提高光片上缺陷到图形层定位精确度的方法技术

本发明专利技术公开了一种提高光片上缺陷到图形层定位精确度的方法，根据电子束扫描观察缺陷结果给硅片添加最小的重复的完整单元信息，再根据最小的重复的完整单元原始的完整单元原点的设置，重新给每个缺陷一个坐标，以此来提高到后续有图形层硅片晶圆的定位。本发明专利技术能自动添加最小的重复的完整单元信息，提高裸晶圆到后面有图形层中缺陷定位的精确度。

A Method of Improving the Accuracy of Defect Location from Optical Plate to Graphic Layer

The invention discloses a method for improving the positioning accuracy of defects on the optical sheet to the graphic layer. According to the results of electron beam scanning observation, the silicon wafer is added with the minimum repetitive complete unit information, and then according to the original complete unit origin of the smallest repetitive complete unit, a coordinate of each defect is given again, so as to improve the positioning of the subsequent silicon wafer with the graphic layer. \u3002 The invention can automatically add the smallest duplicate complete unit information, and improve the accuracy of defect location from the bare wafer to the graphic layer behind.

【技术实现步骤摘要】
提高光片上缺陷到图形层定位精确度的方法
本专利技术涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种提高光片上缺陷到图形层定位精确度的方法。
技术介绍
在大型集成电路晶圆生产过程中，需要适时检测不同工艺过程中产生的缺陷问题，常用的手段是通过亮场和暗场扫描，裸晶圆在亮场或者暗场扫描结束后，由于当层没有图形，将整片硅片作为一个最小的重复的完整单元。电子束扫描观察缺陷时，根据硅片用来标记的刻痕和晶边进行硅片对准，而正常图形层的硅片晶圆有最小的重复的完整单元信息。电子束扫描观察缺陷时，根据硅片中十字标志进行定位，两种定位系统存在一定的位移偏差，因此光片上的缺陷到后续有图形层硅片晶圆定点电子束扫描观察缺陷存在定位不准的问题，导致小尺寸的缺陷没法精确判断，对后续图形成影响。严重影响缺陷对晶圆良率的影响因子的评估。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种提高光片上缺陷到图形层定位精确度的方法，能自动添加最小的重复的完整单元信息，提高裸晶圆到后面有图形层缺陷定位的精确度。为解决上述技术问题，本专利技术的提高光片上缺陷到图形层定位精确度的方法，是采用如下技术方案实现的：根据电子束扫描观察缺陷结果，给硅片添加最小的重复的完整单元信息，再根据最小的重复的完整单元原始的完整单元原点的设置，重新给每个缺陷一个坐标，以此来提高到后续有图形层硅片晶圆的定位。采用本专利技术的方法，通过电子束扫描观察缺陷结果自动添加最小的重复的完整单元信息，来提高光片缺陷到有图形层硅片晶圆缺陷定位的精确度,直观的了解该缺陷到后面图形层的演变过程,提前预知其对良率的影响因子。同时如果没有裸晶圆的扫描数据,直接在图形层扫描到此类缺陷也能精确判断缺陷产生的源头,直接锁定问题机台,减少此类缺陷的晶圆数目,及时对问题机台进行排查,提高产品的良率。对于在研发阶段的产品,通过本专利技术的方法,能预知各种裸晶圆上缺陷对产品良率的影响,估算良率损失,第一时间发现缺陷,检查机台或者工艺过程,并针对问题对机台及工艺进行有效的措施,加快研发进程。附图说明下面结合附图与具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明：图1是裸晶圆原始坐标；图2是裸晶圆重新定义后的坐标。具体实施方式所述提高光片上缺陷到图形层定位精确度的方法，其原理为，根据电子束扫描观察缺陷结果给硅片添加最小的重复的完整单元信息，再根据最小的重复的完整单元原始的完整单元原点的设置，重新给每个缺陷一个坐标，以此来提高到后续有图形层硅片晶圆的定位。具体方法如下：裸晶圆在亮场或者暗场扫描结束后，由于硅片表面没有图形，按整片硅片作为一个最小的重复的完整单元，给每个缺陷定义一个坐标位置，如图1和表1所示，电子束扫描观察缺陷时，根据硅片用来标记的刻痕和晶边进行硅片对准，再进行电子束扫描观察缺陷。表1，裸晶圆原始坐标电子束扫描观察缺陷结束时，根据电子束扫描观察到的最小尺寸的缺陷作为DIEX(0),DIEY(0)的原点，将12寸(300mm)硅片按X,Y方向平分成1000等分，每个最小的重复的完整单元X或者Y方向尺寸＝300000/1000＝300μm。系统自动计算其他缺陷相对于(0,0)最小的重复的完整单元的最小的重复的完整单元位置和在最小的重复的完整单元里面的坐标，如图2和表2所示，表2中第四列到第七列的计算公式如图2所示。表2、裸晶圆重新定义后的坐标。将表2中的缺陷的最小的重复的完整单元的坐标信息导入到原始文件中，后续需要到有图形层硅片晶圆定点电子束扫描观察缺陷时，自动调取该文件进行定位。图1、2的数字①～⑩表示每个缺陷的代码，小圆点代表的是晶圆上的缺陷，坐标原点就是(0,0)点。图2中黑色的虚线框代表根据新的坐标系定义的一个最小的完整的重复单元。表1、2中，defectID表示缺陷编号、XREL表示在图1坐标系下缺陷在晶圆上实际的X轴方向的坐标、YREL表示在图1坐标系下缺陷在晶圆上实际的Y轴方向的坐标、Xwafer表示在图1坐标系下缺陷在晶圆上实际的X轴方向的坐标、Ywafer表示在图1坐标系下缺陷在晶圆上实际的Y轴方向的坐标、Xdie表示在图2坐标系划分下缺陷在晶圆上最小单元中X轴方向的坐标、Ydie表示在图2坐标系划分下缺陷在晶圆上最小单元中Y轴方向的坐标、DIEX为最小的完整的重复单元X轴方向数量、DIEY为最小的完整的重复单元Y轴方向数量。以上通过具体实施方式对本专利技术进行了详细的说明，但这些并非构成对本专利技术的限制。在不脱离本专利技术原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高光片上缺陷到图形层定位精确度的方法，其特征在于：根据电子束扫描观察缺陷结果给硅片添加最小的重复的完整单元信息，再根据最小的重复的完整单元原始的完整单元原点的设置，重新给每个缺陷一个坐标，以此来提高到后续有图形层硅片晶圆的定位。

【技术特征摘要】
1.一种提高光片上缺陷到图形层定位精确度的方法，其特征在于：根据电子束扫描观察缺陷结果给硅片添加最小的重复的完整单元信息，再根据最小的重复的完整单元原始的完整单元原点的设置，重新给每个缺陷一个坐标，以此来提高到后续有图形层硅片晶圆的定位。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，具体步骤如下：步骤1、裸晶圆在亮场或者暗场扫描结束后,按整片硅片作为一个最小的重复的完整单元，给每个缺陷定义一个坐标位置，电子束扫描观察缺陷时,根据硅片用来标记的刻痕和晶边进行硅片对准，再进行电子束扫描得到缺陷的形貌；步骤2、电子束扫描观察缺陷结束时，根据电子束扫描观察到的最小缺陷尺...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈萍，郭浩，倪祺梁，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31