【技术实现步骤摘要】
一种电池充电电路及电池充电方法
本专利技术涉及充电电路领域,特别涉及一种电池充电电路及电池充电方法。
技术介绍
现有的电池(如镍氢、镍镉、锂电池)产品越来越普及,因为这些电池设备需要进行充电,所以在输入端往往都会使用二极管进行隔离,一个作用是防止充电器输入接反时烧毁后端的整个电路,另一个作用是隔离后端电池反向的电压,从而可靠的进行是否插着充电器的判断。然而二极管的导通压降较大,而且随着电流的上升,根据二极管的伏安特性曲线,压降会进一步上升,电流损耗大且发热严重;在电池的快充领域,二极管的应用极大的限制充电电流的增加。
技术实现思路
为解决上述现有技术中提到的不足,本专利技术提供一种电池充电电路及电池充电方法,以提高电池的充电效率;为实现上述目的,本专利技术提供一种电池充电电路,包括正输入端、负输入端、MOS管Q1、控制器和电池;所述MOS管Q1串接在所述正输入端与电池的正极之间,所述MOS管Q1受控于所述控制器;所述正输入端与所述负输入端之间还设有输入电压检测电路和适配器正向接入检测电路;所述输入电压检测电路用于检测所述正输入端与所述负输入端之间的电压并反馈给所述控制器;所述适配器正向接入检测电路包括电阻R13、电阻R15和三极管T1;所述三极管T1为NPN型三极管;所述电阻R13和电阻R15串联连接后串接在所述正输入端与所述负输入端之间;所述三极管T1的基极连接至所述电阻R13和电阻R15的公共端,所述三极管T1的发射极连接至负输入端,所述三极管T1的集电极为适配器正向接入检测端,所述控制器与所述适配器正向接入检测端相连接。进一步地,所述输入电压检测电路包括 ...
【技术保护点】
1.一种电池充电电路,其特征在于:包括正输入端、负输入端、MOS管Q1、控制器和电池;所述MOS管Q1串接在所述正输入端与电池的正极之间,所述MOS管Q1受控于所述控制器;所述正输入端与所述负输入端之间还设有输入电压检测电路和适配器正向接入检测电路;所述输入电压检测电路用于检测所述正输入端与所述负输入端之间的电压并反馈给所述控制器;所述适配器正向接入检测电路包括电阻R13、电阻R15和三极管T1;所述三极管T1为NPN型三极管;所述电阻R13和电阻R15串联连接后串接在所述正输入端与所述负输入端之间;所述三极管T1的基极连接至所述电阻R13和电阻R15的公共端,所述三极管T1的发射极连接至负输入端,所述三极管T1的集电极为适配器正向接入检测端,所述控制器与所述适配器正向接入检测端相连接。
【技术特征摘要】
1.一种电池充电电路,其特征在于:包括正输入端、负输入端、MOS管Q1、控制器和电池;所述MOS管Q1串接在所述正输入端与电池的正极之间,所述MOS管Q1受控于所述控制器;所述正输入端与所述负输入端之间还设有输入电压检测电路和适配器正向接入检测电路;所述输入电压检测电路用于检测所述正输入端与所述负输入端之间的电压并反馈给所述控制器;所述适配器正向接入检测电路包括电阻R13、电阻R15和三极管T1;所述三极管T1为NPN型三极管;所述电阻R13和电阻R15串联连接后串接在所述正输入端与所述负输入端之间;所述三极管T1的基极连接至所述电阻R13和电阻R15的公共端,所述三极管T1的发射极连接至负输入端,所述三极管T1的集电极为适配器正向接入检测端,所述控制器与所述适配器正向接入检测端相连接。2.根据权利要求1所述的一种电池充电电路,其特征在于:所述输入电压检测电路包括电阻R7、电阻R8、电阻R1和电容C1,所述电阻R7和电阻R8串联连接后串接在所述正输入端与所述负输入端之间;所述电阻R1的一端连接至所述电阻R7与所述电阻R8的公共端,所述电阻R1的另一端通过电容C1连接至所述负输入端;所述电阻R1与所述电容C1的公共端为输入电压检测端,所述控制器与所述输入电压检测端相连接。3.根据权利要求1所述的一种电池充电电路,其特征在于:所述控制器通过MOS管Q1驱动电路控制MOS管Q1工作;所述MOS管Q1驱动电路包括电阻R11、电阻R16、电阻R17和三极管T2;所述电阻R17的一端连接至所述三极管T2的集电极,所述电阻R17的另一端分为两路,一路连接至所述MOS管Q1的栅极,另一路通过电阻R11连接至所述MOS管Q1的源极;所述三极管T2的基极通过电阻R16连接至控制器,所述三极管T2的发射极连接至所述负输入端。4.根据权利要求1所述的一种电池充电电路,其特征在于:还包括充电电流控制电路,所述充电电流控制电路包括MOS管Q2、三极管T3和三极管T4;所述MOS管Q2串接在所述MOS管Q1的源极与所述电池的正极之间,其中所述MOS管Q2的漏极与所述电池的正极相连接;所述三极管T3、三极管T4的基极均与所述控制器相连接;所述三极管T3、三极管T4的发射极均通过电阻R22与所述MOS管的栅极相连接;所述三极管T3的集电极与所述MOS管Q1的源极相连接;所述三极管T3...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘双春,刘家斌,魏肃,柴智,黄志强,刘全喜,
申请(专利权)人:厦门芯阳科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:福建,35
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