【技术实现步骤摘要】
一种手持式电池组信息读取装置
[0001]本专利技术是关于一种测试装置领域,特别是一种涉及手持式电池组信息读取装置。
技术介绍
[0002]在目前读取电池组数据方法中,需要在计算机或笔记本电脑上安装相应的程序,通过USB总线连接程序对应的通讯盒及治具来获取电池组数据,电池组中不同芯片厂家的程序和通讯盒不同,无法相互兼容,使用时需要切换,并且操作较复杂。因此造成人员使用困难,无法满足电池组制造过程中对读取电池组数据须实时,机动灵活的需求。
[0003]因为此类缺点,需要能够适于随身携带使用及适用各种电池组中不同芯片的手持式电池组信息读取装置。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的旨在至少解决所述技术缺陷。也就是本专利技术能实现以下目标:更轻易移动工作位置、更易于携带、对于读取电池组信息而言使用简单方便等。
[0005]为此,本专利技术的目的在于提出一种手持式电池组信息读取装置,其可以用以解决目前技术的上述缺失。
[0006]为解决上述技术问题,本专利技术采用的技术方案如下:本专利技术提供一种手持式电池组信息读取装置,包括:一触控显示器、一系统管理总线接口及一处理器;触控显示器经组态以感测对应于其上的一位置处的一触控操作;系统管理总线接口耦接外部的一电池组,以接收一电池组信息及传送一电池组信息读取要求予电池组;处理器耦接触控显示器及系统管理总线接口,处理器经配置以基于触控操作至少产生电池组信息读取要求;其中,手持式电池组信息读取装置的尺寸小于或等于13.2厘米X ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种手持式电池组信息读取装置,其特征在于,所述手持式电池组信息读取装置包含:一触控显示器,经组态以感测对应于其上的一位置处的一触控操作;一系统管理总线接口,耦接外部的一电池组,以接收一电池组信息及传送一电池组信息读取要求予所述电池组;以及一处理器,耦接所述触控显示器及所述系统管理总线接口,所述处理器经配置以基于所述触控操作至少产生所述电池组信息读取要求;其中,所述手持式电池组信息读取装置的尺寸小于或等于13.2厘米X 6.5厘米X 3厘米。2.根据权利要求1所述的手持式电池组信息读取装置,其特征在于,其中所述处理器为一安谋架构处理器。3.根据权利要求1所述的手持式电池组信息读取装置,其特征在于,其中还包括一电池及一电源管理单元,所述电池耦接所述触控显示器及所述处理器,所述电源管理单元耦接所述电池且控制所述触控显示器及所述处理器的工作状态。4.根据权利要求1所述的手持式电池组信息读取装置,其特征在于,其中所述系统管理总线接口的正电压端耦接一第一稳压供应单元的电压输入端,从所述正电压端到所述第一稳压供应单元的电压输入端之间依序有一第三十五电阻器、一第三十电容器及一第三十一电容器的接点,所述第三十五电阻器、所述第三十电容器及所述第三十一电容器的另一端接地,所述第三十五电阻器的另一端也耦接所述系统管理总线接口的接地端,所述第一稳压供应单元的接地端接地,所述第一稳压供应单元的电压输出端耦接一第二稳压供应单元的电压输入端,所述第一稳压供应单元的Adj端以一第一连接线耦接一第十八电阻器至一接地端,从所述第一稳压供应单元的电压输出端至所述第二稳压供应单元的电压输入端之间依序有一第二连接线及一第三连接线的接点,所述第二连接线耦接一第三十三电容器至所述接地端,所述第三连接线耦接一第三十四电容器至所述接地端,所述第一连接线及所述第二连接线之间并接一第十九电阻器、一第十九A电阻器及一第十九B电阻器,所述第二稳压供应单元的接地端接地,所述第二稳压供应单元的Adj端经一第二十一电阻器耦接一第一运算放大器的输出端,所述第二十一电阻器并接一第二十一A电阻器及一第二十一B电阻器,其接近所述第二稳压供应单元的Adj端的接点耦接一第二十电阻器至所述接地端,所述第二十一电阻器并接所述第二十一A电阻器及所述第二十一B电阻器远离所述第二稳压供应单元的Adj端的接点耦接所述第一运算放大器的反相输入端,所述第一运算放大器的电源端接地,所述第一运算放大器的非反相输入端耦接一第二运算放大器的输出端,其二者之间具有经一第三十五电容器接地的接点,所述第二运算放大器的电源端输入第一正电压,所述第二稳压供应单元的电压输出端经一第二十三电阻器耦接所述第二运算放大器的反相输入端,所述第三十五电容器的接点与所述第二运算放大器的输出端之间具有经一第二十二电阻器至所述第二运算放大器的反相输入端与所述第二十三电阻器之间接点的接点,所述第二运算放大器的非反相输入端经一第二十四电阻器耦接所述第二稳压供应单元的电压输出端且经一第二十六电阻器耦接一第九PMOS管的漏极,所述第二运算放大器的非反相输入端与所述第二十四电阻器之间具有经一第二十五电阻器接地的接点,所述第九PMOS管的源极耦接所述电池且经一第三十四电阻器耦接所述第九PMOS管的栅极,所述第三
十四电阻器与所述第九PMOS管的栅极之间具有耦接一第十NMOS管的漏极的接点,所述第十NMOS管的源极接地,所述第十NMOS管...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵绪东,刘先福,王玉贵,梁家伟,
申请(专利权)人:神讯电脑昆山有限公司,
类型:发明
国别省市:
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