The invention discloses a method for metallization of ceramic surface, which includes: putting the ceramic substrate before and after treatment into a graphite crucible with aluminium solution for aluminium plating, first nickel plating and second nickel plating, dehydrating the e-obtained substrate with anhydrous ethanol for 20 30s, then drying at 50 70C for 2 minutes, then vacuum drying at 120 210 C for 120 240 minutes, and then drying the f-obtained substrate. After high temperature oxidation and sealing treatment, the final product is dried at 50 70 C for 2 minutes. By the above way, the ceramic surface metallization method of the present invention has the advantages of direct growth of aluminium or aluminium alloy grains and ceramic grains, compact internal structure of the film formed, high strength, high wear resistance, and firm and not easy to fall off.
【技术实现步骤摘要】
一种陶瓷表面金属化的方法
本专利技术涉及陶瓷制备加工领域,特别是涉及一种陶瓷表面金属化的方法。
技术介绍
陶瓷具有耐高温、高强度、高耐磨性、高抗腐蚀等许多优良的性能,金属铝具有高比强度、高电导率和塑性好的优点,一般需要在陶瓷表面金属化才能综利用两者的优点,因此在电子封装、汽车工业以及真空工业等领域有着广泛的应用前景,而现有的氧化铝的连接非常困难,且在氧化铝-铝界面上存在非晶态的氧化膜,界面容易形成未连接缺陷。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种陶瓷表面金属化的方法,金属层与陶瓷基结合良好,且膜层的厚度更加均匀,操作性好,可以实现批量制造。为解决上述技术问题,本专利技术采用的一个技术方案是:一种陶瓷表面金属化的方法,包括以下步骤:a.设计并制造石墨坩埚;b.将纯铝置于石墨坩埚中,在真空或惰性气体保护条件下,以5~20℃/min的升温速率加热到730℃~850℃,得到熔融的铝溶液;c.将陶瓷基板前处理后放入装有铝溶液的石墨坩埚中进行镀铝处理;d.第一次镀镍:将c所得基板置于镀液I中,电流1-3A/dm2,镀液温度控制在35-45℃范围内,反应8-15min,控制镀膜厚度在1.5-3um;e、第二次镀镍:将d所得基板置于镀液II中,电流1-5A/dm2,镀液温度控制在45-55℃范围内,反应2-5min,控制镀膜厚度在2-4.5um,镀镍结束后,取出基板;f.将e所得基板用无水乙醇进行脱水处理20-30s,然后于50-70℃干燥2min,再于120-210℃真空干燥120-240min,即得。在本专利技术一个较佳实施例中,步骤c中,镀铝处理条件为: ...
【技术保护点】
1.一种陶瓷表面金属化的方法,其特征在于,包括以下步骤:a. 设计并制造石墨坩埚;b.将纯铝置于石墨坩埚中,在真空或惰性气体保护条件下,以 5~20℃ /min 的升温速率加热到 730℃ ~850℃,得到熔融的铝溶液;c. 将陶瓷基板前处理后放入装有铝溶液的石墨坩埚中进行镀铝处理;d. 第一次镀镍:将c所得基板置于镀液I中,电流1‑3A/dm 2 ,镀液温度控制在35‑45℃范围内,反应8‑15min,控制镀膜厚度在1.5‑3 um;e、第二次镀镍:将d所得基板置于镀液II中,电流1‑5A/dm 2 ,镀液温度控制在45‑55℃范围内,反应2‑5min,控制镀膜厚度在2‑4.5 um,镀镍结束后,取出基板;f. 将e所得基板用无水乙醇进行脱水处理20‑30s,然后于50‑70℃干燥2min,再于120‑210℃真空干燥120‑240min,即得。
【技术特征摘要】
1.一种陶瓷表面金属化的方法,其特征在于,包括以下步骤:a.设计并制造石墨坩埚;b.将纯铝置于石墨坩埚中,在真空或惰性气体保护条件下,以5~20℃/min的升温速率加热到730℃~850℃,得到熔融的铝溶液;c.将陶瓷基板前处理后放入装有铝溶液的石墨坩埚中进行镀铝处理;d.第一次镀镍:将c所得基板置于镀液I中,电流1-3A/dm2,镀液温度控制在35-45℃范围内,反应8-15min,控制镀膜厚度在1.5-3um;e、第二次镀镍:将d所得基板置于镀液II中,电流1-5A/dm2,镀液温度控制在45-55℃范围内,反应2-5min,控制镀膜厚度在2-4.5um,镀镍结束后,取出基板;f.将e所得基板用无水乙醇进行脱水处理20-30s,然后于50-70℃干燥2min,再于120-210℃真空干燥120-240min,即得。2.根据权利要求1所述的陶瓷表面金属化的方法,其特征在于,步骤c中,镀铝处理条件为:在真空条件下,温度650-730℃,时间18-25min,膜厚:铝1.5-3um。3.根据权利要求1所述的陶瓷表面金属化的方法,其特征在于,所述陶瓷基板为氧化物陶瓷、氮化物陶瓷或碳化物陶瓷。4.根据权利要求3所述的陶瓷表面金属化的方法,其特征在于,所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:张熙茹,杨丽珠,
申请(专利权)人:苏州工业园区职业技术学院,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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