【技术实现步骤摘要】
使用远红外线放射陶瓷组合物和低强度超声波的改善及治疗因关节炎损伤的骨组织的装置
[0001]本专利技术涉及使用远红外线放射陶瓷组合物和低强度超声波的用于缓解及改善炎症的装置,其是用放射大量远红外线的陶瓷组合物来温热刺激炎症部位,通过照射使细胞的运动或生长因子的合成增加并使诱导型一氧化氮合酶蛋白的表达减少的低强度超声波,来显示出从根本上缓解及改善炎症的效果的装置。
[0002]并且,本专利技术涉及使用远红外线放射陶瓷组合物和低强度超声波的用于改善及治疗由关节炎损坏的骨组织的装置,更详细地,涉及通过用放射大量远红外线的陶瓷组合物温热刺激由关节炎损坏的骨组织部位来增加骨体积、增加骨截面厚度以及减少平均截面片段数量,通过照射低强度超声波来改善及治疗由关节炎损坏的骨组织的装置。
技术介绍
[0003]日常生活中发生的免疫反应是在人体内部发生的生理保护活动,而炎症是可以通过我们的肉眼确认的免疫反应之一。炎症会引起发烧症状、血管舒张及肿胀等多种可见的生理现象,当炎症被炎症反应介质促进时,使血管的舒张及血管通透性增加,并且收集具有吞噬作用的颗粒细胞、树突细胞及B细胞等并激活它们。当炎症反应开始时,细胞因子(cytokine)会过量分泌,从而引起与炎症相关的疾病,并且由炎症性细胞因子表达的诱导型一氧化氮合酶(iNOS)促进氧化一氮(NO,nitric oxide)的生成。
[0004]氧化一氮在我们身体中在病例上其到重要作用,其杀死细菌以参与免疫反应,但已知若其分泌量过多会导致宿主内更深的炎症反应,从而导致负面后果。< ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种使用远红外线放射陶瓷组合物和低强度超声波的用于缓解及改善炎症的装置,其特征在于,包括:超声波照射部,通过生成低强度超声波来照射炎症的产生部位;温热刺激部,将通过加热陶瓷组合物来产生的远红外线适用于炎症的产生部位;以及控制部,用于控制上述低强度超声波的频带、强度及照射时间中的至少一种和上述温热刺激部的温度。2.根据权利要求1所述的使用远红外线放射陶瓷组合物和低强度超声波的用于缓解及改善炎症的装置,其特征在于,上述炎症的产生部位是由关节炎损坏的骨组织部位。3.根据权利要求1所述的使用远红外线放射陶瓷组合物和低强度超声波的用于缓解及改善炎症的装置,其特征在于,上述控制部用于控制上述低强度超声波使其具有0.5MHz至1.5MHz的频带及100mW/cm2至150mW/cm2的强度。4.根据权利要求3所述的使用远红外线放射陶瓷组合物和低强度超声波的用于缓解及改善炎症的装置,其特征在于,上述控制部用于控制上述低强度超声波使其具有1.1MHz的频带、120mW/cm2的强度、1:9的脉冲持续时间、50%的工作周期的条件。5.根据权利要求1所述的使用远红外线放射陶瓷组合物和低强度超声波的用于缓解及改善炎症的装置,其特征在于,上述控制部用于控制上述低强度超声波使其每次具有15分钟至25分钟的照射时间。6.根据权利要求5所述的使用远红外线放射陶瓷组合物和低强度超声波的用于缓解及改善炎症的装置,其特征在于,上述控制部用于控制上述低强度超声波使其每次具有20分钟的照射时间。7.根据权利要求1所述的使用远红外线放射陶瓷组合物和低强度超声波的用于缓解及改善炎症的装置,其特征在于,上述控制部用于控制上述温热刺激部使其加热至35℃至40℃的温度。8.根据权利要求7所述的使用远红外线放射陶瓷组合物和低强度超声波的用于缓解及改善炎症的装置,其特征在于,上述控制部用于控制上述温热刺激部使其加热至38℃的温度。9.根据权利要求1所述的使用远红外线放射陶瓷组合物和低强度超声波的用于缓解及改善炎症的装置,其特征在于,上述陶瓷组合物由麦饭石、火山石、碳、火山灰及黑云母组成。10.根据权利要求9所述的使用远红外线放射陶瓷组合物和低强度超声波的用于缓解及改善炎症的装置,其特征在于,上述陶瓷组合物由100重量份的麦饭石、0.5重量份至1.5重量份的火山石、0.05重量份至0.15重量份的碳、1重量份至3重量份的火山灰及0.5重量份至1.5重量份的黑云母组成。11.根据权利要求1所述的使用远红外线放射陶瓷组合物和低强度超声波的用于缓解及改善炎症的装置,其特征在于,上述陶瓷组合物由如下的步骤制备而成:原料粉碎步骤,分别粉碎麦饭石、火山石、碳、火山灰及黑云母;微粉碎步骤,将分别通过上述原料粉碎步骤粉碎的粉碎物混合,并加入水后进行微粉碎;空气注入步骤,注入空气,以使通过上述微粉碎步骤微粉碎的粉碎物具有颗粒形状;
成型步骤,将通过上述空气注入步骤具有颗粒形状的微粉碎物放入模具并进行加压成型;烧成步骤,对通过上述成型步骤成型的成型物进行烧成;以及研磨步骤,对通过上述烧...
【专利技术属性】
技术研发人员:金翰成,金泽中,李韩阿,崔文硕,金舒炫,黃栋铉,曹胜铉,
申请(专利权)人:青岛丽可医疗器械有限公司,
类型:发明
国别省市:
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