显示面板用基板的制造方法技术

一种显示面板用基板的制造方法，抑制对半导体膜和透明电极膜中的一个膜进行的蚀刻处理、退火处理给另一个膜带来不良影响的事态。其特征在于，具备：像素电极形成工序，在覆盖栅极电极(34)的栅极绝缘膜(38)上形成包括透明电极膜的像素电极(33)；半导体膜形成工序，在像素电极形成工序之后进行，在栅极绝缘膜(38)上以一部分覆盖像素电极(33)的形式形成半导体膜(42)；退火处理工序，在半导体膜形成工序之后进行，对半导体膜(42)进行退火处理；以及蚀刻工序，在退火处理工序之后进行，通过对半导体膜(42)进行蚀刻，将与栅极电极(34)重叠的沟道部(37)形成在与像素电极(33)同一层。

Manufacturing Method of Substrate for Display Panel

A method of manufacturing a substrate for display panel restrains the adverse effect of etching and annealing on one film of semiconductor film and transparent electrode film on another film. The device is characterized in that: a pixel electrode forming process, a pixel electrode (33) comprising a transparent electrode film is formed on a barrier insulating film (38) covering the gate electrode (34); a semiconductor film forming process is carried out after the pixel electrode forming process, and a semiconductor film (42) is formed on the grid insulating film (38) in the form of a part of the pixel electrode (33); and an annealing process is carried out on the semiconductor. After the film forming process, the semiconductor film (42) is annealed, and the etching process is carried out after the annealing process. By etching the semiconductor film (42), the channel (37) overlapping the gate electrode (34) is formed on the same layer as the pixel electrode (33).

【技术实现步骤摘要】
显示面板用基板的制造方法
本专利技术涉及显示面板用基板的制造方法。
技术介绍
以往，作为显示装置所使用的显示面板用基板的一个例子，已知下述专利文献1所记载的显示面板用基板。在专利文献1所记载的显示面板用基板中，在透明基板上按顺序层叠有栅极配线、栅极绝缘膜、半导体膜(沟道部)、源极用导电膜(和漏极用导电膜)、绝缘膜以及透明电极膜(像素电极)。现有技术文献专利文献专利文献1：特开2011-151194号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题在上述构成中，半导体膜经由漏极用导电膜与透明电极膜连接。绝缘膜介于透明电极膜与漏极用导电膜之间。因此，要想连接透明电极膜与漏极用导电膜，需要在绝缘膜形成接触孔。如果将透明电极膜和半导体膜配置在同一层，则无需形成上述的接触孔，因此能够削减工时。然而，在将透明电极膜和半导体膜配置在同一层的构成中，担心会发生对其中一个膜实施的蚀刻处理、退火处理给另一个膜带来不良影响的事态。本专利技术是基于上述这样的情况而完成的，其目的在于，在将半导体膜和透明电极膜配置在同一层的情况下，抑制对半导体膜和透明电极膜中的一个膜进行的蚀刻处理、退火处理给另一个膜带来不良影响的事态。用于解决问题的方案为了解决上述问题，本专利技术的显示面板用基板的制造方法的特征在于，具备：像素电极形成工序，在覆盖栅极电极的栅极绝缘膜上形成包括透明电极膜的像素电极；半导体膜形成工序，上述半导体膜形成工序在上述像素电极形成工序之后进行，在上述栅极绝缘膜上以一部分覆盖上述像素电极的形式形成半导体膜；退火处理工序，上述退火处理工序在上述半导体膜形成工序之后进行，对上述半导体膜进行退火处理；以及蚀刻工序，上述蚀刻工序在上述退火处理工序之后进行，通过对上述半导体膜进行蚀刻，将与上述栅极电极重叠的沟道部形成在与上述像素电极同一层。通过将沟道部(半导体膜)和像素电极(透明电极膜)配置在同一层，无需使用接触孔就能够连接沟道部与像素电极，能够削减形成接触孔的工时。在退火处理工序中，通过对半导体膜进行退火处理，能够实现半导体膜的稳定化。在此，在退火处理工序中，像素电极被半导体膜覆盖。从而，能够抑制氧被提供给像素电极的事态，能够抑制像素电极的白浊化、粉化。另外，在退火处理工序中，像素电极与半导体膜一起被加热，仅像素电极结晶化。因此，在蚀刻工序中，能够抑制在对半导体膜进行蚀刻时像素电极被蚀刻的事态。另外，能够在退火处理工序中加热像素电极，因此，无需另外进行用于使像素电极结晶化的加热处理，能够削减工时。由此，在将半导体膜(沟道部)和透明电极膜(像素电极)配置在同一层的情况下，能够抑制对半导体膜和透明电极膜中的一个膜进行的处理给另一个膜带来不良影响的事态。专利技术效果根据本专利技术，在将半导体膜和透明电极膜配置在同一层的情况下，能够抑制对半导体膜和透明电极膜中的一个膜进行的蚀刻处理、退火处理给另一个膜带来不良影响的事态。附图说明图1是以沿着长边方向(Y轴方向)的切断线将本专利技术的一实施方式的液晶显示装置切断的截面图。图2是示出阵列基板的截面图。图3是示出像素电极形成工序的截面图。图4是示出半导体膜形成工序的截面图。图5是示出抗蚀剂形成工序的截面图。图6是示出蚀刻工序的截面图。附图标记说明30…阵列基板(显示面板用基板)，33…像素电极，34…栅极电极，36…漏极电极，37…沟道部，38…栅极绝缘膜，41…漏极配线，42…半导体膜。具体实施方式通过图1至图6来说明本专利技术的一实施方式。如图1所示，液晶显示装置10具备：液晶面板11(显示面板)；驱动器17(面板驱动部)，其驱动液晶面板11；控制电路基板12(外部的信号提供源)，其向驱动器17提供各种输入信号；柔性基板13(外部连接部件)，其将液晶面板11与外部的控制电路基板12电连接；以及背光源装置14(照明装置)，其是向液晶面板11提供光的外部光源。如图1所示，背光源装置14具备：底座18，其呈朝向表侧(液晶面板11侧)开口的大致箱形；未图示的光源(例如冷阴极管、LED、有机EL等)，其配置在底座18内；以及未图示的光学构件，其以覆盖底座18的开口部的形式配置。光学构件具有将从光源发出的光转换为面状等功能。另外，如图1所示，液晶显示装置10具备表里一对的外装构件15、16，外装构件15、16用于收纳并保持相互组装后的液晶面板11和背光源装置14，其中，在表侧的外装构件15上形成有开口部19，开口部19用于从外部视觉识别显示于液晶面板11的显示区域A1的图像。本实施方式的液晶显示装置10例如用于便携电话(包含智能手机等)、笔记本电脑(包含平板型笔记本电脑等)、可穿戴终端(包含智能手表等)、便携式信息终端(包含电子书、PDA等)、便携式游戏机、数码相框等各种电子设备(未图示)。如图1所示，液晶面板11具备：一对基板21、30，其配置成相对状；液晶层23(介质层)，其配置在一对基板21、30之间，包含液晶分子，上述液晶分子是光学特性随着电场的施加而发生变化的物质；以及密封构件24，其配置在一对基板21、30之间并且包围液晶层23，从而密封液晶层23。一对基板21、30中的表侧(正面侧、图1的上侧)的基板被设为CF基板21(相对基板)，里侧(背面侧)的基板被设为阵列基板30(有源矩阵基板、元件侧基板)。此外，液晶层23中包含的液晶分子例如设为水平取向，但不限于此。另外，在两基板21、30的外面侧分别贴附有未图示的偏振板。通过在玻璃基板(未图示)的内面侧(液晶层23侧)层叠彩色滤光片、外覆膜、取向膜(均未图示)来构成CF基板21。彩色滤光片具备排列成矩阵状的R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)三色的着色部(未图示)。各着色部与阵列基板30的各像素相对配置。如图2所示，阵列基板30(显示面板用基板)是通过光刻法在玻璃基板31的内面侧层叠形成各种膜而成的。在显示区域A1中，在阵列基板30的内面侧(液晶层23侧、图2的上侧)，作为开关元件的TFT32(ThinFilmTransistor；薄膜晶体管：显示元件)和像素电极33按矩阵状排列设置有多个。在TFT32和像素电极33的周围，未图示的栅极配线与源极配线以呈格子状的形式配置。TFT32具有栅极电极34、源极电极35、漏极电极36以及沟道部37。栅极电极34与栅极配线连接，源极电极35与源极配线连接。沟道部37以与栅极电极34重叠的形式配置，栅极绝缘膜38介于沟道部37与栅极电极34之间。沟道部37以将源极电极35与漏极电极36相连的形式配置，像素电极33配置在与沟道部37同一层(栅极绝缘膜38上)。基于分别向栅极配线和源极配线提供的各种信号来驱动TFT32，随着TFT32被驱动，对像素电极33的电位提供受到控制。此外，栅极电极34、源极电极35以及漏极电极36例如由钛(Ti)与铜(Cu)的层叠膜构成，但不限于此。在阵列基板30中，在像素电极33的表侧设置有共用电极39。层间绝缘膜40介于像素电极33与共用电极39之间。栅极绝缘膜38、层间绝缘膜40例如由二氧化硅(SiO2)与氮化硅(SiNx)的层叠膜构成，但不限于此。另外，在共用电极39，例如形成有多条狭缝(未图示)。当随着像素电极33被充电而在相互重叠的像素电极33与共用电极39之间产生了电位差时，会在共用电极39的狭缝开口缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板用基板的制造方法，其特征在于，具备：像素电极形成工序，在覆盖栅极电极的栅极绝缘膜上形成包括透明电极膜的像素电极；半导体膜形成工序，上述半导体膜形成工序在上述像素电极形成工序之后进行，在上述栅极绝缘膜上以一部分覆盖上述像素电极的形式形成半导体膜；退火处理工序，上述退火处理工序在上述半导体膜形成工序之后进行，对上述半导体膜进行退火处理；以及蚀刻工序，上述蚀刻工序在上述退火处理工序之后进行，通过对上述半导体膜进行蚀刻，将与上述栅极电极重叠的沟道部形成在与上述像素电极同一层。

【技术特征摘要】
2017.09.13 JP 2017-1753711.一种显示面板用基板的制造方法，其特征在于，具备：像素电极形成工序，在覆盖栅极电极的栅极绝缘膜上形成包括透明电极膜的像素电极；半导体膜形成工序，上述半导体膜形成工序在上述像素电极形成工序之后进行，在上述栅极绝缘膜上以一部分覆盖上述像素电极的形式形成半导体膜；退火处理工序，上述退火处理工序在上述半导体膜形成工序之后进行，对上述半导体膜进行退火处理；以及蚀刻工序，上述蚀刻工序在上述退火处理工序之后进行，通过对上述半导体膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：原义仁，大东彻，今井元，前田昌纪，北川英树，伊藤俊克，川崎达也，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP