一种优化STM32芯片DFU升级的方法技术

本发明专利技术公开一种优化STM32芯片DFU升级的方法，其特征在于，该方法为：将内部和外部FLASH当成一个整体的FLASH，只生成一个媒介，在DFU升级时只需一次媒介操作。相比现有STM32芯片在有内外部FLASH的情况下，DFU升级分别将内部FLASH生成一个媒介、外部FLASH生成另一个媒介，本发明专利技术可以方便用户在固件升级时的操作，可以实现一次升级，避免复杂的操作要求。

【技术实现步骤摘要】
一种优化STM32芯片DFU升级的方法
本专利技术涉及STM32芯片技术，特别涉及一种优化STM32芯片DFU升级的方法。
技术介绍
STM32芯片基于专为要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式应用专门设计的ARM-M0，M0+，M3,M4和M7内核。按内核架构分为不同产品：主流产品(STM32F0、STM32F1、STM32F3)、超低功耗产品(STM32L0、STM32L1、STM32L4、STM32L4+)、高性能产品(STM32F2、STM32F4、STM32F7、STM32H7)。STM32芯片在有内外部FLASH的情况下，DFU(DeviceFirmwareUpgrade)升级一般是将内部FLASH生成一个媒介，外部FLASH生成另一个媒介。这种方式造成在用DFU工具升级时，需要分两次升级两个媒介，这样会给用户造成操作的复杂度和难度。
技术实现思路
针对现有技术存在的问题，本专利技术提供一种优化STM32芯片DFU升级的方法。为实现上述目的，本专利技术的具体技术方案如下：一种优化STM32芯片DFU升级的方法，该方法为：将内部和外部FLASH当成一个整体的FLASH，只生成一个媒介，在DFU升级时只需一次媒介操作。作为本专利技术一优选技术方案，该方法为：将内部和外部FLASH在逻辑分区表上当成一个整体的FLASH，内部和外部FLASH分别是顺序的不同地址范围，在升级操作时通过地址区分内部和外部FLASH操作。作为本专利技术一优选技术方案，该方法具体包括如下步骤：S1：将内部FLASH和外部FLASH按照寻址大小，整合到一张逻辑分区表；S2：在升级操作时，根据升级包数据地址，找到相应的FLASH，对其进行存取操作。作为本专利技术一优选技术方案，步骤S1中：内部FLASH和外部FLASH寻址范围不连续，整合在一起将会多出一部分空间，我们将多出来的这部分空间设置为无效区，设置为不可写入属性，并且读操作后的数据都是0xFF数值，即格式化数据。作为本专利技术一优选技术方案，步骤S2中：所述数据存取操作包括擦写、写入和读出。采用本专利技术的技术方案，具有以下有益效果：本专利技术可以方便用户在固件升级时的操作，可以实现一次升级，避免复杂的操作要求。附图说明图1为本专利技术方法的流程图；图2为本专利技术中内外FLASH整合到一张逻辑表后的效果图；图3为本专利技术中FLASH的操作流程图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例，对本专利技术进一步说明。本专利技术提供一种优化STM32芯片DFU升级的方法，该方法为：将内部和外部FLASH当成一个整体的FLASH，只生成一个媒介，在DFU升级时只需一次媒介操作。其中，以逻辑分区表将内部和外部FLASH当成一个整体的FLASH，内部和外部FLASH分别是顺序的不同地址范围，在升级操作时通过地址区分内部和外部FLASH操作。图1与图2为以寻址大小为具体实施例，具体方法包括步骤：S1：将内部FLASH和外部FLASH按照寻址大小，整合到一张逻辑分区表；其中，内部FLASH和外部FLASH寻址范围不连续，整合在一起将会多出一部分空间，我们将多出来的这部分空间设置为无效区，设置为不可写入属性，并且读操作后的数据都是0xFF数值，即格式化数据。具体的区域划分含义如下：101--BootLoader是存储引导程序去，属于内部FLASH的一部分；102--属于内部FLASH的一部分，用于存储Firmware；103--无效区，属于虚拟的空间；104--属于外部FLASH，用于存储Firmware。S2：在升级操作时，根据升级包数据地址，找到相应的FLASH，对其进行存取操作。其中，所述数据存取操作包括擦写、写入和读出。图3为采用本专利技术方法的具体FLASH操作流程图。也是上述步骤S2的更具体化步骤。步骤S201：读写FLASH数据，从FLASH读数据或者将数据写入FLASH；步骤202：操作地址范围，对要操作的地址进行判断，确认是属于内部、外部还是无效区；步骤203：拒绝操作，无效区的写属性已设置为不可写，如果读操作的地址是在无效区，则将所有的数据都返回0xFF；步骤204：对内部FLASH操作，如果读写操作的地址是在内部FLASH，则对内部FLASH进行相应操作；步骤205：对外部FLASH操作，如果读写操作的地址是在外部FLASH，则对外部FLASH进行相应操作。以上所述仅为本专利技术的优选实施例，并非因此限制本专利技术的专利范围，凡是在本专利技术的专利技术构思下，利用本专利技术说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的
均包括在本专利技术的专利保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种优化STM32芯片DFU升级的方法，其特征在于，该方法为：将内部和外部FLASH当成一个整体的FLASH，只生成一个媒介，在DFU升级时只需一次媒介操作。

【技术特征摘要】
1.一种优化STM32芯片DFU升级的方法，其特征在于，该方法为：将内部和外部FLASH当成一个整体的FLASH，只生成一个媒介，在DFU升级时只需一次媒介操作。2.根据权利要求1所述的优化STM32芯片DFU升级的方法，其特征在于，该方法为：将内部和外部FLASH在逻辑分区表上当成一个整体的FLASH，内部和外部FLASH分别是顺序的不同地址范围，在升级操作时通过地址区分内部和外部FLASH操作。3.根据权利要求2所述的优化STM32芯片DFU升级的方法，其特征在于，该方法具体包括如下步骤：S1：将内部FLASH和...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴松坤，刘尚俊，
申请(专利权)人：深圳市零点智联科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44