【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及从晶片形成有用层,该晶片包括分别选自用于微电子、光学上或者光电子的晶体材料的衬底和应变层。
技术介绍
在该文本中,如果一个层所包含的晶体材料具有和它的标称晶格参数相同的晶格参数,则该层叫做“松弛(relaxed)”层,也就是说,材料的晶格参数平衡地处在它的本体形式。相反,“应变(strained)”层指在晶体生长期间,例如要求它的晶格参数不同于这种材料的标称晶格参数的外延生长期间,其晶体结构受拉伸或者压缩而弹性应变的晶体材料的任何层。在同一晶片中,在分别具有不同标称晶格参数的第二晶体材料的基板上形成第一晶体材料的层,同时至少部分地使它的晶体结构保持松弛及/或没有过量的结晶缺陷,这样有时是有用或者有利的。为此,公知的是在衬底和形成层之间插入缓冲层。在该结构中,“缓冲层”理解为意味着匹配形成层的晶格参数和衬底的晶格参数的转换层。为此,这种缓冲层可以具有随厚度逐渐变化的组成,然后缓冲层组成的逐渐变化直接与在衬底和形成层各自的晶格参数之间的它的晶格参数的逐渐变化有关。还可以有更复杂的形式,例如可变含量的成分变化,含量标志的转变或者成分的不连续阶跃变化。这种可变成分的形成需要占用很长的时间且实现起来通常很复杂。而且,为了使它的结晶缺陷的密度最小化,缓冲层的厚度通常很大,一般在一至几个微米之间。由此,这种缓冲层的生产通常包含漫长的、困难的和昂贵的工艺。由B.Hollander等人给出的另一种在形成层中松弛弹性应变的技术可在所需工艺更少的情况下,产生类似的效果,例如刊登在“原子核仪器与物理学研究方法”(Nuclear Instruments and M ...
【技术保护点】
用于从晶片(10)形成有用层(6)的方法,该晶片(10)包括分别选自应用于微电子、光学或者光电子的晶体材料的支撑衬底(1)和应变层(2),其特征在于它包括下述步骤:(a)以能够形成结构摄动的限定深度在摄动区域(3)的支撑衬底(1)上形成;(b)提供能量以使得应变层(2)中的弹性应变至少相对的松弛;以及(c)去除松弛的应变层(2′)的相对侧上的晶片(10)的一部分,有用层(6)为该晶片(10)的剩余部分。
【技术特征摘要】
FR 2002-9-18 0211543;US 2003-1-13 60/439,4281.用于从晶片(10)形成有用层(6)的方法,该晶片(10)包括分别选自应用于微电子、光学或者光电子的晶体材料的支撑衬底(1)和应变层(2),其特征在于它包括下述步骤(a)以能够形成结构摄动的限定深度在摄动区域(3)的支撑衬底(1)上形成;(b)提供能量以使得应变层(2)中的弹性应变至少相对的松弛;以及(c)去除松弛的应变层(2′)的相对侧上的晶片(10)的一部分,有用层(6)为该晶片(10)的剩余部分。2.如权利要求1所述的用于形成有用层(6)的方法,其特征在于,在步骤(b)横过转换层(4)发生至少应变层(2)的相对松弛,分离摄动区域(3)和应变层(2)。3.如上述权利要求中任一项所述的用于形成有用层(6)的方法,其特征在于,通过注入粒子形成摄动区域(3)。4.如权利要求3所述的用于形成有用层(6)的方法,其特征在于注入的粒子至少部分地包括氢及/或氦。5.如上述权利要求中任一项所述的用于形成有用层(6)的方法,其特征在于在步骤(b)施加的能量包括热能,以便于进一步促进应变层(2)中的应变的松弛。6.如上述权利要求中任一项所述的用于形成有用层(6)的方法,其特征在于还包括,在步骤(c)之前将接收衬底(5)粘接到具有应变层(2)一侧上的晶片(10)。7.如权利要求6所述的用于形成有用层(6)的方法,其特征在于通过将粘接层施加到被粘接的两个表面的至少一个来实现粘接步骤。8.如权利要求7所述的用于形成有用层(6)的方法,其特征在于粘接层由二氧化硅构成。9.根如权利要求6至8中任一项所述的用于形成有用层(6)的方法,其特征在于它还包括,在要被粘接的两个表面的至少一个表面上实现磨光步骤的执行。10.如权利要求6至9中任一项所述的用于形成有用层(6)的方法,其特征在于它还包括,为了增强粘接的热处理。11.如前述权利要求中任一项所述的用于形成有用层(6)的方法,其特征在于在步骤(c)之前,它包括在支撑衬底(1)中形成缺陷区域(3);以及步骤(c)包括为了从施主晶片(10)分离有用层(6)而将能量施加到缺陷区域。12.如权利要求11所述的用于形成有用层(6)的方法,其特征在于通过原子注入形成缺陷区域。13.如权利要求12所述的用于形成有用层(6)的方法,其特征在于注入的粒子至少部分地包括氢及/或氦。14.如权利要求12至13中任一项所述的用于形成有用层(6)的方法,其特征在于缺陷区域和摄动区域(3)位于晶片(10)同一点上。15.如权利要求14所述的用于形成有用层(6)的方法,其特征在于缺陷区域和摄动区域(3)同时并通过形成该区域相同的方式而形成。16.如权利要求11所述的用于形成有用层(6)的方法,其特征在于通过晶片(10)中的层的孔隙化形成缺陷区域。17.如前述权利要求中任一项所述的用于形成有用层(6)的方法,其特征在于步骤(c)包括对要被去除的至少一部分晶片(10)的化学蚀刻。18.如前述权利要求中任一项所述的用于形成有用层(6)的方法,其特征在于步骤(c)包括对接近于松弛的应变层(2′)的一部分支撑衬底(1)进行选择性化学蚀刻,该松弛的应变层(2′)为该蚀刻形成阻止层。19.如前述权利要求中任一项所述的用于形成有用层(6)的方法,其特征在于松弛的应变层(2′)包含化学蚀刻阻止层,以及为了去除覆盖到阻止层的...
【专利技术属性】
技术研发人员:T阿卡兹,B吉塞林,
申请(专利权)人:SOITEC绝缘体上硅技术公司,
类型:发明
国别省市:FR[法国]
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