完全与标准CMOS工艺兼容的温度补偿电流源，其特征在于所述的主体电路由PMOS管G、5、6)、NM0S管(1、2、3、7)经电路连接构成；其中，PMOS管(4、5、 6)的源极接电源，栅极与放大器的输出端08)相连接，补偿电阻(8)的一端与PMOS管(4) 的漏极相连，另一端与连接成二极管形式的NMOS管(1)的栅极相连，NMOS管(1、2、；3)的源极均接地，NMOS管⑵的漏极与PMOS管(5)的漏极以及NMOS管(7)的栅极连接在一起， NMOS管(7)的漏极与PMOS管(6)的漏极连接，NMOS管(7)的源极与连接成二极管形式的 NMOS管(3)相连。3.根据权利要求2所述的完全与标准CMOS工艺兼容的温度补偿电流源，其特征在于所述的电流源主体电路中，所有MOS管均工作在饱和...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵喆，周锋，黄圣专，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：31