【技术实现步骤摘要】
一种掺镓PERC电池背面钝化膜及其制备方法与掺镓PERC电池
[0001]本专利技术属于太阳能电池
,涉及一种电池背面钝化膜,尤其涉及一种掺镓PERC电池背面钝化膜及其制备方法与掺镓PERC电池。
技术介绍
[0002]PERC(Passivated Emitter and Rear Cell),即钝化发射极和背面电池技术,这种技术是在常规太阳能技术基础上,通过对电池背面进行介质膜钝化,采用金属局域接触,大大降低了背面少数载流子(少子)的复合速度,同时提升了背面的光反射。得益于背面钝化膜的存在,减少了电子的复合,从而提升了电池效率。由于PERC电池与常规电池产线兼容性强,具有较低的改造成本,同时还具有极高的效率优势,近年来,PERC电池已经取代了常规电池而成为业内普遍生产的太阳能电池。
[0003]产业化单晶PERC电池多采用掺硼硅片作为衬底材料,但使用掺硼硅片会引起硼氧复合而导致初始光致衰减,这种初始光致衰减随着硅片中的硼、氧含量增大而升高。目前解决这个问题主要有以下三种方法:(1)降低掺硼硅片中的氧含量;(2)降低掺硼的掺杂量;(3)使用掺镓硅片。由于前两种方法会增加电池制造成本和制造工序,且随着掺镓硅片价格的降低,以及专利的到期,业内开始专注于采用掺镓硅片解决P型晶硅太阳能电池光致衰减的问题。
[0004]对于掺镓电池,虽然解决了硼氧复合的问题,但由于整个电池生产过程中存在氢钝化的影响,并且部分氢钝化处于非稳态,导致在长期太阳能辐照过程中,这部分非稳态的氢钝化会发生裂解,形成缺陷态,复合光 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种掺镓PERC电池背面钝化膜,其特征在于,所述掺镓PERC电池背面钝化膜包括层叠设置的至少1层阻挡层、SiON
x
层与SiN
x
层;所述阻挡层包括层叠设置的SiO
x
层与AlO
x
层。2.根据权利要求1所述的掺镓PERC电池背面钝化膜,其特征在于,所述掺镓PERC电池背面钝化膜包括层叠设置的第一阻挡层、第二阻挡层、SiON
x
层与SiN
x
层;优选地,所述第一阻挡层中的AlO
x
层与第二阻挡层中的SiO
x
层相接;优选地,所述第二阻挡层中的AlO
x
层与SiON
x
层相接。3.根据权利要求2所述的掺镓PERC电池背面钝化膜,其特征在于,所述第一阻挡层中的SiO
x
层厚度为1-3nm;优选地,所述第一阻挡层中的AlO
x
层厚度为4-12nm;优选地,所述第二阻挡层中的SiO
x
层厚度为1-5nm;优选地,所述第二阻挡层中的AlO
x
层厚度为1-3nm;优选地,所述SiON
x
层的厚度为5-20nm;优选地,所述SiN
x
层的厚度为60-90nm;优选地,所述掺镓PERC电池背面钝化膜的总厚度为72-133nm。4.根据权利要求2或3所述的掺镓PERC电池背面钝化膜,其特征在于,所述第一阻挡层中的SiO
x
层满足x=2;优选地,所述第一阻挡层中的AlO
x
层满足x=1.5;优选地,所述第二阻挡层中的SiO
x
层满足x=2;优选地,所述第二阻挡层中的AlO
x
层满足x=1.5;优选地,所述SiON
x
层满足x≥1;优选地,所述SiN
x
层满足x≥4/3。5.一种如权利要求1-4任一项所述的掺镓PERC电池背面钝化膜的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:(1)提供一种掺镓硅片,在所述掺镓硅片的背面沉积至少1层阻挡层;沉积每层阻挡层的方法为先沉积SiO
x
层后沉积AlO
x
层;(2)在所述阻挡层上沉积SiON
x
层;(3)在所述SiON
x
层上沉积SiN
x
【专利技术属性】
技术研发人员:任勇,何悦,张磊,席祥虎,
申请(专利权)人:横店集团东磁股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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