【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】含钒电极和与透明导体的互连
[0001]本专利技术公开用于在透明导体上制造电极,且尤其用于光伏打电池中的可印刷厚膜金属化糊浆。厚膜金属化糊浆包含可以在350℃至500℃的温度下固化的钒基玻璃系统。
技术介绍
[0002]具有多晶硅
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氧化物(POLO)接触的穿隧氧化物钝化接触(TopCon)光伏打电池已表明效率大于25%。经氢化的多晶硅(多晶硅)层和透明导电氧化物(TCO)层沉积于纹理化、经钝化的n型硅晶片的一个或两个表面上方,从而形成经钝化的载流子选择性异质接触。直接沉积于晶片表面上的穿隧氧化物提供化学钝化,从而产生长的少数载流子使用期限。掺杂的多晶硅层允许选择性载流子收集,其中p型掺杂层充当电子选择性接触且n型掺杂层用作电子选择性接触。TCO层使得能够在多晶硅掺杂层之间形成有效接触且能够上覆于电池电极,提供横向传导且充当抗反射涂层。
[0003]TopCon/POLO技术的效能限制为全面积异质接触在薄TCO薄膜和多晶硅层中展现寄生光吸收。
[0004]与扩散硅技术相比,TopCon/POLO光伏打电池的工艺限制为在沉积多晶硅层之后,后续步骤必须在低温下进行以避免TCO特性的退化。举例来说,必须使用具有低固化温度的金属化糊浆。
[0005]如例如在具有固有薄层(HIT)光伏打电池的异质结中所使用的低温金属/有机金属化糊浆(例如固化温度约为200℃的金属化糊浆),其可以具有比具有例如约780℃的峰值烧制温度的高温金属化糊浆的线路电阻高两倍至三倍的线路电阻。
[0006 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电子装置,其包含与透明导电氧化物层接触的含钒电极。2.根据权利要求1所述的电子装置,其中所述透明导电氧化物层具有10nm至250nm的厚度。3.根据权利要求1至2中任一项所述的电子装置,其中所述透明导电氧化物层为氧化铟锡层。4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子装置,其中所述电极包含:0.1wt%至2.0wt%含钒玻璃系统;和98.0wt%至99.9wt%导电金属,其中wt%是以所述电极的重量计。5.根据权利要求4所述的电子装置,其中所述导电金属包含银、铜、铝、镍或前述中的任一个的组合。6.根据权利要求4至5中任一项所述的电子装置,其中所述含钒玻璃系统是由包含以下的金属氧化物组合物制备:5wt%至35wt%五氧化二钒V2O5;30wt%至55wt%氧化银Ag2O;和30wt%至50wt%二氧化碲TeO2;其中wt%是以所述金属氧化物组合物的总重量计。7.根据权利要求4至5中任一项所述的电子装置,其中所述含钒电极包含:0.1wt%至1.2wt%含钒玻璃系统,其包含钒、银和碲;和98.0wt%至99.9wt%Ag,其中wt%是以所述含钒电极的重量计,且其中所述含钒玻璃系统是由包含以下的金属氧化物组合物制备:10wt%至32.5wt%五氧化二钒V2O5;30wt%至50wt%氧化银Ag2O;和30wt%至50wt%二氧化碲TeO2;其中wt%是以所述金属氧化物组合物的总重量计。8.根据权利要求4至7中任一项所述的电子装置,其中所述含钒电极包含小于1.0wt%的所述含钒玻璃系统。9.根据权利要求6至8中任一项所述的电子装置,其中所述金属氧化物组合物中的TeO2与V2O5的wt%比率为1至5,其中wt%是以所述金属氧化物组合物的总重量计。10.根据权利要求6至8中任一项所述的电子装置,其中所述金属氧化物组合物中的TeO2与V2O5的wt%比率为0.8至4,其中wt%是以所述金属氧化物组合物的总重量计。11.根据权利要求6至10中任一项所述的电子装置,其中,所述含钒玻璃系统具有150℃至200℃的玻璃转移温度T
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,其中所述玻璃转移温度是通过差示扫描量热法测定;且所述含钒玻璃系统具有200℃至350℃的软化点,其中所述软化点是通过膨胀测量法测定。12.根据权利要求4至5中任一项所述的电子装置,其中所述含钒玻璃系统是由包含以下的金属氧化物组合物制备:
15wt%至65wt%五氧化二钒V2O5;15wt%至65wt%氧化铅PbO;和3wt%至31wt%二氧化碲TeO2;其中wt%是以所述金属氧化物组合物的总重量计。13.根据权利要求12所述的电子装置,其中,所述金属氧化物组合物包含大于98wt%的V2O5、PbO和TeO2,其中wt%是以所述金属氧化物组合物的总重量计;所述金属氧化物组合物中的TeO2与V2O5的wt%比率为0.05至2,其中wt%是以所述金属氧化物组合物的总重量计;且所述金属氧化物组合物中的PbO与V2O5的wt%比率为0.2至4.5,其中wt%是以所述金属氧化物组合物的总重量计。14.根据权利要求12至13中任一项所述的电子装置,其中,所述含钒玻璃系统具有230℃至265℃的玻璃转移温度T
g
,其中所述玻璃转移温度是通过差示扫描量热法测定;且所述含钒玻璃系统具有250℃至400℃的软化点,其中所述软化点是通过膨胀测量法测定。15.根据权利要求4至5中任一项所述的电子装置,其中所述含钒玻璃系统是由包含以下的金属氧化物组合物制备:25wt%至50wt%五氧化二钒V2O5;40wt%至55wt%氧化铅PbO;0wt%至20wt%氧化磷P2O5;和2wt%至5wt%氧化锌ZnO;其中wt%是以所述金属氧化物组合物的总重量计。16.根据权利要求15所述的电子装置,其中所述含钒电极包含:0.1wt%至2wt%含钒玻璃系统;和98.0wt%至99.9wt%Ag,其中wt%是以所述含钒电极的重量计,且其中所述含钒玻璃系统是由包含以下的金属氧化物组合物制备:25wt%至50wt%五氧化二钒V2O5;40wt%至55wt%氧化铅PbO;0wt%至20wt%氧化磷P2O5;和2wt%至5wt%氧化锌ZnO,其中wt%是以所述金属氧化物组合物的重量计。17.根据权利要求16所述的电子装置,其中所述含钒电极包含小于1.6wt%的所述含钒玻璃系统,其中wt%是以所述含钒电极的总重量计。18.根据权利要求15至17中任一项所述的电子装置,其中,所述金属氧化物组合物中的P2O5与PbO的wt%比率为0至0.5;且所述金属氧化物组合物中的ZnO与PbO的wt%比率为0.035至0.125,其中wt%是以...
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