The utility model relates to a light-emitting diode, a manufacturing process and a light-emitting device. The light-emitting diode includes: a light-emitting epitaxial layer, comprising a first type semiconductor layer, an active layer and a second type semiconductor layer, having a first surface and a second surface opposite to each other, wherein the first surface is a light emitting surface; a light transmitting dielectric layer, located on the second surface side of the light-emitting epitaxial layer, having a plurality of first openings to expose the second surface side of the light-emitting epitaxial layer; an adhesive layer The second opening corresponds to the position of the first opening; the metal layer is located on the surface side of the adhesion layer which is far away from the light transmittance dielectric layer, and extends to the second opening and contacts with the second surface side of the light transmittance dielectric layer in the first opening. The thickness of the adhesion layer is at most light transmittance dielectric One fifth of the thickness of the electric layer. The problem of voltage rise caused by adhesion layer between ohmic contact layer and mirror layer can be solved by adhesion layer with opening between multilayer metal layer and transparent dielectric layer.
【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管及制作工艺、发光装置
一种具有金属反射镜和透光性介电层搭配的发光二极管,更加优选地是结构为红光发光二极管。
技术介绍
现有发光二极管之增光工艺,如图1所示,通常借由键合工艺将芯片外延层(包括第一类型半导体层106、发光层107和第二类型半导体层108)自吸光外延基板转移至另一永久基板101上,并且在外延层与吸光基板之间制作反射镜面102,通过反射镜面102将光束反射至出光面提升整体亮度。镜面材质通常选用对于该芯片波长具有高反射率之金属材料,如红光或红外常用Au/Ag镜。红光或者红外的Au/Ag镜通常与透光性介电层104搭配形成ODR结构增加反射效果。另外透光性介电层104会开口制作金锗、金镍、金铍、金锌等常见的金属欧姆接触层105。然后再做一层作粘附层103覆盖欧姆接触层105和透光性介电层104,在粘附层103表面再制作金属反射镜面102,粘附层103通常是IZO或ITO。同时某些粘附层经过酸、碱性的溶液后,材料特性会发生变化,例如IZO的特性会比较活泼,某些略带酸性或者碱性的去胶液、显影液也会对材料的表面、厚度等产生不可逆转的影响,比如发生蚀刻现象等。所以如IZO类的粘附层要实现图形化比较困难,本案的目的在于不影响粘附层特性的基础上,实现CB孔内欧姆接触良好的接触及镜面反射系统。
技术实现思路
基于本专利技术的目的,本专利技术提供了一种具有镜面结构的发光二极管及其制作方法,其具有能够降低电压的镜面结构。根据本专利技术的第一个方面,提供如下发光二极管,包括:发光外延 ...
【技术保护点】
1.发光二极管,包括:发光外延叠层,包含第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层,具有对相的第一表面和第二表面,其中第一表面为出光面;/n透光性介电层,位于所述发光外延叠层的第二表面侧,并具有多处的第一开口暴露部分外延叠层的第二表面侧;/n粘附层,位于透光性介电层远离发光外延叠层的一侧,具有多个第二开口,每一第二开口与每一第一开口的位置对应;/n金属层,位于粘附层的远离透光性介电层的一表面侧,并延伸至第二开口以及第一开口与发光外延叠层的第二表面侧接触,所述的粘附层的厚度至多为透光性介电层厚度的五分之一,其特征在于:所述的金属层与透光性介电层之间仅有一层粘附层。/n
【技术特征摘要】
1.发光二极管,包括:发光外延叠层,包含第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层,具有对相的第一表面和第二表面,其中第一表面为出光面;
透光性介电层,位于所述发光外延叠层的第二表面侧,并具有多处的第一开口暴露部分外延叠层的第二表面侧;
粘附层,位于透光性介电层远离发光外延叠层的一侧,具有多个第二开口,每一第二开口与每一第一开口的位置对应;
金属层,位于粘附层的远离透光性介电层的一表面侧,并延伸至第二开口以及第一开口与发光外延叠层的第二表面侧接触,所述的粘附层的厚度至多为透光性介电层厚度的五分之一,其特征在于:所述的金属层与透光性介电层之间仅有一层粘附层。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:其中所述的粘附层的厚度至少0.1nm至多10nm。
3.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述透光性介电层的厚度为50nm以上。
4.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述粘附层为透明导电粘附层。
5.根据权利要求1或4所述的一种发光二极管,其特征在于:所述粘附层为IZO或ITO。
6.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述透光性介电层单层或多层,其中每一层为氟化镁层或氧化硅层。
7.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述的透光性介电层的第一开口的侧壁为倾斜,倾斜的角度为等于90°或大于90°。
8.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述的透光性介电层的第一开口的侧壁为倾斜,倾斜的角度为110~170°。
9.根据权利要求1或8所述的一种发光二极管,其特征在于:所述的粘附层覆盖透光性介电层的第一开口部分侧壁或全部侧壁。
10.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述的透光性介电层的第一开口具有倾斜侧壁,所属倾斜侧壁的厚度是渐变的,倾斜侧壁的水平宽度为至少1nm。
11.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述的透光性介电层的第一开口具有倾斜侧壁,所属倾斜侧壁的厚度是渐变的,倾斜侧壁的水平宽度为至少20nm。
12.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:在第一开口的底部,金属层在发光外延叠层的第一类型半导体层或第二类型半导体层的表面上具有欧姆接触材料。
13.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述的金属层与粘附层接触的材料具有金属反射材料。
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【专利技术属性】
技术研发人员:张东炎,贾月华,蒙成,王晶,吴俊毅,王笃祥,
申请(专利权)人:天津三安光电有限公司,
类型:发明
国别省市:天津;12
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