The invention discloses a centralized attenuator and a folded waveguide traveling wave tube including the attenuator. The centralized attenuator consists of a wedge structure whose thickness gradually changes along the length direction, and a groove which extends a certain length from the first side along the length direction in the wedge structure, in which the thickness of the first side of the wedge structure is less than that of the second side. By setting grooves in wedge-shaped attenuator, the interference of wedge-shaped attenuator to electromagnetic wave is avoided. The groove extends along the length direction of the wedge structure, expands the distribution of electromagnetic wave on the centralized attenuator, which is conducive to dispersing the energy of electromagnetic wave, making it better forward transmission, and then gradually absorbed, reducing the disturbance to electromagnetic wave, effectively reducing the reflection coefficient of attenuator in the full frequency band, especially in the low frequency band. According to the attenuator according to the present invention, the groove structure is simple and easy to realize in the attenuation ceramics.
【技术实现步骤摘要】
一种集中衰减器及包括该衰减器的折叠波导行波管
本专利技术涉及微波真空电子
更具体地,涉及一种集中衰减器及包括该衰减器的行波管。
技术介绍
行波管是一种将输入的微波信号进行放大的电真空器件,具有大功率和高增益的特点,已广泛用于电子对抗、雷达系统和无线通讯领域。折叠波导行波管由于其慢波结构具有全金属结构、色散较平坦、高频损耗小、功率容量大等特点,已成为100GHz以上频段具有应用前景的微波电真空器件之一。行波管这种高增益放大器件,通常在电子与波相互作用时,容易产生自激振荡,破坏行波管的正常工作。为了提高行波管的工作稳定性,抑制自激振荡,必须在管内加入衰减器,以切断反馈通道,使得正常的输入信号得到放大。集中衰减器是指一种含有吸收微波的材料,并将其加工成某种形状的产品,得到微波吸收体。已知的微波吸收材料包括衰减陶瓷,例如渗碳的氧化铍陶瓷、氮化铝衰减陶瓷等。行波管对集中衰减器的基本要求是在给定的频率范围内,具有足够的衰减量,还要求其反射系数尽可能小,例如一般希望小于0.1。目前已知的用于折叠波导行波管的集中衰减器通常为楔形结构,见图1A和图1B,所述集中衰减器结构采用楔形渐变过渡减轻集中衰减器对电磁波的扰动,减小反射。但是现有技术中的集中衰减器结构在低频端的反射系数比较高,使行波管仍存在自激振荡的风险。利用HFSS三维电磁仿真软件对如图1A和图1B所示的集中衰减器结构进行仿真,图2显示其在低频端例如80GHz-92GHz频率范围内反射系数达到0.1以上。较大的反射系数意味着行波管自激振荡的风险高。因此,为了克服现有技术存在的缺陷,需要提供一种具有更小的反射系 ...
【技术保护点】
1.一种集中衰减器,其特征在于,所述集中衰减器包括厚度沿长度方向渐变的楔形结构,以及形成在楔形结构中自第一侧沿长度方向延伸一定长度的凹槽,其中楔形结构第一侧的厚度小于第二侧的厚度。
【技术特征摘要】
1.一种集中衰减器,其特征在于,所述集中衰减器包括厚度沿长度方向渐变的楔形结构,以及形成在楔形结构中自第一侧沿长度方向延伸一定长度的凹槽,其中楔形结构第一侧的厚度小于第二侧的厚度。2.根据权利要求1中所述的集中衰减器,其特征在于,所述凹槽为通槽。3.根据权利要求2中所述的集中衰减器,其特征在于,所述凹槽为矩形凹槽。4.根据权利要求1所述的集中衰减器,其特征在于,所述凹槽的长度小于衰减器的长度。5....
【专利技术属性】
技术研发人员:字张雄,谢青梅,刘世硕,李诗婧,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第十二研究所,
类型:发明
国别省市:北京,11
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