【技术实现步骤摘要】
一种光罩损伤修复方法
本专利技术涉及光刻
,尤其涉及一种光罩损伤修复方法。
技术介绍
光刻工艺是半导体领域和光电领域中用于制作细微电路的常规技术,其制程中需要使用到光罩(又称掩膜版)来对光线进行选择性地阻挡,以在光阻材料上形成所需的曝光图案和未曝图案,而未曝图案对应于衬底上的电路图案。当光刻设备通过光罩对光阻材料进行曝光时,光罩和涂覆光阻材料的衬底之间的距离极小,两者之间容易发生摩擦而导致光罩损伤,当光罩上出现划痕等损伤时,就需要对光罩进行修复。光罩包括外围区域和图案区域,图案区域设于外围区域中,图案区域里的遮光图案对应于未曝图案(即衬底上的电路图案);在对光罩进行修复时,往往仅对图案区域进行修复,忽略掉了对外围区域进行修复,而外围区域的损伤会影响到曝光时的对位精度,以及产品的外观和良率。
技术实现思路
为了解决上述现有技术的不足,本专利技术提供一种光罩损伤修复方法,可对光罩上的外围区域进行损伤修复。本专利技术所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现:一种光罩损伤修复方法,用于对光罩上的外围区域进行损伤修复,包括:在所述外围区域的损伤面上涂抹刻蚀研磨液;采用柔质研磨工具在涂抹了所述刻蚀研磨液的损伤面上进行摩擦;对所述光罩进行清洗,以形成修复后的光罩。进一步地,所述刻蚀研磨液包括刻蚀材料、研磨材料和溶剂,其中所述刻蚀材料和研磨材料之间的质量比在1.5:1-1:1.5之间。进一步地,所述刻蚀材料为刻蚀膏。进一步地,所述研磨材料由研磨颗粒、分散剂和辅助材料混合而成,所述研磨颗粒的粒度在W5-W0.5之间。进一步地,所述溶剂为水性溶剂或油性溶剂。进一步地,所述 ...
【技术保护点】
1.一种光罩损伤修复方法,用于对光罩上的外围区域进行损伤修复,其特征在于,包括:在所述外围区域的损伤面上涂抹刻蚀研磨液;采用柔质研磨工具在涂抹了所述刻蚀研磨液的损伤面上进行摩擦;对所述光罩进行清洗,以形成修复后的光罩。
【技术特征摘要】
1.一种光罩损伤修复方法,用于对光罩上的外围区域进行损伤修复,其特征在于,包括:在所述外围区域的损伤面上涂抹刻蚀研磨液;采用柔质研磨工具在涂抹了所述刻蚀研磨液的损伤面上进行摩擦;对所述光罩进行清洗,以形成修复后的光罩。2.根据权利要求1所述的光罩损伤修复方法,其特征在于,所述刻蚀研磨液包括刻蚀材料、研磨材料和溶剂,其中所述刻蚀材料和研磨材料之间的质量比在1.5:1-1:1.5之间。3.根据权利要求2所述的光罩损伤修复方法,其特征在于,所述刻蚀材料为刻蚀膏。4.根据权利要求2所述的光罩损伤修复方法,其特征在于,所述研磨材料由研磨颗粒、分散剂和辅助材料混合而成,所述研磨颗粒的粒度在W5-W0.5之间。5.根据权利要求2所述的光罩损伤修复方法,其特征在于,所述溶剂为水性溶剂或油性溶剂。6.根据权利要求2或5所...
【专利技术属性】
技术研发人员:李思拥,朱雁,曾一鑫,
申请(专利权)人:信利光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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