摄像面板及其制造方法技术

提供能提高生产率的X射线摄像面板及其制造方法。摄像面板(1)在基板(101)具有有源区域和端子区域。端子区域具备：第1导电层(100)；端子用第1绝缘膜(103)，其包括与有源区域的第1绝缘膜相同的材料，具有第1开口；第2导电层(1701)，其包括与有源区域的导电膜相同的材料，在设置有第1开口的位置与第1导电层(100)重叠；以及覆盖层，其在设置有第1开口的位置配置在第1导电层(100)与第2导电层(1701)之间。第1导电层(100)包括与有源区域的薄膜晶体管的栅极电极或源极电极、以及下部电极中的任意1个元件相同的材料。覆盖层包括与有源区域的源极电极、下部电极以及偏置配线中的、相比于包括与第1导电层(100)相同的材料的元件配置在上层的至少1个元件相同的材料。

Camera panel and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】摄像面板及其制造方法
本专利技术涉及摄像面板及其制造方法。
技术介绍
已知通过具备多个像素部的摄像面板来拍摄X射线图像的X射线摄像装置。在这种X射线摄像装置中，例如通过光电二极管将被照射的X射线转换为电荷。转换后的电荷是通过使像素部所具备的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor：以下也称为“TFT”。)动作而被读出。通过这样读出电荷，可得到X射线图像。在特开2013-46043号公报中公开了这种摄像面板。特开2013-46043号公报中的光电二极管具有将n层、i层、p层的半导体膜层叠而成的PIN结构。在光电二极管的上部设置有包括透明导电膜的上部电极，在光电二极管的下部设置有包含铝等金属的下部电极。上部电极与供应偏置电压的共用电极配线连接。
技术实现思路
然而，希望的是，在制造设置薄膜晶体管或光电二极管的有源区域的工序时，同时制作与薄膜晶体管的栅极电极、源极电极、供应偏置电压的偏置配线连接的各端子。但是，在端子的焊盘部分所使用的导电膜包括与形成在有源区域的偏置配线或光电二极管的电极等所使用的导电膜相同的材料的情况下，成为端子的焊盘部分的导电膜有时也会由于在形成有源区域的偏置配线或电极时的蚀刻工序而消失。本专利技术的目的在于提供能在制作有源区域的同时可靠地形成端子并提高生产效率的X射线的摄像面板及其制造方法。解决上述问题的本专利技术的摄像面板是基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像的摄像面板，上述摄像面板具有基板，并且在上述基板上具有有源区域和端子区域，上述有源区域具备：薄膜晶体管，其设置在上述基板上；第1绝缘膜，其设置在上述薄膜晶体管之上；下部电极，其设置在上述第1绝缘膜之上；光电转换层，其设置在上述下部电极之上，将上述闪烁光转换为电荷；上部电极，其设置在上述光电转换层之上；第2绝缘膜，其在上述上部电极之上分开配置，具有接触孔；导电膜，其配置在上述第2绝缘膜之上，经由上述接触孔与上述上部电极连接；以及偏置配线，其配置在上述第2绝缘膜之上，与上述导电膜连接，上述端子区域具备：第1导电层，其设置在上述基板上，与上述薄膜晶体管的栅极电极或源极电极连接；端子用第1绝缘膜，其包括与上述第1绝缘膜或上述第2绝缘膜相同的材料，在上述第1导电层的一部分之上分开设置，具有第1开口；第2导电层，其包括与上述导电膜相同的材料，设置在上述端子用第1绝缘膜的上层，在设置有上述第1开口的位置上与上述第1导电层重叠；以及覆盖层，其在设置有上述第1开口的位置上重叠配置在上述第1导电层与上述第2导电层之间，上述第1导电层包括与上述栅极电极、上述源极电极以及上述下部电极中的任意1个元件相同的材料，上述覆盖层包括与上述源极电极、上述下部电极以及上述偏置配线中的、相比于包括与上述第1导电层相同的材料的上述元件配置在上层的至少1个元件相同的材料。根据本专利技术，能在制作有源区域的同时可靠地形成端子，提高生产效率。附图说明图1是表示实施方式的X射线摄像装置的示意图。图2是表示图1所示的摄像面板的概略构成的示意图。图3A是示意性地表示图2所示的摄像面板的一个像素部分的俯视图。图3B是将图3A所示的像素沿A-A线截断后的截面图。图4A是示意性地表示图1所示的摄像面板的G端子区域的俯视图。图4B是示意性地表示图1所示的摄像面板的S端子和B端子区域的俯视图。图5A是将图4A所示的G端子沿B-B线截断、将S端子和B端子沿B′-B′线截断后的截面图。图5B是将图4B所示的S-G接触部沿C-C线截断后的截面图。图5C是将图4B所示的S-B接触部沿D-D线截断后的截面图。图6A是说明TFT区域和端子区域的制造工序的图，并且是表示在基板之上按顺序形成栅极绝缘膜、栅极电极及栅极层、以及TFT的半导体层的工序的截面图。图6B是表示在图6A所示的半导体层上形成第1绝缘膜、在TFT区域形成源极电极和漏极电极、在端子区域形成源极层的工序的截面图。图6C是表示在图6B所示的TFT区域形成接触孔CH1、在端子区域形成开口103a的工序的截面图。图6D是表示在图6C中的第1绝缘膜之上形成第2绝缘膜的工序的截面图。图6E是表示在图6D中的TFT区域形成第2绝缘膜的开口的工序的截面图。图6F是表示在图6E所示的TFT区域和端子区域形成金属膜的工序的截面图。图6G是表示在图6F所示的TFT区域形成下部电极、在端子区域形成下部电极层，形成n型非晶半导体层、本征非晶半导体层及p型非晶半导体层、以及透明导电膜的工序的截面图。图6H是表示在图6G所示的TFT区域形成上部电极、并将端子区域的半导体层和透明导电膜除去的工序的截面图。图6I是表示在图6H所示的TFT区域形成光电转换层的工序的截面图。图6J是表示在图6I所示的TFT区域和端子区域形成第3绝缘膜的工序的截面图。图6K是表示在图6J所示的TFT区域的第3绝缘膜形成接触孔CH2、在端子区域的第3绝缘膜形成开口105a的工序的截面图。图6L是表示在图6K中的第3绝缘膜之上形成第4绝缘膜的工序的截面图。图6M是表示在图6L中的TFT区域的第4绝缘膜形成开口、并将端子区域中的第4绝缘膜除去的工序的截面图。图6N是表示在图6M中的TFT区域和端子区域形成金属膜的工序的截面图。图6O是表示将图6N中的透明导电膜图案化、在TFT区域形成偏置配线、在端子区域形成偏置配线层的工序的截面图。图6P是表示在图6O中的TFT区域和端子区域形成透明导电膜的工序的截面图。图6Q是表示将图6P中的透明导电膜图案化、在TFT区域形成导电膜、在端子区域形成透明导电膜的工序的截面图。图6R是表示在图6Q中的TFT区域和端子区域形成第5绝缘膜的工序的截面图。图6S是表示将图6R中的第5绝缘膜图案化、在端子区域形成第5绝缘膜的开口107a的工序的截面图。图6T是表示在图6S中的第5绝缘膜之上形成第6绝缘膜的工序的截面图。图6U是表示将图6T中的第6绝缘膜图案化、将端子区域的第6绝缘膜除去的工序的截面图。图7是表示第1实施方式的变形例中的G端子、S端子以及B端子的结构例的截面图。图8是表示将图7所示的B端子与偏置配线连接起来的接触部的结构的截面图。图9是表示第2实施方式的G端子的结构的截面图。图10是表示变形例(1)中的G端子、S端子以及B端子的结构例的截面图。图11是表示变形例(3)中的G端子、S端子以及B端子的结构例的截面图。图12是表示变形例(4)中的G端子、S端子以及B端子的结构例的截面图。图13是表示变形例(5)中的G端子、S端子以及B端子的结构例的截面图。图14是表示变形例(6)中的G端子、S端子以及B端子的结构例的截面图。图15是表示变形例(6)中的与图14不同的结构的G端子、S端子以及B端子的结构例的截面图。图16是表示变形例(7)中的G端子、S端子以及B端子的结构例的截面图。具体实施方式本专利技术的一个实施方式的摄像面板是基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像的摄像面板，上述摄像面板具有基板，并且在上述基板上具有有源区域和端子区域，上述有源区域具备：薄膜晶体管，其设置在上述基板上；第1绝缘膜，其设置在上述薄膜晶体管之上；下部电极，其设置在上述第1绝缘膜之上；光电转换层，其设置在上述下部电极之上，将上述闪烁光转换为电荷；上部电极，其设置在上述光电转本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种摄像面板，基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像，上述摄像面板的特征在于，具有基板，并且在上述基板上具有有源区域和端子区域，上述有源区域具备：薄膜晶体管，其设置在上述基板上；第1绝缘膜，其设置在上述薄膜晶体管之上；下部电极，其设置在上述第1绝缘膜之上；光电转换层，其设置在上述下部电极之上，将上述闪烁光转换为电荷；上部电极，其设置在上述光电转换层之上；第2绝缘膜，其在上述上部电极之上分开配置，具有接触孔；导电膜，其配置在上述第2绝缘膜之上，经由上述接触孔与上述上部电极连接；以及偏置配线，其配置在上述第2绝缘膜之上，与上述导电膜连接，上述端子区域具备：第1导电层，其设置在上述基板上，与上述薄膜晶体管的栅极电极或源极电极连接；端子用第1绝缘膜，其包括与上述第1绝缘膜或上述第2绝缘膜相同的材料，在上述第1导电层的一部分之上分开设置，具有第1开口；第2导电层，其包括与上述导电膜相同的材料，设置在上述端子用第1绝缘膜的上层，在设置有上述第1开口的位置上与上述第1导电层重叠；以及覆盖层，其在设置有上述第1开口的位置上重叠配置在上述第1导电层与上述第2导电层之间，上述第1导电层包括与上述栅极电极、上述源极电极以及上述下部电极中的任意1个元件相同的材料，上述覆盖层包括与上述源极电极、上述下部电极以及上述偏置配线中的、相比于包括与上述第1导电层相同的材料的上述元件配置在上层的至少1个元件相同的材料。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.02.10 JP 2017-0227571.一种摄像面板，基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像，上述摄像面板的特征在于，具有基板，并且在上述基板上具有有源区域和端子区域，上述有源区域具备：薄膜晶体管，其设置在上述基板上；第1绝缘膜，其设置在上述薄膜晶体管之上；下部电极，其设置在上述第1绝缘膜之上；光电转换层，其设置在上述下部电极之上，将上述闪烁光转换为电荷；上部电极，其设置在上述光电转换层之上；第2绝缘膜，其在上述上部电极之上分开配置，具有接触孔；导电膜，其配置在上述第2绝缘膜之上，经由上述接触孔与上述上部电极连接；以及偏置配线，其配置在上述第2绝缘膜之上，与上述导电膜连接，上述端子区域具备：第1导电层，其设置在上述基板上，与上述薄膜晶体管的栅极电极或源极电极连接；端子用第1绝缘膜，其包括与上述第1绝缘膜或上述第2绝缘膜相同的材料，在上述第1导电层的一部分之上分开设置，具有第1开口；第2导电层，其包括与上述导电膜相同的材料，设置在上述端子用第1绝缘膜的上层，在设置有上述第1开口的位置上与上述第1导电层重叠；以及覆盖层，其在设置有上述第1开口的位置上重叠配置在上述第1导电层与上述第2导电层之间，上述第1导电层包括与上述栅极电极、上述源极电极以及上述下部电极中的任意1个元件相同的材料，上述覆盖层包括与上述源极电极、上述下部电极以及上述偏置配线中的、相比于包括与上述第1导电层相同的材料的上述元件配置在上层的至少1个元件相同的材料。2.根据权利要求1所述的摄像面板，在上述第1导电层包括与上述源极电极相同的材料的情况下，上述覆盖层包括：下部电极层，其包括与上述下部电极相同的材料；以及偏置配线层，其包括与上述偏置配线相同的材料。3.根据权利要求1所述的摄像面板，在上述第1导电层包括与上述栅极电极相同的材料的情况下，上述覆盖层包括以下层中的至少2个层：下部电极层，其包括与上述下部电极相同的材料；偏置配线层，其包括与上述偏置配线相同的材料；以及源极层，其包括与上述源极电极相同的材料。4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的摄像面板，在上述端子区域设置有多个端子，在上述端子区域中，设置有上述多个端子中的至少1个端子的区域中的上述第1导电层与上述栅极电极连接，设置有其它端子的区域中的上述第1导电层与上述源极电极连接。5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的摄像面板，上述薄膜晶体管的栅极电极和源极电极、上述下部电极、以及上述偏置配线包含相同的材料。6.一种摄像面板的制造方法，是基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像的摄像面板的制造方法，上述摄像面板的制造方法的特征在于，在基板上的有源区域中，形成薄膜晶体管，在上述薄膜晶体管之上形成第1绝缘膜，在上述薄膜晶体管的漏极电极之上，形成贯通上述第1绝缘膜的第1接触孔，形成覆盖上述第1绝缘膜的下部电极用导电膜，对上述下部电极用导电膜进行蚀刻，在上述第1绝缘膜之上形成经由上述第1接触孔而与上述漏极电极连接的下部电极，在上述下部电极之上形成光电转换层，并在上述光电转换层之上形成上部电极，形成覆盖上述上部电极的第2绝缘膜，并形成贯通上述第2...

【专利技术属性】
技术研发人员：美崎克纪，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP