组合物制造技术

本发明专利技术涉及一种组合物，其中，在介质中分散有具有钙钛矿型晶体结构的化合物，所述具有钙钛矿型晶体结构的化合物以A、B、X及M作为构成成分，且M的摩尔数量除以M及B的合计摩尔数量所得的摩尔比[M/(M+B)]的值为0.7以下。(A是在上述钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的六面体的各顶点处的铯离子、有机铵离子或脒鎓离子。B是铅离子。M是六配位的离子半径为

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】组合物
本专利技术涉及组合物。本申请基于2016年6月24日在日本申请的日本特愿2016-126046号而要求优先权，将其内容援引于此。
技术介绍
一直以来，已知具有包含有机物的阳离子、卤化物离子及2价金属离子的有机-无机钙钛矿型晶体结构的化合物。近年来，对于具有在金属离子的位置具有第14族元素(Ge、Sn及Pb)的离子的钙钛矿型晶体结构的化合物的导电性及发光特性的关注不断提高。尤其在上述2价金属离子为Pb(II)的情况下，在从紫外区域到红色的光谱区域的范围内观察到室温下的强发光现象(非专利文献1)。另外，还能够根据卤化物离子的种类来调整发光波长(非专利文献2)。现有技术文献非专利文献非专利文献1：M.Era，A.Shimizu和M.Nagano，Rep.Prog.Polym.Phys.Jpn.，42,473-474(1999)非专利文献2：L.Protesescu，S.Yakunin，M.I.Bodnarchuk，F.Krieg，R.Caputo，C.H.Hendon，R.X.Yang，A.Walsh，和M.V.Kovalenko，NanoLetter.15,3692-3696(2015)
技术实现思路
专利技术要解决的课题然而，为了将如上述非专利文献1或2中记载那样的具有钙钛矿型晶体结构的化合物作为发光材料进行产业应用，要求上述化合物的量子收率的进一步提高。本专利技术是鉴于上述课题而完成的专利技术，其目的在于，提供包含量子收率高且具有钙钛矿型晶体结构的化合物的组合物。用于解决课题的手段为了解决上述课题，本专利技术人等进行了深入研究，结果完成了以下的本专利技术。即，本专利技术的实施方式包含下述[1]～[6]的专利技术。[1]一种组合物，其中，在介质中分散有具有钙钛矿型晶体结构的化合物，所述具有钙钛矿型晶体结构的化合物以A、B、X及M作为构成成分，且M的摩尔数量除以M及B的合计摩尔数量所得的摩尔比[M/(M+B)]的值为0.7以下。(A是在上述钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的六面体的各顶点处的铯离子、有机铵离子或脒离子。B是铅离子。M是六配位的离子半径为以上且以下的2价或3价的金属元素的阳离子，M的至少一部分在上述钙钛矿型晶体结构中置换B的一部分。X表示在上述钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的八面体的各顶点处的成分，其是选自氯化物离子、溴化物离子、氟化物离子、碘化物离子及硫氰酸根离子中的1种以上的阴离子。)[2]根据[1]所述的组合物，其中，上述M为碱土金属元素的阳离子或稀土元素的阳离子。[3]根据[1]或[2]所述的组合物，其中，上述M为钙离子或铈离子。[4]根据[1]～[3]中任一项所述的组合物，其中，上述A为有机铵离子。[5]根据[1]～[4]中任一项所述的组合物，其中，上述介质为液体。[6]根据[1]～[4]中任一项所述的组合物，其中，上述介质为树脂。专利技术的效果根据本专利技术，可以提供包含量子收率高且具有钙钛矿型晶体结构的化合物的组合物。具体实施方式以下，示出实施方式对本专利技术进行详细地说明。<组合物>本专利技术为后述的具有钙钛矿型晶体结构的化合物分散在介质中的组合物。作为具有钙钛矿型晶体结构的化合物分散在介质中的组合物，可列举后述的具有钙钛矿型晶体结构的化合物分散在液体中的分散液组合物、以及后述的具有钙钛矿型晶体结构的化合物分散在树脂中的树脂组合物。上述组合物可以具有除了后述具有钙钛矿型晶体结构的化合物以外的其他成分。作为其他成分，可列举例如若干的杂质；以及以A、B、X和/或M为构成成分的具有非晶结构的化合物。作为杂质，可列举例如包含A、B和/或M的卤化物；B和/或M的氧化物或复合氧化物；以及包含A、B、X和/或M的其他化合物。《化合物》本专利技术的组合物中所含的具有钙钛矿型晶体结构的化合物是以A、B、X及M作为构成成分且M的摩尔数量除以M及B的合计摩尔数量所得的摩尔比[M/(M+B)]的值为0.7以下的具有钙钛矿型晶体结构的化合物。在本专利技术的化合物中，A是在上述钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的六面体的各顶点处的铯离子、有机铵离子或脒离子。B是铅离子。M是六配位的离子半径为的2价或3价的金属元素的阳离子，M的至少一部分在上述钙钛矿型晶体结构中置换B的一部分。X表示在上述钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的八面体的各顶点处的成分，其是选自氯化物离子、溴化物离子、氟化物离子、碘化物离子及硫氰酸根离子中的1种以上的阴离子。予以说明，在此，在(以下相同)的情况下，M在六配位的离子半径为0.09nm以上且0.15以下。作为以A、B、X及M为构成成分的具有钙钛矿型晶体结构的化合物，并无特别限定，可以为具有三维结构、二维结构、准二维结构中的任一结构的化合物。在三维结构的情况下，钙钛矿型晶体结构以AB(1-a)MaX(3+δ)来表示。在二维结构的情况下，钙钛矿型晶体结构以A2B(1-a)MaX(4+δ)来表示。a表示M的摩尔数量除以M及B的合计摩尔数量所得的摩尔比[M/(M+B)]。δ是能够根据B及M的电荷平衡而适当变更的数值，并且为0以上且0.7以下。例如，在A为1价的阳离子、B为2价的阳离子(Pb离子)、M为2价或3价的金属元素的阳离子、及X为1价的阴离子的情况下，可以按照上述化合物为中性(电荷为0)的方式来选择δ。通常，具有钙钛矿型晶体结构的化合物的基本结构为三维结构或二维结构。在三维结构的情况下，其组成式以A’B’X’3来表示。在此，A’表示有机阳离子或无机阳离子，B’表示金属阳离子，X’表示卤化物离子或硫氰酸根离子。在二维结构的情况下，其组成式以A’2B’X’4来表示。在此，A’、B’及X’表示与上述相同的含义。在上述三维结构的情况下，具有以B’为中心且将顶点设为X’的用B’X’6表示的顶点共有八面体的三维网络。在上述二维结构的情况下，通过使以B’为中心且将顶点设为X’的用B’X’6表示的八面体共有同一平面上的4个顶点X’，从而形成交替地层叠有包含二维相连的BX’6的层和包含A’的层的结构。B’为能够采取X’的八面体配位的金属阳离子。A’位于以B’为中心的六面体的各顶点。在本说明书中，钙钛矿结构可以利用X射线衍射图案来确认。在具有上述三维结构的钙钛矿型晶体结构的化合物的情况下，在X射线衍射图案中，通常在2θ＝12～18°的位置确认到来自(hkl)＝(001)的峰、或者在2θ＝18～25°的位置确认到来自(hkl)＝(100)的峰。更优选在2θ＝13～16°的位置确认到来自(hkl)＝(001)的峰、或者在2θ＝20～23°的位置确认到来自(hkl)＝(100)的峰。在具有上述二维结构的钙钛矿型晶体结构的化合物的情况下，在X射线衍射图案中，通常在2θ＝1～10°的位置确认到来自(hkl)＝(002)的峰，更优选在2θ＝2～8°的位置确认到来自(hkl)＝(002)的峰。本专利技术人等进行了深入研究，结果发现：通过在具有钙钛矿型晶体结构的化合物中，将作为A’成分的有机阳离子或无机阳离子设为铯离子、有机铵离子或脒离子(A成分)，将作为B’成分的金属元素的阳离子设为铅离子(B成分)，将多个A成分和/或B成分的一部分用六配位的离子半径为以上且以下的2价或3价的金属元素的阳离子(M成分)置换，并制成组合物，由此可以提高本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种组合物，其中，在介质中分散有具有钙钛矿型晶体结构的化合物，所述具有钙钛矿型晶体结构的化合物以A、B、X及M作为构成成分，且M的摩尔数量除以M及B的合计摩尔数量所得的摩尔比[M/(M+B)]的值为0.7以下，A是在所述钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的六面体的各顶点处的铯离子、有机铵离子或脒鎓离子，B是铅离子，M是六配位的离子半径为

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.24 JP 2016-1260461.一种组合物，其中，在介质中分散有具有钙钛矿型晶体结构的化合物，所述具有钙钛矿型晶体结构的化合物以A、B、X及M作为构成成分，且M的摩尔数量除以M及B的合计摩尔数量所得的摩尔比[M/(M+B)]的值为0.7以下，A是在所述钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的六面体的各顶点处的铯离子、有机铵离子或脒鎓离子，B是铅离子，M是六配位的离子半径为以上且以下的2价或3价的金属元素的阳离子，M的至少一部分在所述钙钛矿型晶体结构中置换...

【专利技术属性】
技术研发人员：内藤翔太，酒谷能彰，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP