控制电路及芯片制造技术

本发明专利技术揭示了一种控制电路及芯片，所述控制电路包括芯片，所述芯片包括一复用引脚；所述复用引脚分别耦接热敏元件、第一分压电阻、第二分压电阻；在第一状态下，所述芯片通过所述复用引脚耦接所述热敏元件，从而判定电路系统的温度状态，实现芯片的过温保护检测；在第二状态下，所述芯片通过所述复用引脚耦接第一分压电阻、第二分压电阻，实现输出电压的过压保护检测、欠压保护检测及消磁检测中的至少一个。本发明专利技术提出的控制电路及芯片，通过将不同功能的脚位集成，可减少芯片脚位，避免芯片因脚位不足而导致功能不完善的问题。本发明专利技术的设计电路简洁可靠；集成了过温保护，过压/欠压保护以及消磁检测功能，功能完备，应用灵活度较大。

Control Circuit and Chip

【技术实现步骤摘要】
控制电路及芯片
本专利技术属于电子电路
，涉及一种芯片及控制电路。
技术介绍
图1为现有一控制芯片通过引脚进行过温保护OTP的电路示意图；请参阅图1，芯片U11通过第三引脚位对外部NTC灌输一个固定电流，由于NTC阻抗随温度变化而变化，因此检测3脚电位可以判定系统的温度状态，从而实现过温保护(OTP)的功能。图2为现有一控制芯片通过引脚进行过压保护/欠压保护及消磁检测的电路示意图；请参阅图2，芯片U12的第三引脚通过两个电阻分压采样辅助绕组电压，从而实现输出电压的过压保护/欠压保护(OVP/UVP)和消磁检测。由于以上两种功能的各自独立，在芯片本身引脚数量不足的情况下，只能实现其中一种功能。使芯片功能只能受限，只能选择其中的一个保护功能，这样大大限制了芯片应用的灵活性。有鉴于此，如今迫切需要设计一种芯片结构，以便克服现有芯片结构存在的上述缺陷。
技术实现思路
本专利技术提供一种控制电路及芯片，通过引脚复用，可利用有限的引脚实现更多的功能。为解决上述技术问题，根据本专利技术的一个方面，采用如下技术方案：一种控制电路，所述控制电路包括芯片，所述芯片包括一复用引脚；所述复用引脚耦接热敏元件的第二端，所述热敏元件的第一端分别耦接第一分压电阻的第二端和第二分压电阻的第一端，所述第一分压电阻的第一端耦接辅助绕组；在第一状态下，所述芯片通过所述复用引脚耦接所述热敏元件，从而判定电路系统的温度状态，实现芯片的过温保护检测；在第二状态下，所述芯片通过所述复用引脚耦接第一分压电阻、第二分压电阻，实现输出电压的过压保护检测、欠压保护检测以及消磁检测中的至少一个。作为本专利技术的一种实施方式，所述芯片包括过温检测模块，所述过温检测模块包括电流源、第一开关S1、第一比较器U1和电源V1；所述电流源的输出端耦接第一开关S1的第一端，所述第一开关S1的第二端分别耦接所述复用引脚和第一比较器U1的正相输入端，所述电源V1的正极耦接所述第一比较器U1的反相输入端，所述第一比较器U1的输出端耦接过温保护模块。作为本专利技术的一种实施方式，所述控制电路还包括第三电阻R3或/和第一二极管D1；所述第三电阻R3或/和第一二极管D1与热敏元件并联设置。作为本专利技术的一种实施方式，所述过温检测模块还包括计时器，所述第一比较器U1的输出端耦接计时器的第一端，所述计时器的第二端耦接过温保护模块。作为本专利技术的一种实施方式，所述芯片还包括过压/欠压检测模块和消磁检测模块；所述过压/欠压检测模块包括第一电容C1、第二开关S2和过压/欠压检测电路，所述第二开关S2的第一端耦接所述复用引脚，所述第二开关S2的第二端分别耦接所述第一电容C1的第一端和过压/欠压检测电路；所述消磁检测模块包括前沿消隐电路LEB和消磁检测电路，所述前沿消隐电路LEB的第一端耦接复用引脚，所述前沿消隐电路LEB的第二端耦接消磁检测电路。作为本专利技术的一种实施方式，所述过压/欠压检测电路用以将所述复用引脚的电压Vdem与设定过压OVP电压、欠压UVP电压比较，从而实现过压/欠压保护检测；所述消磁检测电路用以获取所述复用引脚的电压Vdem，在Vdem<0时，实现消磁检测功能。作为本专利技术的一种实施方式，所述第一开关S1、第二开关S2互补设置，即在第一开关S1断开时，第二开关S2闭合；在第一开关S1闭合时，第二开关S2断开；在第二开关S2导通、第一开关S1关断期间，所述芯片实现过压/欠压保护检测；在第一开关S1导通、第二开关S2关断期间，第一比较器U1的正相输入端由于电流源I0在复用引脚上产生一个电压增量dV，以实现过温保护检测。作为本专利技术的一种实施方式，所述第一开关S1每间隔若干个开关周期导通一次。根据本专利技术的另一个方面，采用如下技术方案：一种芯片，所述芯片包括一复用引脚；在第一状态下，所述芯片通过所述复用引脚耦接一热敏元件，从而判定电路系统的温度状态，实现芯片的过温保护检测；在第二状态下，所述芯片通过所述复用引脚耦接第一分压电阻、第二分压电阻，实现输出电压的过压保护检测、欠压保护检测及消磁检测中的至少一个；所述芯片包括过温检测模块，所述过温检测模块包括电流源、第一开关S1、第一比较器U1和电源V1；所述电流源的输出端耦接第一开关S1的第一端，所述第一开关S1的第二端分别耦接所述复用引脚和第一比较器U1的正相输入端，所述电源V1的正极耦接所述第一比较器U1的反相输入端，所述第一比较器U1的输出端耦接过温保护模块。作为本专利技术的一种实施方式，所述芯片还包括过压/欠压检测模块和消磁检测模块，所述过压/欠压检测模块包括第一电容C1、第二开关S2和过压/欠压检测电路，所述第二开关S2的第一端耦接所述复用引脚，所述第二开关S2的第二端分别耦接所述第一电容C1的第一端和过压/欠压检测电路；所述消磁检测模块包括前沿消隐电路LEB和消磁检测电路，所述前沿消隐电路LEB的第一端耦接复用引脚，所述前沿消隐电路LEB的第二端耦接消磁检测电路。作为本专利技术的一种实施方式，所述过压/欠压检测电路用以将所述复用引脚的电压Vdem与设定过压OVP电压、欠压UVP电压比较，从而实现过压/欠压保护检测；所述消磁检测电路用以获取所述复用引脚的电压Vdem，在Vdem<0时，实现消磁检测功能。作为本专利技术的一种实施方式，所述第一开关S1、第二开关S2互补设置，即在第一开关S1断开时，第二开关S2闭合；在第一开关S1闭合时，第二开关S2断开；在第二开关S2导通、第一开关S1关断期间，所述芯片实现过压OVP/UVP欠压保护检测；在第一开关S1导通、第二开关S2关断期间，第一比较器U1的正相输入端由于电流源I0在复用引脚上产生一个电压增量dV，以实现过温保护检测。本专利技术的有益效果在于：本专利技术提出的控制电路及芯片，通过将不同功能的脚位集成，可利用有限的引脚实现更多的功能；本专利技术可减少芯片脚位，避免芯片因脚位不足而导致功能不完善的问题。本专利技术的设计电路简洁可靠，集成了过温保护、过压/欠压保护以及消磁检测功能，功能完备，应用灵活度较大。附图说明图1为现有一控制芯片通过引脚进行过温保护OTP的电路示意图。图2为现有一控制芯片通过引脚进行过压保护/欠压保护及消磁检测的电路示意图。图3为本专利技术一实施例中控制电路的电路示意图。图4为本专利技术一实施例中芯片的电路示意图。图5为本专利技术一实施例中控制电路断续模式下的工作波形图。图6为本专利技术一实施例中控制电路连续模式下的工作波形图。图7为本专利技术一实施例中GATE信号、S1信号及S2信号的波形图。具体实施方式下面结合附图详细说明本专利技术的优选实施例。为了进一步理解本专利技术，下面结合实施例对本专利技术优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本专利技术的特征和优点，而不是对本专利技术权利要求的限制。该部分的描述只针对几个典型的实施例，本专利技术并不仅局限于实施例描述的范围。相同或相近的现有技术手段与实施例中的一些技术特征进行相互替换也在本专利技术描述和保护的范围内。说明书中的“耦接”或连接既包含直接连接，也包含间接连接，如通过一些有源器件、无源器件或电传导媒介进行的连接；还可包括本领域技术人员公知的在可实现相同或相似功能目的的基础上通过其他有源器件或无源器件的连接，如通过开关、跟随电路等电路或部件的连接。本专利技术揭示了一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种控制电路，其特征在于，所述控制电路包括芯片，所述芯片包括一复用引脚；所述复用引脚耦接热敏元件的第二端，所述热敏元件的第一端分别耦接第一分压电阻的第二端和第二分压电阻的第一端，所述第一分压电阻的第一端耦接辅助绕组；在第一状态下，所述芯片通过所述复用引脚耦接所述热敏元件，从而判定电路系统的温度状态，实现芯片的过温保护检测；在第二状态下，所述芯片通过所述复用引脚耦接第一分压电阻、第二分压电阻，实现输出电压的过压保护检测、欠压保护检测以及消磁检测中的至少一个。

【技术特征摘要】
1.一种控制电路，其特征在于，所述控制电路包括芯片，所述芯片包括一复用引脚；所述复用引脚耦接热敏元件的第二端，所述热敏元件的第一端分别耦接第一分压电阻的第二端和第二分压电阻的第一端，所述第一分压电阻的第一端耦接辅助绕组；在第一状态下，所述芯片通过所述复用引脚耦接所述热敏元件，从而判定电路系统的温度状态，实现芯片的过温保护检测；在第二状态下，所述芯片通过所述复用引脚耦接第一分压电阻、第二分压电阻，实现输出电压的过压保护检测、欠压保护检测以及消磁检测中的至少一个。2.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于：所述芯片包括过温检测模块，所述过温检测模块包括电流源、第一开关S1、第一比较器U1和电源V1；所述电流源的输出端耦接第一开关S1的第一端，所述第一开关S1的第二端分别耦接所述复用引脚和第一比较器U1的正相输入端，所述电源V1的正极耦接所述第一比较器U1的反相输入端，所述第一比较器U1的输出端耦接过温保护模块。3.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于：所述控制电路还包括第三电阻R3或/和第一二极管D1；所述第三电阻R3或/和第一二极管D1与热敏元件并联设置。4.根据权利要求2所述的控制电路，其特征在于：所述过温检测模块还包括计时器，所述第一比较器U1的输出端耦接计时器的第一端，所述计时器的第二端耦接过温保护模块。5.根据权利要求2所述的控制电路，其特征在于：所述芯片还包括过压/欠压检测模块和消磁检测模块；所述过压/欠压检测模块包括第一电容C1、第二开关S2和过压/欠压检测电路，所述第二开关S2的第一端耦接所述复用引脚，所述第二开关S2的第二端分别耦接所述第一电容C1的第一端和过压/欠压检测电路；所述消磁检测模块包括前沿消隐电路LEB和消磁检测电路，所述前沿消隐电路LEB的第一端耦接复用引脚，所述前沿消隐电路LEB的第二端耦接消磁检测电路。6.根据权利要求5所述的控制电路，其特征在于：所述过压/欠压检测电路用以将所述复用引脚的电压Vdem与设定过压OVP电压、欠压UVP电压比较，从而实现过压/欠压保护检测；所述消磁检测电路用以获取所述复用引脚的电压Vdem，在Vdem<0时，实现消磁检测功能。7.根据权利要求5所述的控制电路，其特征在于：所述第一开关S1、第二开关S2互补设置，即在第一开关S1断开时，第二开关S2闭合；在第一开关S1闭合时，第二开关S2断开；...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞秀峰，张波，蓝舟，
申请(专利权)人：杭州必易微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33