The invention discloses a method for preparing raw materials of quantum dot luminescent layer and a light-emitting device applying the method, aiming at solving the problems affecting the photoelectric effect of devices such as unbalanced carrier injection in existing QLED devices. The technical scheme essentials are as follows: 1. Selecting the nuclei of quantum dots, which include II_V compound semiconductor, III_V compound semiconductor and IV_VI group semiconductor. One or more of compound semiconductors; two, determine the shell of quantum dots that need to be generated, which includes one or more of ZnS, ZnSe, CdS, CdSe, CdZnS, CdZnSe and CdZnSeS; three, configure quantum dots and nanoparticles by one-pot synthesis method, and prepare quantum dots by one-pot synthesis method according to the core selected in step one and the shell determined in step two, according to the one-pot synthesis method of quantum dots and nanoparticles. Luminescent Layer Raw Materials. The preparation method of the raw material of the quantum dot light emitting layer and the light emitting device using the method can improve the problems of unbalanced carrier injection and high leakage current of the QLED device, so as to enhance the photoelectric effect.
【技术实现步骤摘要】
量子点发光层原料制备方法以及应用该方法的发光器件
本专利技术涉及光电元件领域,更具体地说,它涉及一种量子点发光层原料制备方法以及应用该方法的发光器件。
技术介绍
基于荧光半导体量子点的发光二极管(Quantumdotlight-emittingdiode,QLED)因为具有制备工艺简单、寿命长、色纯度高、色温适中、稳定性好等优点,在下一代照明和平板显示领域有着巨大的应用前景。目前,在广大科研工作者不懈的研究下,无论是量子点材料还是量子点发光二极管的各项性能参数都得到了极大的提升。但是目前QLED仍存在很多需要解决的问题,尤其是电子和空穴注入的不平衡,对QLED器件寿命和发光效率等影响重大;同时,发光层中量子点之间的相互作用也会在很大程度上影响QLED的光电特性。现有的做法有:1、引入超薄绝缘层减缓电子的注入速率(nature.2014,515,96)。此方法需要精确控制绝缘层的厚度,增大了大规模生产的工艺难度;2、以NiO等无机氧化物代替传统的有机空穴传输层增大空穴注入的效率,但迄今为止此方法的优势并未明显体现;3、在量子点发光层外通过纳米粒子、溶胶凝胶或者化学浴沉积的方式引入第二电子/空穴传输层,且该电子/空穴传输层材料与核壳结构量子点发光层的壳层材料一致(CN201610036399.8),以此改善电子/空穴的传输效率。尽管传输层材料与量子点发光层的壳层材料一致,但是此方法未充分考虑二者的表面配体和正交溶剂选择之间的矛盾以及物相结构等一致性问题;同时,溶胶凝胶或化学浴等过程中可能会对已有功能层产生破坏作用,也增大了工艺的复杂性。因此需要提出一种新的方案 ...
【技术保护点】
1.一种量子点发光层原料制备方法,其特征在于,包括:步骤一,选择量子点(A2)的核,所述核包括II‑V族化合物半导体、III‑V族化合物半导体、IV‑VI族化合物半导体中的一种或多种;步骤二,确定需要生成的量子点(A2)的壳,所述壳包括ZnS、ZnSe、CdS、CdSe、CdZnS、CdZnSe、CdZnSeS中的一种或几种;步骤三,配置量子点及纳米颗粒一锅合成法,根据步骤一选择的核、步骤二确定的壳,按照量子点及纳米颗粒一锅合成法制备出量子点发光层原料;所述量子点发光层原料包括量子点(A2)以及纳米颗粒(A1),所述量子点(A2)包括核以及包覆于核的壳,所述纳米颗粒(A1)和壳的材料、配体、物相均一致。
【技术特征摘要】
1.一种量子点发光层原料制备方法,其特征在于,包括:步骤一,选择量子点(A2)的核,所述核包括II-V族化合物半导体、III-V族化合物半导体、IV-VI族化合物半导体中的一种或多种;步骤二,确定需要生成的量子点(A2)的壳,所述壳包括ZnS、ZnSe、CdS、CdSe、CdZnS、CdZnSe、CdZnSeS中的一种或几种;步骤三,配置量子点及纳米颗粒一锅合成法,根据步骤一选择的核、步骤二确定的壳,按照量子点及纳米颗粒一锅合成法制备出量子点发光层原料;所述量子点发光层原料包括量子点(A2)以及纳米颗粒(A1),所述量子点(A2)包括核以及包覆于核的壳,所述纳米颗粒(A1)和壳的材料、配体、物相均一致。2.一种应用量子点发光层原料制备方法的发光器件,其特征在于:包括量子点发光二极管,所述量子点发光二极管包括自上而下依次叠置的第一电极层(1)、第一电荷传输层(2)、量子点发光层(3)、第二电荷传输层(4)、第二电极层(5)以及衬底(6),所述量子点发光层(3)包括多个量子点(A2)以及纳米颗粒(A1),所述量子点(A2)包括核以及包覆于核的壳,所述纳米颗粒(A1)和壳的材料、配体、物相均一致,多个所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:张孟,李霞,张超,
申请(专利权)人:嘉兴纳鼎光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江,33
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