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用于从晶片（１０）形成有用层（６）的方法，该晶片（１０）包括分别从结晶材料选择的支撑衬底（１）和应变层（２）。该方法包括：第一步骤，通过产生可引起应变层（２）中弹性应变的至少相对松弛的结构性摄动以限定的深度在支撑衬底（１）形成摄动区域（３）...该专利属于Ｓ．Ｏ．Ｉ．ＴＥＣ绝缘体上硅技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过Ｓ．Ｏ．Ｉ．ＴＥＣ绝缘体上硅技术公司授权不得商用。
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用于从晶片（１０）形成有用层（６）的方法，该晶片（１０）包括分别从结晶材料选择的支撑衬底（１）和应变层（２）。该方法包括：第一步骤，通过产生可引起应变层（２）中弹性应变的至少相对松弛的结构性摄动以限定的深度在支撑衬底（１）形成摄动区域（３）...