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纯净磁场发生体制造技术

技术编号:3110969 阅读:194 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术为一种通电后可产生不含电场辐射的纯净磁场的发生体,是用抑制载流体电场同时保留载流体的磁场方法制成的,主要用于磁疗及其它需要纯净磁场的领域。(*该技术在2013年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
本专利技术是申请号为93102585.0的专利技术专利的分案申请,主要构思参照93102585.0专利技术专利说明书中第2条c中对屏蔽电场的分析。载流导体周围会产生同供电电源频率相对应的电场和磁场。本专利技术的目的就是抑制载流体所产生的电场保留载流体所产生的磁场,从而制成不含电场辐射的纯净磁场发生体。欲达此目的可从以下两方面入手:1.屏蔽电场欲屏蔽载流体1的电场,就需用良导体做成电场屏蔽层3,即用电阻率大于等于1.72×10-8Ω·m小于等于1Ω·cm的导电材料做成的屏蔽层3;1.72×10-8Ω·m为铜的电阻率,而且屏蔽层3以不含孔洞和缝隙时对电场的屏蔽效果最好,采用缠绕或编织方式制成的屏蔽层3对电场进行屏蔽时,电场会逸出孔洞和缝隙,影响屏蔽效果,一般采用金属缠绕或编织方式对电场进行屏蔽时,屏蔽层3的孔隙率应小于等于15%大于等于0。屏蔽层的孔隙率是指:单位体积屏蔽层中所含孔隙的体积,用百分数表示。2.保留磁场因顺磁性材料和抗磁性材料为非磁性材料,对磁场几乎没有什么影响。所以为了尽可能保留载流体所产生的磁场,绝缘层2和屏蔽层3应由顺磁性或抗磁性材料构成。另外载流体1产生的磁场,穿过屏蔽层3时会产生一定的涡流损耗,越薄涡流损耗越低,所以屏蔽层3不可过厚,控制在3mm以下,根据技术的可能性越薄越好,低限可以取到10-9m甚至更薄。需说明的是,为了更好地屏蔽载流导体1所产生的电场,屏蔽层3上应引出接地线4。-->实施例:可产生纯净磁场的电导线参照图1,电导线1外包交联聚乙烯塑料层2,塑料层2外包以厚度为0.2mm的铝箔层3,再在铝箔层3上引出接地线4,即成:

【技术保护点】
纯净磁场发生体,由导体(1)外包绝缘层(2),绝缘层(2)外再包屏蔽层(3)构成,其特征在于:a. 绝缘层(2)由顺磁性绝缘材料或抗磁性绝缘材料构成。b. 屏蔽层(3)由电阻率大于等于1. 72×10↑[-8]Ω.m小于等于1Ω.cm的顺 磁性材料构成或由电阻率大于等于1. 72×10↑[-8]Ω.m小于等于1Ω.cm的抗磁性材料构成。c. 屏蔽层(3)的孔隙率大于等于0小于等于15%。d. 屏蔽层(3)的厚度小于等于3mm大于等于10↑[-9]m。

【技术特征摘要】
1、纯净磁场发生体,由导体(1)外包绝缘层(2),绝缘层(2)外再包屏蔽层(3)构成,其特征在于:a.绝缘层(2)由顺磁性绝缘材料或抗磁性绝缘材料构成。b.屏蔽层(3)由电阻率大于等于1.72×10-8Ω·m小于等于1Ω·cm的顺磁性材料构成或由电阻率大于等于1.72×10...

【专利技术属性】
技术研发人员:宋维伦
申请(专利权)人:宋维伦
类型:发明
国别省市:37[中国|山东]

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