一种电光扫描的OSA制造技术

本发明专利技术公开一种电光扫描的OSA，包括依次设置的光纤准直器、walk‑off晶体、第一电光偏振器、标准具阵列、聚焦阵列和PD阵列，光纤准直器为单光纤准直器，walk‑off晶体将光线准直器发的光分为P偏振光和S偏振光，walk‑off晶体的出射端设有宽带波片，P偏振光和S偏振光经由第一电光偏振器偏振后，依次通过标准具阵列和聚焦阵列到达PD阵列。本发明专利技术采用一维或二维KTN制作电光偏转器，配和不同波段单模或多光纤头制作的光纤准直器1、Work‑off晶体、宽带波片3、一维或二维排布的超薄标准具和不同波段的PD构成宽带OSA制成快速的OSA。本发明专利技术具有更大范围的扫描角，可进行大规模光谱的快速扫描。

An Electro-optic Scanning OSA

【技术实现步骤摘要】
一种电光扫描的OSA
本专利技术涉及光纤通讯领域，尤其涉及一种电光扫描的OSA。
技术介绍
现有电光扫描的OSA,扫描带宽较小，对大规模光谱的扫描速度慢。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种电光扫描的OSA。本专利技术采用的技术方案是：一种电光扫描的OSA，其包括依次设置的光纤准直器、walk-off晶体、第一电光偏振器、标准具阵列、聚焦阵列和PD阵列，光纤准直器为单光纤准直器，walk-off晶体将光线准直器发的光分为P偏振光和S偏振光，walk-off晶体的出射端设有宽带波片，P偏振光和S偏振光经由第一电光偏振器偏振后，依次通过标准具阵列和聚焦阵列到达PD阵列。所述宽带波片为1/2波片。所标准具阵列、聚焦阵列和PD阵列呈一维排布。所述第一电光偏振器为KTN晶体，KTN晶体的两侧加设有电极。一种电光扫描的OSA，其包括依次设置的光纤准直器、walk-off晶体、第一电光偏振器、第二电光偏振器、标准具阵列、聚焦阵列和PD阵列，所述光纤准直器为多光纤准直器，walk-off晶体将光线准直器发的光分为P偏振光和S偏振光，walk-off晶体的出射端设有宽带波片，第一电光偏振器和第二电光偏振器的偏振方向不同，P偏振光和S偏振光经由第一电光偏振器和第二电光偏振器偏振后，依次通过标准具阵列和聚焦阵列到达PD阵列。多光纤准直器采用不同波段的单模或多模光纤制成。所述宽带波片为消色散波片。所述标准具阵列、聚焦阵列和PD阵列呈二维排布。第一电光偏振器、第二电光偏振器均为KTN晶体，KTN晶体的两侧加设有电极。第一电光偏振器和第二电光偏振器偏振方向相互垂直。本专利技术采用以上技术方案，采用一维或二维KTN制作电光偏转器，仿Egies的硅扫描标准具，配和不同波段单模或多光纤头制作的光纤准直器、Work-off晶体、宽带波片、一维或二维排布的超薄标准具和不同波段的PD构成宽带OSA制成快速的OSA。本专利技术的电光扫描的OSA尺寸小，具有更大范围的扫描角，可进行大规模光谱的快速扫描。附图说明以下结合附图和具体实施方式对本专利技术做进一步详细说明；图1为本专利技术一种电光扫描的OSA的实施例1的正视结构示意图；图2为本专利技术一种电光扫描的OSA的实施例1的俯视结构示意图；图3为本专利技术一种电光扫描的OSA的实施例2的结构示意图。具体实施方式实施例1：如图1或2所示，本专利技术公开了一种电光扫描的OSA其包括依次设置的光纤准直器1、walk-off晶体2、第一电光偏振器4、标准具阵列5、聚焦阵列6和PD阵列7，述光纤准直器1为单光纤准直器，walk-off晶体2将光线准直器发的光分为P偏振光和S偏振光，walk-off晶体2的出射端设有宽带波片3，P偏振光和S偏振光经由第一电光偏振器4偏振后，依次通过标准具阵列5和聚焦阵列6到达PD阵列7。所述宽带波片3为1/2波片。所标准具阵列5、聚焦阵列6和PD阵列7呈一维排布。所述第一电光偏振器4为KTN晶体，KTN晶体的两侧加设有电极。实施例2：如图3所示，本专利技术还公开了一种电光扫描的OSA，其包括依次设置的光纤准直器1、walk-off晶体2、第一电光偏振器4、第二电光偏振器8、标准具阵列5、聚焦阵列6和PD阵列7，所述光纤准直器1为多光纤准直器，walk-off晶体2将光线准直器发的光分为P偏振光和S偏振光，walk-off晶体2的出射端设有宽带波片3，第一电光偏振器4和第二电光偏振器8的偏振方向不同，P偏振光和S偏振光经由第一电光偏振器4和第二电光偏振器8偏振后，依次通过标准具阵列5和聚焦阵列6到达PD阵列7。多光纤准直器1采用不同波段的单模或多模光纤制成。所述宽带波片3为消色散波片。所述标准具阵列5、聚焦阵列6和PD阵列7呈二维排布。第一电光偏振器4、第二电光偏振器8均为KTN晶体，KTN晶体的两侧加设有电极。第一电光偏振器4和第二电光偏振器8偏振方向相互垂直。本专利技术采用以上技术方案，采用一维或二维KTN制作电光偏转器，仿Egies的硅扫描标准具，配和不同波段单模或多光纤头制作的光纤准直器1、Work-off晶体、宽带波片3、一维或二维排布的超薄标准具和不同波段的PD构成宽带OSA制成快速的OSA。本专利技术的电光扫描的OSA尺寸小，具有更大范围的扫描角，可进行大规模光谱的快速扫描。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电光扫描的OSA，其特征在于：其包括依次设置的光纤准直器、walk‑off晶体、第一电光偏振器、标准具阵列、聚焦阵列和PD阵列，光纤准直器为单光纤准直器，walk‑off晶体将光线准直器发的光分为P偏振光和S偏振光，walk‑off晶体的出射端设有宽带波片，P偏振光和S偏振光经由第一电光偏振器偏振后，依次通过标准具阵列和聚焦阵列到达PD阵列。

【技术特征摘要】
1.一种电光扫描的OSA，其特征在于：其包括依次设置的光纤准直器、walk-off晶体、第一电光偏振器、标准具阵列、聚焦阵列和PD阵列，光纤准直器为单光纤准直器，walk-off晶体将光线准直器发的光分为P偏振光和S偏振光，walk-off晶体的出射端设有宽带波片，P偏振光和S偏振光经由第一电光偏振器偏振后，依次通过标准具阵列和聚焦阵列到达PD阵列。2.根据权利要求1所述的一种电光扫描的OSA，其特征在于：所述宽带波片为1/2波片。3.根据权利要求1所述的一种电光扫描的OSA，其特征在于：所述准具阵列、聚焦阵列和PD阵列呈一维排布。4.根据权利要求1所述的一种电光扫描的OSA，其特征在于：所述第一电光偏振器为KTN晶体，KTN晶体的两侧加设有电极。5.一种电光扫描的OSA，其包括依次设置的光纤准直器、walk-off晶体、第一电光偏振器、第二电光偏振器、标准具阵列、聚焦阵列和PD阵列，所述光纤准直器...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴砺，胡豪成，林江铭，李阳，
申请(专利权)人：福州高意通讯有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35