【技术实现步骤摘要】
低压电驱计算功率的MOS管输出电流电路
本技术涉及计算功率的MOS管输出电流电路
,更具体地说是指低压电驱计算功率的MOS管输出电流电路。
技术介绍
当前在48-72V电压电驱中,不管是采用电压型电流传感器,还是采用分流器采样,在市场中都占有不小的成本比例,但是,上述方案均存在设计空间大,成本高的问题。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的缺陷,提供低压电驱计算功率的MOS管输出电流电路。为实现上述目的,本技术采用以下技术方案:低压电驱计算功率的MOS管输出电流电路,包括第一电平信号输入端,第一驱动模块,第一开关模块,第二电平信号输入端,第二驱动模块,第二开关模块,高电压阻断模块,第一输出端,及第二输出端;所述第一电平信号输入端与第一驱动模块,及高电压阻断模块连接,所述第一开关模块与第一驱动模块连接,所述第二电平信号输入端与第二驱动模块连接,所述第二开关模块与第二驱动模块连接,所述第一输出端和高电压阻断模块均与第一开关模块,及第二开关模块连接,所述第二输出端与高电压阻断模块连接。其进一步技术方案为:所述第一驱动模块包括电压输入端,电容C1,电容C2,二极管D1,电容C3,电容C4,电容C5,电阻R1,电阻R2,电阻R3,电阻R4,电阻R5,电阻R6,电阻R7,电阻R8,三极管Q1,三极管Q2,三极管Q3,及三极管Q4;所述电容C1的1脚,电容C2的1脚,及二极管D1的阳极均与电压输入端连接,电容C1的2脚和电容C2的2脚接地,二极管D1的阴极与电容C3的1脚,电阻 ...
【技术保护点】
1.低压电驱计算功率的MOS管输出电流电路,其特征在于,包括第一电平信号输入端,第一驱动模块,第一开关模块,第二电平信号输入端,第二驱动模块,第二开关模块,高电压阻断模块,第一输出端,及第二输出端;所述第一电平信号输入端与第一驱动模块,及高电压阻断模块连接,所述第一开关模块与第一驱动模块连接,所述第二电平信号输入端与第二驱动模块连接,所述第二开关模块与第二驱动模块连接,所述第一输出端和高电压阻断模块均与第一开关模块,及第二开关模块连接,所述第二输出端与高电压阻断模块连接。/n
【技术特征摘要】
1.低压电驱计算功率的MOS管输出电流电路,其特征在于,包括第一电平信号输入端,第一驱动模块,第一开关模块,第二电平信号输入端,第二驱动模块,第二开关模块,高电压阻断模块,第一输出端,及第二输出端;所述第一电平信号输入端与第一驱动模块,及高电压阻断模块连接,所述第一开关模块与第一驱动模块连接,所述第二电平信号输入端与第二驱动模块连接,所述第二开关模块与第二驱动模块连接,所述第一输出端和高电压阻断模块均与第一开关模块,及第二开关模块连接,所述第二输出端与高电压阻断模块连接。
2.根据权利要求1所述的低压电驱计算功率的MOS管输出电流电路,其特征在于,所述第一驱动模块包括电压输入端,电容C1,电容C2,二极管D1,电容C3,电容C4,电容C5,电阻R1,电阻R2,电阻R3,电阻R4,电阻R5,电阻R6,电阻R7,电阻R8,三极管Q1,三极管Q2,三极管Q3,及三极管Q4;所述电容C1的1脚,电容C2的1脚,及二极管D1的阳极均与电压输入端连接,电容C1的2脚和电容C2的2脚接地,二极管D1的阴极与电容C3的1脚,电阻R3的2脚,电阻R4的1脚,三极管Q1的集电极,及三极管Q3的发射极连接,电容C3的2脚和电阻R3的1脚接地;电阻R4的2脚和三极管Q3的基极均与所述第一电平信号输入端连接,三极管Q3的集电极与三极管Q1的基极,电阻R8的2脚,及三极管Q4的基极连接,电阻R8的1脚和三极管Q4的集电极接地;三极管Q1的发射极与电阻R1是2脚连接,电阻R1的1脚与电阻R5的2脚,三极管Q2的发射极,电容C4的2脚,电阻R6的2脚,及电阻R2的1脚连接,三极管Q4的发射极与电阻R5的1脚,及三极管Q2的基极连接;三极管Q2的集电极,电容C4的1脚,及电阻R6的1脚均接地;电阻R2的2脚与电阻R7的1脚,及第一开关模块连接,电阻R7的2脚与电容C5的1脚连接,电容C5的2脚接地。
3.根据权利要求2所述的低压电驱计算功率的MOS管输出电流电路,其特征在于,所述二极管D1的型号为BAV21W。
4.根据权利要求2所述的低压电驱计算功率的MOS管输出电流电路,其特征在于,所述第一开关模块为绝缘栅双极型晶体管M1,所述绝缘栅双极型晶体管M1的栅极与电阻R2的2脚,及电阻R7的1脚连接,绝缘栅双极型晶体管M1的发射极与电池的正极连接,绝缘栅双极型晶体管M1的集电极与所述第二开关模块,高电压阻断模块,及第一输出端连接。
5.根据权利要求4所述的低压电驱计算功率的MOS管输出电流电路,其特征在于,所述第二驱动模块包括电压输入端,电容C6,电容C7,电容C8,电容C9,电阻R9,电阻R10,电阻R11,电阻R12,电阻R13,电阻R14,电阻R15,三极管Q5,三极管Q7,三极管Q8,及三极管Q9;所述电容C6的1脚,电容C7的2脚,电阻R11的1脚,三极管Q5的集电极,及三极管Q7的发射极均与电压输入端连接,电容C6的2脚和电容C7的1脚接地,所述第二电平信号输入端与电阻R11的2脚,及三极管Q7的基极连接,三极管Q7的集电极与三极管Q5的基极,电阻R15的2脚,及三极管Q9的基极连接,电阻R15的1脚接地;三极管Q9的集电极接地,三极管Q9的发射极与电阻R12的2脚,及三极管Q8的基极连接,三极管Q8的集电极接地,三极管Q5的发射极与电阻R9的1脚连接,电阻R9的2脚与电阻R12的1脚,三极管Q8的发射极,电容C8的1脚,电阻R14的1脚,及电阻R10的1脚连接,电容C8的2脚和电阻R1...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈鹏程,李勇,
申请(专利权)人:深圳市安邦信电子有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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