低密度材料透视成像方法及系统技术方案

本发明专利技术公开了低密度材料透视成像方法及系统，用于通过超声波对封装体内的检视器件进行成像，检视器件包括具有第一表面的第一元件、具有第二表面的第二元件，以及连接第一表面和第二表面的导线；第一表面与第二表面位于不同的平面，导线为密度低于5克每立方厘米的导线；方法包括：获取第一表面的第一聚焦参数，以及获取第二表面的第二聚焦参数；根据扫描约束条件对检视器件进行扫描成像，扫描约束条件具体为根据第一聚焦参数和第二聚焦参数生成。既可以在第一表面、第二表面处得到较好的成像效果，还可以在成像结果中较好的体现低密度导线；实现了在非破坏性的条件下对具有低密度导线元器件的扫描成像。

【技术实现步骤摘要】
低密度材料透视成像方法及系统
本专利技术涉及元器件检测领域，尤其涉及低密度材料透视成像方法及系统。
技术介绍
在目前的实验室状况下，常规X-RAY透视成像的技术下有时是无法对元器件内的导线进行成像的，例如对于一些元器件内的低密度金属导线无法利用X-RAY透视成像。如图1和图2分别为利用X-RAY对两种元器件透视成像的结果，可见其中的导线没有得到体现。因此现有技术在非破坏性的条件下是很难对该类元器件的导线进行必要的评估，无法对金属导线的缺失，变形，多出，焊接位置异常等缺陷进行定性；会导致失效分析证据链不完整，对产品失效定性准确性产生影响，从而影响对元器件的品质评估。
技术实现思路
本专利技术实施例提供低密度材料透视成像方法及系统，可以在在检视器件内位于不同平面的第一表面、第二表面处得到较好的成像效果，还可以在成像结果中较好的体现连接第一表面和第二表面的低密度导线；实现了在非破坏性的条件下对具有低密度导线元器件的扫描成像。本专利技术实施例第一方面提供了一种低密度材料透视成像方法，用于通过超声波对封装体内的检视器件进行成像，所述检视器件包括具有第一表面的第一元件、具有第二表面的第二元件，以及连接所述第一表面和第二表面的导线，所述第一表面与第二表面位于不同的平面，所述导线为密度低于5克每立方厘米的导线；所述方法包括：获取所述第一表面的第一聚焦参数，以及获取所述第二表面的第二聚焦参数；根据扫描约束条件对所述检视器件进行扫描成像，所述扫描约束条件具体为根据所述第一聚焦参数和第二聚焦参数生成。在一些实施例中，所述获取所述第一表面的第一聚焦参数，具体包括：控制超声波探头移动至所述第一表面上第一点位对应的位置；获取所述超声波探头相对所述封装体表面不同距离时第一点位的反馈波；将幅度最大的反馈波对应的聚焦参数作为第一聚焦参数；所述获取所述第二表面的第二聚焦参数，具体包括：控制所述超声波探头移动至所述第二表面上第二点位对应的位置；获取所述超声波探头相对所述封装体表面不同距离时第二点位的反馈波；将幅度最大的反馈波对应的聚焦参数作为第二聚焦参数。在一些实施例中，所述第一聚焦参数包括所述封装体表面上所述第一点位对应位置的第一回声时间，所述第二聚焦参数包括所述封装体表面上所述第二点位对应位置的第二回声时间。在一些实施例中，所述根据扫描约束条件对所述检视器件进行扫描成像，具体包括：调整所述超声波探头相对于所述封装体表面之间的距离，使得所述封装体表面上至少一个位置的回声时间介于所述第一回声时间和第二回声时间；保持所述超声波探头相对于所述封装体表面之间的距离，对所述检视器件进行扫描成像。在一些实施例中，所述封装体表面上至少一个位置的回声时间为[max(T1，T2)－0.5×|T1－T2|]至[max(T1，T2)－0.1×|T1－T2|]之间的一数值；其中T1、T2分别表示所述第一回声时间、第二回声时间。在一些实施例中，所述保持所述超声波探头相对于所述封装体表面之间的距离，对所述检视器件进行扫描成像之后，还包括：若扫描成像的结果不满足预设条件，根据所述扫描约束条件微调所述超声波探头相对于所述封装体表面之间的距离；保持微调后的所述超声波探头相对于所述封装体表面之间的距离，对所述检视器件进行扫描成像。在一些实施例中，所述第一聚焦参数包括所述超声波探头在第一轴上的第一坐标，所述第二聚焦参数包括所述超声波探头在第一轴上的第二坐标；所述第一轴平行于所述超声波探头发射超声波的方向。在一些实施例中，所述根据所述扫描约束条件对所述检视器件进行扫描成像，具体包括：调整所述超声波探头在所述第一轴上的坐标介于所述第一坐标和第二坐标之间；保持所述超声波探头在所述第一轴上的坐标，对所述检视器件进行扫描成像。在一些实施例中，所述调整超声波探头在所述第一轴上的坐标介于所述第一坐标和第二坐标之间，具体为：调整所述超声波探头在所述第一轴上的坐标为[max(Z1，Z2)－0.5×|Z1－Z2|]至[max(Z1，Z2)－0.1×|Z1－Z2|]之间的一数值；其中Z1、Z2分别表示所述第一坐标、第二坐标。在一些实施例中，所述保持所述超声波探头在所述第一轴上的坐标，对所述检视器件进行扫描成像之后，还包括：若扫描成像的结果不满足预设条件，根据所述扫描约束条件微调所述超声波探头在所述第一轴上的坐标；保持微调后的所述超声波探头在所述第一轴上的坐标，对所述检视器件进行扫描成像。在一些实施例中，所述方法用于对所述导线为含铝导线的检视器件进行成像。在一些实施例中，所述方法用于对所述导线的直径不小于75微米，且不大于550微米的检视器件进行成像。在一些实施例中，所述方法用于对所述第一元件包括功率半导体芯片的检视器件进行成像。在一些实施例中，所述方法用于对塑料材质封装体内的所述检视器件进行成像。在一些实施例中，所述超声波的频率不大于75MHz。在一些实施例中，所述超声波的频率为15MHz。本专利技术实施例第二方面提供了一种低密度材料透视成像方法，用于对若干元器件的封装体内的检视器件进行成像；所述方法包括：将所述若干元器件按预设方式排列；根据上述的低密度材料透视成像方法对所述若干元器件中的一个进行扫描成像；若扫描成像的结果满足预设条件，根据扫描成像的聚焦参数对所述若干元器件进行扫描成像。本专利技术实施例第三方面提供了一种低密度材料透视成像系统，包括计算设备、超声波探头、水槽、运动组件、探头超声控制器、三轴控制器和连接于所述计算设备的显示器；所述水槽用于放置所述元器件以及容纳水；所述计算设备用于通过所述探头超声控制器控制所述超声波探头发出超声波以及接收回波，所述计算设备还用于通过所述三轴控制器控制所述运动组件移动，以带动所述超声波探头运动；所述计算设备包括存储器和处理器，所述存储器用于存储程序指令；若所述处理器执行程序指令，实现如权利要求1-16中任一项所述的低密度材料透视成像方法的步骤，或者实现如权利要求17所述的低密度材料透视成像方法的步骤。相比现有技术，本专利技术实施例的有益效果在于：通过获取检视器件内位于不同平面的第一表面、第二表面的第一聚焦参数、第二聚焦参数；根据由第一聚焦参数、第二聚焦参数得到的扫描约束条件对检视器件进行扫描成像，既可以在第一表面处得到较好的成像效果，也可以在第二表面处得到较好的成像效果，还可以在成像结果中较好的体现连接第一表面和第二表面的低密度导线；实现了在非破坏性的条件下对具有低密度导线元器件的扫描成像，从而可以对该类元器件的导线进行必要的评估，对低密度导线的缺失，变形，多出，焊接位置异常等缺陷进行定性。附图说明一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。图1为X-RAY对一种元器件透视成像的结果图；图2为X-RAY对另一种元器件透视成像的结果图；图3为本专利技术实施例一的低密度材料透视成像方法的流程示意图；图4为一种元器件的结构示意图；图5为图4中元器件另一角度的结构示意图；图6为获取第一表面的第一聚焦参数的示意图；图7为获取到的第一点位反馈波的波形图；图8为根据第一聚焦参数对检视器件扫描成像的结果示意图；图9为获取第二表面的第二聚焦参数的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低密度材料透视成像方法，其特征在于：用于通过超声波对封装体内的检视器件进行成像，所述检视器件包括具有第一表面的第一元件、具有第二表面的第二元件，以及连接所述第一表面和第二表面的导线，所述第一表面与第二表面位于不同的平面，所述导线为密度低于5克每立方厘米的导线；所述方法包括：获取所述第一表面的第一聚焦参数，以及获取所述第二表面的第二聚焦参数；根据扫描约束条件对所述检视器件进行扫描成像，所述扫描约束条件具体为根据所述第一聚焦参数和第二聚焦参数生成。

【技术特征摘要】
1.一种低密度材料透视成像方法，其特征在于：用于通过超声波对封装体内的检视器件进行成像，所述检视器件包括具有第一表面的第一元件、具有第二表面的第二元件，以及连接所述第一表面和第二表面的导线，所述第一表面与第二表面位于不同的平面，所述导线为密度低于5克每立方厘米的导线；所述方法包括：获取所述第一表面的第一聚焦参数，以及获取所述第二表面的第二聚焦参数；根据扫描约束条件对所述检视器件进行扫描成像，所述扫描约束条件具体为根据所述第一聚焦参数和第二聚焦参数生成。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述获取所述第一表面的第一聚焦参数，具体包括：控制超声波探头移动至所述第一表面上第一点位对应的位置；获取所述超声波探头相对所述封装体表面不同距离时第一点位的反馈波；将幅度最大的反馈波对应的聚焦参数作为第一聚焦参数；所述获取所述第二表面的第二聚焦参数，具体包括：控制所述超声波探头移动至所述第二表面上第二点位对应的位置；获取所述超声波探头相对所述封装体表面不同距离时第二点位的反馈波；将幅度最大的反馈波对应的聚焦参数作为第二聚焦参数。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述第一聚焦参数包括所述封装体表面上所述第一点位对应位置的第一回声时间，所述第二聚焦参数包括所述封装体表面上所述第二点位对应位置的第二回声时间。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述根据扫描约束条件对所述检视器件进行扫描成像，具体包括：调整所述超声波探头相对于所述封装体表面之间的距离，使得所述封装体表面上至少一个位置的回声时间介于所述第一回声时间和第二回声时间；保持所述超声波探头相对于所述封装体表面之间的距离，对所述检视器件进行扫描成像。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：所述封装体表面上至少一个位置的回声时间为[max(T1，T2)－0.5×|T1－T2|]至[max(T1，T2)－0.1×|T1－T2|]之间的一数值；其中T1、T2分别表示所述第一回声时间、第二回声时间。6.如权利要求4或5所述的方法，其特征在于：所述保持所述超声波探头相对于所述封装体表面之间的距离，对所述检视器件进行扫描成像之后，还包括：若扫描成像的结果不满足预设条件，根据所述扫描约束条件微调所述超声波探头相对于所述封装体表面之间的距离；保持微调后的所述超声波探头相对于所述封装体表面之间的距离，对所述检视器件进行扫描成像。7.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述第一聚焦参数包括所述超声波探头在第一轴上的第一坐标，所述第二聚焦参数包括所述超声波探头在第一轴上的第二坐标；所述第一轴平行于所述超声波探头发射超声波的方向。8.如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述根据所述扫...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘金龙，黄彩清，吴凌，
申请(专利权)人：深圳赛意法微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44