The invention discloses a heat dissipation conformal circuit, which comprises a heat dissipation metal core, an insulating dielectric layer and a metal circuit, and is characterized in that the heat dissipation conformal circuit is a three-dimensional structure; the insulating dielectric layer is coated on a part of the surface of the heat dissipation metal core, and the metal circuit is conformally arranged on the surface of the insulating dielectric layer. The invention integrates the heat dissipation metal core and the metal circuit through an insulating dielectric layer. The heat dissipation structure and the circuit conformally integrate. The circuit has high integration degree and small volume, and can better meet the requirements of miniaturization. The invention adopts metal with high thermal conductivity to manufacture heat dissipation metal core, and the heat dissipation metal core is directly contacted with heat-producing electronic devices, which has fast heat dissipation speed and good heat dissipation effect, and can meet the requirement of 200W/cm.
【技术实现步骤摘要】
一种散热共形电路及其制造方法
本专利技术涉及微电子集成
,尤其是一种散热共形电路及其制造方法。
技术介绍
电子设备对性能及小型化的要求越来越高,使得电子设备更多的采用高性能、微型化的电子器件。微型化电子器件的集成度、封装密度、工作频率以及功率的不断提高,导致电子器件的热流密度急剧增大,散热需求迫切。现有大功率电路的散热技术主要为微流道液冷散热或者高导热陶瓷基板散热。微流道液冷散热是在大功率芯片的封装基板中集成微流道,将大功率芯片贴装在微流道正上方,通过微流道中的液体将热量迅速导出,以达到降低芯片及电路板表面温度的目的。但是该方法存在以下问题:1)由于目前电路的微小型化越来越突出,要求集成在电路板中的微流道尺寸很小(50微米量级),常规的机加等手段难以实现,只能借助半导体深硅刻蚀等加工手段,技术难度大,成本高;2)这类微流道通常只能以硅基板作为载体,要求表层的电路必须在硅片表面进行集成,由于硅为半导体,当前技术下对硅片上集成宽带高频电路很困难,因此使用范围受到限制。高导热陶瓷基板散热是采用氮化铝、氧化铍等高导热率基板作为大功率芯片电路载体,通过该类基板将热量快速导出。这种方法存在以下问题:1)该类基板的导热率通常在150~200W/m.K,但仍需共晶组装到金属腔体表面,中间增加多个热阻层,无法满足200W/cm2以上热流密度的散热要求;2)这类电路通常只能做成单层的二维电路,电路面积大,无法较好的满足微小型化的要求。
技术实现思路
为解决上述现有大功率散热技术中存在的加工难度大、成本高、实用性差、散热性能差、电路面积大无法较好满足微小型化要求的缺陷,本专利 ...
【技术保护点】
1.一种散热共形电路,包括散热金属芯、绝缘介质层和金属电路,其特征在于,所述散热共形电路为三维立体结构;所述绝缘介质层包被于所述散热金属芯的部分表面,所述金属电路共形设于所述绝缘介质层表面。
【技术特征摘要】
1.一种散热共形电路,包括散热金属芯、绝缘介质层和金属电路,其特征在于,所述散热共形电路为三维立体结构;所述绝缘介质层包被于所述散热金属芯的部分表面,所述金属电路共形设于所述绝缘介质层表面。2.根据权利要求1所述的散热共形电路,其特征在于,所述散热金属芯未被所述绝缘介质层包被的部分表面用于安装芯片、SIP功能单元等产热电子器件。3.根据权利要求1所述的散热共形电路,其特征在于,所述散热金属芯可根据实际需要而制造成任意形状。4.根据权利要求1所述的散热共形电路,其特征在于,所述绝缘介质层的厚度至少为4μm。5.根据权利要求1所述的散热共形电路,其特征在于,所述金属电路线宽尺寸至少为20μm,所述金属电路的厚度至少为1μm。6.权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘永彪,崔西会,羊慧,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第二十九研究所,
类型:发明
国别省市:四川,51
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