The invention provides a silicon-based OLED micro-display driver circuit which can improve the display quality of OLED micro-display devices and widely uses LDD structure in application scenarios, including OLED diodes, inverters, switches, storage capacitors, CMOS devices in inverters adopt LDD structure, and are connected with storage capacitors and OLED diodes.
【技术实现步骤摘要】
一种采用LDD结构的硅基OLED微显示器件驱动电路
本专利技术涉及OLED微显示器件驱动电路领域，尤其涉及到一种采用LDD结构的硅基OLED微显示器件驱动电路。
技术介绍
OLED显示器件以其轻薄响应速度快色彩丰富等优点成为业界内最受欢迎的显示技术，广泛应用于VR，智能手机，头盔显示器等领域由于微显示器件的尺寸极小，通常被限制在一英寸以下，其像素要求高达800╳600以上，所以像素驱动电路的存储电容一般也特别小，在发光期间受反相器关态漏电流的影响，电容两端的数据电压不易保持，影响显示效果。所以为了提高显示质量，减少反相器关态漏电流的影响成了我们首要解决的问题。
技术实现思路
为了克服上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种一种采用LDD结构的硅基OLED微显示器件驱动电路，该器件具有结构简单、成本低、显示质量较高等特点。本专利技术为解决技术问题所采取的技术方案为：一种采用LDD结构的硅基OLED微显示器件驱动电路，包括OLED二极管（1），组成开关的nmos管（2）和（3），组成反相器的pmos管（4）和nmos管（5），存储电容（6），其特征在于：组成反相器的的pmos管（4）和nmos管（5）采用LDD结构。与存储电容（6）和OLED二极管（1）相连。本专利技术的有益效果：通过LDD结构有效地减小了OLED微显示器件驱动电路中反相器mos管关态漏电流，提高了微显示器件的显示质量。附图说明下面结合附图对本专利技术作进一步说明。图1为本专利技术的结构示意图。图2为LDD的结构示意图。图中：1为OLED二极管，2和3为开关中的nmos管，4为反相器中的p...
【技术保护点】
1.一种采用LDD结构的硅基OLED微显示器件驱动电路，其特征在于：反相器中的CMOS器件采用LDD结构，与存储电容和OLED二极管相连。
【技术特征摘要】
1.一种采用LDD结构的硅基OLED微显示器件驱动电路，其特征在于：...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐莹，杨媚，刘祖刚，韦一，赵红，王玉龙，柏沁园，
申请(专利权)人：中国计量大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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