显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种显示装置，其技术课题为：当像素尺寸变小时，接触孔部相对于像素面积的面积比例变高且开口率变低，其中，接触孔部用于将像素电极与薄膜晶体管的漏电极连接起来。显示装置具有第一漏电极及第二漏电极、有机绝缘膜、形成在有机绝缘膜上的无机绝缘膜、形成在无机绝缘膜上的第一像素电极及第二像素电极。有机绝缘膜具有跨设于第一漏电极与第二漏电极的有机绝缘膜开口部。覆盖有机绝缘膜开口部的无机绝缘膜具有第一无机绝缘膜开口部及第二无机绝缘膜开口部。第一像素电极经由第一无机绝缘膜开口部而与第一漏电极连接。第二像素电极经由第二无机绝缘膜开口部而与第二漏电极连接。

display device

The invention relates to a display device, whose technical subject is: when the size of the pixel becomes smaller, the area ratio of the contact hole to the area of the pixel becomes higher and the opening ratio becomes lower, in which the contact hole is used to connect the pixel electrode with the leaky electrode of the thin film transistor. The display device has a first leak electrode and a second leak electrode, an organic insulating film, an inorganic insulating film formed on an organic insulating film, a first pixel electrode formed on an inorganic insulating film and a second pixel electrode. The organic insulating film has an opening part of the organic insulating film across the first leak electrode and the second leak electrode. The inorganic insulating film covering the opening part of the organic insulating film has the opening part of the first inorganic insulating film and the opening part of the second inorganic insulating film. The first pixel electrode is connected with the first drain electrode via the opening part of the first inorganic insulating film. The second pixel electrode is connected to the second leakage electrode via the opening part of the second inorganic insulating film.

【技术实现步骤摘要】
显示装置
本专利技术涉及显示装置，例如能够适用于具有将像素电极与源/漏电极连接起来的接触孔的显示装置。
技术介绍
近几年，在面向智能手机或平板电脑(tablet)的液晶显示装置中高分辨率化得到发展，液晶显示装置的像素尺寸被精细化，且400ppi(pixelsperinch:每英寸像素数)以上的面板被产品化，也开发着600ppi等级的液晶显示装置。作为与本专利技术相关的现有技术，存在日本特开2013-003200号公报或者与此对应的美国专利申请公开2012/0314169号说明书。现有技术文献专利文献专利文献1日本特开2013-003200号公报专利文献2美国专利申请公开2012/0314169号说明书
技术实现思路
当像素尺寸变小时，黑矩阵(覆盖栅极布线、信号布线、及用于将像素电极与薄膜晶体管(TFT)的漏电极连接起来的接触孔部等的遮光层)相对于像素面积的面积比例变高，开口率变低。因此，在高精细的液晶显示装置中，透射率变低，所以需要使背光源更明亮，功耗变大。此外，也存在将与像素电极连接的TFT的电极称为源电极的情况，但在本说明书中，称为漏电极。其它的课题与新的特征将从本专利技术的记述及附图得以明确。简单地说明本专利技术之中的代表性的概要如下。即，显示装置具有阵列基板和对置基板。上述阵列基板具有第一漏电极及第二漏电极、信号线、形成在上述信号线上的有机绝缘膜、形成在上述有机绝缘膜上的无机绝缘膜、形成在上述无机绝缘膜上的第一像素电极及第二像素电极。上述有机绝缘膜具有跨设于上述第一漏电极和上述第二漏电极的有机绝缘膜开口部。覆盖上述有机绝缘膜开口部的上述无机绝缘膜具有第一无机绝缘膜开口部及第二无机绝缘膜开口部。上述第一像素电极经由上述第一无机绝缘膜开口部而与上述第一漏电极连接。上述第二像素电极经由上述第二无机绝缘膜开口部而与上述第二漏电极连接。附图说明图1是用于说明比较例1涉及的显示装置的俯视图。图2是用于说明比较例1涉及的显示装置的剖视图。图3是用于说明实施方式涉及的显示装置的俯视图。图4是用于说明实施方式涉及的显示装置的剖视图。图5是用于说明实施例1涉及的显示装置的俯视图。图6是用于说明实施例1涉及的显示装置的剖视图。图7是用于说明实施例1涉及的显示装置的剖视图。图8是用于说明实施例1涉及的显示装置的俯视图。图9是用于说明实施例1涉及的显示装置的剖视图。图10是用于说明实施例2涉及的显示装置的俯视图。图11是用于说明比较例2涉及的显示装置的俯视图。图12是用于说明实施例2涉及的显示装置的俯视图。图13是用于说明实施例2涉及的显示装置的剖视图。附图标记说明1显示面板2驱动器IC3背光源10A阵列基板12-1、12-2、12-3、12-4信号线13-1、13-2、13-3漏电极14有机绝缘膜14C-1、14C-2、14C-3有机绝缘膜的开口部16无机绝缘膜16C-1、16C-2、16C-3无机绝缘膜的开口部18像素电极20A对置基板30液晶层40密封件50A、50B偏振片100显示装置GL1、GL2、GL3扫描线SL1、SL2、SL3、SL4、SL5、SL6、SL7、SL8、SL9信号线具体实施方式以下，参照附图说明实施方式、实施例及比较例。另外，本专利技术只不过是一个例子，在本领域技术人员中，关于具有专利技术的主旨的适当变更能够容易地想到的实施方式应当包含在本专利技术的范围中。另外，由于附图的作用是使说明更加明确，所以与实际的方式相比，存在关于各部分的宽度、厚度、形状等示意性地表示的情况，但只不过是一个例子，不限定本专利技术的解释。另外，在本说明书与各图中，关于出现过的图，对与上述相同的要素标注相同的附图标记，适当省略详细的说明。＜比较例1＞首先，使用图1及图2说明本申请专利技术者们所研究的技术(以下，称为比较例1。)。图1是表示比较例1涉及的显示装置的构成的俯视图，示出1个像素(3个副像素)的量。图2是图1的A-A′线的剖视图。比较例1涉及的显示装置100R具有信号线12-1、12-2、12-3、和漏电极13-1、13-2、13-3、和形成在信号线12-1、12-2、12-3及漏电极13-1、13-2、13-3之上的有机绝缘膜14。显示装置100R还具有形成在有机绝缘膜14的开口部(接触孔)14C-1、14C-2、14C-3及有机绝缘膜14之上的无机绝缘膜16、和形成在无机绝缘膜16的开口部(接触孔)16C-1、16C-2、16C-3及无机绝缘膜16之上的像素电极18-1、18-2、18-3。即，在显示装置100R中，按每个副像素设置有机绝缘膜的开口部，并使像素电极与漏电极连接。另外，由于有机绝缘膜作为平坦化膜发挥作用，所以与无机绝缘膜相比形成得厚。在该像素构造中，当像素尺寸微细化而像素尺寸变小时，需要有机绝缘膜的开口部也变小。但是，有机绝缘膜的最小开口宽度不能像无机绝缘膜的最小开口宽度那样小，且由于需要漏电极与有机绝缘膜的最小开口宽度相比增大而导致开口率变低，从而在高精细像素中像素布局变得困难。＜实施方式＞使用图3及图4说明实施方式涉及的显示装置。图3是表示实施方式涉及的显示装置的构成的俯视图。图4是图3的A-A′线的剖视图。实施方式涉及的显示装置100具有漏电极13-1、13-2、和形成在漏电极13-1、13-2之上的有机绝缘膜14、形成在有机绝缘膜14的开口部14C及有机绝缘膜14之上的无机绝缘膜16、和形成在无机绝缘膜16的开口部16C-1、16C-2及无机绝缘膜16之上的像素电极18-1、18-2。即，在显示装置100中，以跨设于多个副像素的方式设置有机绝缘膜的开口部，并使像素电极与漏电极连接。在该像素构造中，即使像素尺寸被微细化且像素尺寸变小，也不需要使有机绝缘膜的开口部缩小。漏电极的大小比无机绝缘膜的最小开口宽度大即可。漏电极的Y方向的宽度既可以比有机绝缘膜的开口部14C的Y方向的宽度宽，也可以比有机绝缘膜的开口部14C的Y方向的宽度窄。如上述，由于无机绝缘膜的最小开口宽度能够比有机绝缘膜的最小开口宽度小，所以能够缩小漏电极的大小。因此，能够增大开口率，另外即使为像素间距变小的高精细像素也能够进行像素布局。实施例1使用图5～图9说明实施例1涉及的显示装置。图5是实施例1涉及的显示装置的整体俯视图。图6是图5的A-A′线的剖视图。图7是用于说明实施例1涉及的显示装置的像素、扫描线及信号线的配置的俯视图。图8是表示图7的A的部分的像素接触的俯视图，示出1个像素(3个副像素)的量。图9是图8的A-A′线的剖视图。如图5及图6所示，实施例1涉及的显示装置100A具有显示面板1、驱动器IC2、背光源3。显示面板1具有阵列基板10A、对置基板20A、封入阵列基板10A与对置基板20A之间的液晶材料30。阵列基板10A与对置基板20A通过包围显示区域DA的环状的密封材料40粘接，液晶材料30密封在由阵列基板10A、对置基板20A、及密封材料40所包围的空间中。另外，在朝向阵列基板10A及对置基板20A的外侧的面，即与液晶材料30对置的面的背面分别设置有下偏振片50A及上偏振片50B。另外，显示区域DA由例如配置成矩阵状的多个像素的集合构成。阵列基板10A具有驱动由后述的沿Y方向延伸的信号线和沿X方向延伸的扫描线、像素电极，及未图示的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，具有阵列基板和对置基板，其特征在于，所述阵列基板具有第一漏电极、第二漏电极及第三漏电极、信号线、形成在所述信号线上的有机绝缘膜、形成在所述有机绝缘膜上的无机绝缘膜、和形成在所述无机绝缘膜上的第一像素电极、第二像素电极及第三像素电极，所述第一漏电极为第一副像素的TFT的电极，所述第二漏电极为与所述第一副像素相邻的第二副像素的TFT的电极，所述第二副像素和所述第一副像素在与所述信号线的延伸方向不同的方向上相邻，所述有机绝缘膜具有跨设于所述第一漏电极、所述第二漏电极和所述第三漏电极的有机绝缘膜开口部，覆盖所述有机绝缘膜开口部的所述无机绝缘膜具有第一无机绝缘膜开口部、第二无机绝缘膜开口部及第三无机绝缘膜开口部，所述第一像素电极经由所述第一无机绝缘膜开口部而与所述第一漏电极连接，所述第二像素电极经由所述第二无机绝缘膜开口部而与所述第二漏电极连接，所述第三像素电极经由所述第三无机绝缘膜开口部而与所述第三漏电极连接。

【技术特征摘要】
2014.11.19 JP 2014-2346891.一种显示装置，具有阵列基板和对置基板，其特征在于，所述阵列基板具有第一漏电极、第二漏电极及第三漏电极、信号线、形成在所述信号线上的有机绝缘膜、形成在所述有机绝缘膜上的无机绝缘膜、和形成在所述无机绝缘膜上的第一像素电极、第二像素电极及第三像素电极，所述第一漏电极为第一副像素的TFT的电极，所述第二漏电极为与所述第一副像素相邻的第二副像素的TFT的电极，所述第二副像素和所述第一副像素在与所述信号线的延伸方向不同的方向上相邻，所述有机绝缘膜具有跨设于所述第一漏电极、所述第二漏电极和所述第三漏电极的有机绝缘膜开口部，覆盖所述有机绝缘膜开口部的所述无机绝缘膜具有第一无机绝缘膜开口部、第二无机绝缘膜开口部及第三无机绝缘膜开口部，所述第一像素电极经由所述第一无机绝缘膜开口部而与所述第一漏电极连接，所述第二像素电极经由所述第二无机绝缘膜开口部而与所述第二漏电极连接，所述第三像素电极经由所述第三无机绝缘膜开口部而与所述第三漏电极连接。2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述信号线配置在所述第一漏电极与所述第二漏电极之间。3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一像素电极及第二像素电极分别以沿着所述信号线的延伸方向的方式从所述第一无机绝缘膜开口部及第二无机绝缘膜开口部沿相同方向延伸。4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第三漏电极为第三副像素的TFT的电极，所述第三漏电极为与所述第二副像素相邻的第三副像素的TFT的电极。5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述第三副像素和所述第二副像素在与所述信号线的延伸方向不同的方向上相邻。6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一漏电极及第二漏电极收纳在所述有机绝缘膜的开口部之中。7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还具有被所述阵列基...

【专利技术属性】
技术研发人员：冲田光隆，观田康克，日向野敏行，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：日本,JP