掩模框架组件及显示装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施方式公开了掩模框架组件、掩模框架组件的制造方法及显示装置的制造方法，其中，掩模框架组件包括框架、本体部和图案部，其中，框架具有开口部，本体部与框架结合，并且图案部与本体部连接且被本体部围绕，并且图案部包括第一子图案部和第二子图案部，其中，第一子图案部具有第一晶粒度(grain size)，且第二子图案部布置在第一子图案部上并且具有小于第一晶粒度的第二晶粒度，其中，图案部包括供沉积物质通过的多个图案孔，并且图案孔贯穿第一子图案部和第二子图案部。

Manufacturing Method of Mask Frame Component and Display Device

The embodiment of the invention discloses a manufacturing method of a mask frame component, a mask frame component and a display device, wherein the mask frame component comprises a frame, a body part and a pattern part, in which the frame has an opening part, the body part is combined with the frame, and the pattern part is connected with and surrounded by the body part, and the pattern part includes the first sub-pattern part and the second sub-pattern part. The first sub-pattern part has the first grain size, and the second sub-pattern part is arranged on the first sub-pattern part and has the second grain size smaller than the first grain size. The pattern part includes a plurality of pattern holes for sediment quality to pass through, and the pattern holes run through the first sub-pattern part and the second sub-pattern part.

【技术实现步骤摘要】
掩模框架组件及显示装置的制造方法
本专利技术实施方式涉及掩模框架组件及显示装置的制造方法。
技术介绍
通常，作为平板显示器中的一种的有机发光显示装置为有源发光型显示器件，其不仅具有视角宽和对比度优异的优点，而且还具有能够以低电压驱动、呈轻量的薄型且响应速度快的优点，因此作为新一代显示器件而备受瞩目。这种发光器件根据形成发光层的物质而区分为无机发光器件和有机发光器件，其中，相比于无机发光器件，有机发光器件具有亮度、响应速度等特性优异且能够实现彩色显示的优点，因此近年来对此的开发正积极进行中。有机发光显示装置中所包括的有机膜和/或电极通常通过真空沉积法形成。在真空沉积法中使用掩模框架组件，这种掩模框架组件中形成有具有预定图案的图案孔，并且沉积物质通过图案孔沉积到显示装置的衬底上。近年来，随着有机发光显示装置逐渐实现高分辨率化，要求掩模框架组件的厚度变薄。前述的
技术介绍
作为专利技术人为获得本专利技术实施方式而掌握的技术信息或者在获得本专利技术实施方式的过程中习得的技术信息，其并不一定属于在递交本专利技术实施方式之前已对普通公众公开的公知技术。
技术实现思路
解决的技术问题本专利技术实施方式的目的之一在于提供实现高分辨率显示器的掩模框架组件、掩模框架组件的制造方法及显示装置的制造方法。本专利技术的另一目的在于提供能够在确保掩模框架组件的机械强度的同时加工出具有精密图案的图案孔的掩模框架组件以及显示装置的制造方法。解决方法本专利技术一实施方式公开了掩模框架组件，其中，掩模框架组件包括框架、本体部和图案部，其中，框架具有开口部，本体部与框架结合，并且图案部与本体部连接且被本体部围绕，并且图案部包括第一子图案部和第二子图案部，其中，第一子图案部具有第一晶粒度(grainsize)，且第二子图案部布置在第一子图案部上并且具有小于第一晶粒度的第二晶粒度，其中，图案部包括供沉积物质通过的多个图案孔，并且图案孔贯穿第一子图案部和第二子图案部。在本实施方式中，掩模框架组件的特征可在于，本体部具有第一厚度，第一子图案部具有第二厚度，并且第二子图案部具有第三厚度，其中，第一厚度大于第二厚度与第三厚度相加的厚度。在本实施方式中，掩模框架组件的特征可在于，第一厚度为10μm至50μm，并且第二厚度与第三厚度相加的厚度为5μm至20μm。在本实施方式中，本体部和第一子图案部可包括通过轧制(rolling)制造的因瓦合金(invaralloy)和超级因瓦合金(superinvaralloy)中的一种以上。在本实施方式中，第二子图案部可包括通过电铸(electroforming)制造的因瓦合金(invaralloy)和超级因瓦合金(superinvaralloy)中的一种以上。在本实施方式中，掩模框架组件的特征可在于，图案孔的截面呈从第一子图案部朝向第二子图案部逐渐变宽的锥形(taper)。本专利技术另一实施方式公开了掩模框架组件的制造方法，其中，掩模框架组件的制造方法包括以下步骤：准备通过轧制(rolling)加工制造的掩模基材；在掩模基材的一面侧对掩模基材的部分区域进行半蚀刻(half-etching)以形成第一子图案部；将绝缘薄膜(insulatingfilm)附接到除了第一子图案部以外的、剩余的掩模基材的一面侧的本体部，并且将导体(conductor)附接到掩模基材的与一面相反的另一面；实施电铸(electroforming)以将第二子图案部镀到第一子图案部上；将绝缘薄膜和导体从掩模基材分离；以及朝向第二子图案部照射激光束，以形成贯穿第一子图案部和第二子图案部的多个图案孔。在本实施方式中，掩模框架组件的制造方法的特征可在于，半蚀刻是通过湿法蚀刻(wet-etching)来执行的。在本实施方式中，掩模框架组件的制造方法的特征可在于，本体部具有第一厚度，第一子图案部具有第二厚度，并且第二子图案部具有第三厚度，其中，第一厚度大于第二厚度与第三厚度相加的厚度。在本实施方式中，掩模基材和第二子图案部可包括因瓦合金(invaralloy)和超级因瓦合金(superinvaralloy)中的一种以上。在本实施方式中，掩模框架组件的制造方法的特征可在于，掩模基材的晶粒度(grainsize)大于第二子图案部的晶粒度。在本实施方式中，掩模框架组件的制造方法的特征可在于，还包括以下步骤：将本体部结合到具有开口部的框架，其中，多个图案孔与开口部连通。在本实施方式中，掩模框架组件的制造方法的特征可在于，沿着从第二子图案部朝向第一子图案部的方向将激光束照射到第二子图案部的表面上。在本实施方式中，掩模框架组件的制造方法的特征可在于，图案孔的截面呈从第一子图案部朝向第二子图案部逐渐变宽的锥形(taper)。本专利技术又一实施方式公开了显示装置的制造方法，其中，显示装置的制造方法包括以下步骤：将显示衬底和掩模框架组件装载到腔室的内部；以及使由沉积源喷射的沉积物质通过掩模框架组件，以使沉积物质在显示衬底上形成膜，其中，掩模框架组件包括框架、本体部和图案部，其中，框架具有开口部，本体部与框架结合，并且图案部与本体部连接且被本体部围绕，并且图案部包括第一子图案部和第二子图案部，其中，第一子图案部具有第一晶粒度(grainsize)，且第二子图案部布置在第一子图案部上并且具有小于第一晶粒度的第二晶粒度，其中，图案部包括供沉积物质通过的多个图案孔，并且图案孔贯穿第一子图案部和第二子图案部。在本实施方式中，显示装置的制造方法的特征可在于，本体部具有第一厚度，第一子图案部具有第二厚度，并且第二子图案部具有第三厚度，其中，第一厚度大于第二厚度与第三厚度相加的厚度。在本实施方式中，显示装置的制造方法的特征可在于，第一厚度为10μm至50μm，并且第二厚度与第三厚度相加的厚度为5μm至20μm。在本实施方式中，本体部和第一子图案部可包括通过轧制(rolling)制造的因瓦合金(invaralloy)和超级因瓦合金(superinvaralloy)中的一种以上。在本实施方式中，第二子图案部可包括通过电铸(electroforming)制造的因瓦合金(invaralloy)和超级因瓦合金(superinvaralloy)中的一种以上。在本实施方式中，显示装置的制造方法的特征可在于，图案孔的截面呈从第一子图案部朝向第二子图案部逐渐变宽的锥形(taper)。除了上述内容以外的其它方面、特征和优点将通过下面的附图、权利要求书和专利技术的详细说明而变得明确。有益效果通过根据本专利技术实施方式的掩模框架组件、掩模框架组件的制造方法以及显示装置的制造方法，能够制造出与框架的焊接特性优异且对于图案孔的激光加工性优异的掩模框架组件。此外，能够在实现高分辨率显示器的同时显著地降低显示器的坏件率。明显的是，本专利技术的范围并不由这种效果来限定。附图说明图1是分解并概略地示出根据本专利技术一实施方式的掩模框架组件的立体图。图2是概略地示出根据本专利技术一实施方式的掩模框架组件的掩模的立体图和平面图。图3是示出沿X轴方向切割图1中所示的掩模框架组件的形态的剖视图。图4至图9是依次示出根据本专利技术另一实施方式的掩模框架组件的制造方法的概念图。图10是概略地示出显示装置的制造装置的概念图，其中，该显示装置的制造装置使用根据本专利技术一实施方式的掩模框架组件将沉积物质沉本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.掩模框架组件，包括：框架，所述框架具有开口部；本体部，所述本体部与所述框架结合；以及图案部，所述图案部与所述本体部连接且被所述本体部围绕，并且所述图案部包括：第一子图案部，所述第一子图案部具有第一晶粒度；以及第二子图案部，所述第二子图案部布置在所述第一子图案部上，并且具有小于所述第一晶粒度的第二晶粒度，其中，所述图案部包括供沉积物质通过的多个图案孔，以及其中，所述图案孔贯穿所述第一子图案部和所述第二子图案部。

【技术特征摘要】
2017.07.27 KR 10-2017-00957161.掩模框架组件，包括：框架，所述框架具有开口部；本体部，所述本体部与所述框架结合；以及图案部，所述图案部与所述本体部连接且被所述本体部围绕，并且所述图案部包括：第一子图案部，所述第一子图案部具有第一晶粒度；以及第二子图案部，所述第二子图案部布置在所述第一子图案部上，并且具有小于所述第一晶粒度的第二晶粒度，其中，所述图案部包括供沉积物质通过的多个图案孔，以及其中，所述图案孔贯穿所述第一子图案部和所述第二子图案部。2.如权利要求1所述的掩模框架组件，其中，所述本体部具有第一厚度，所述第一子图案部具有第二厚度，并且所述第二子图案部具有第三厚度，以及所述第一厚度大于所述第二厚度与所述第三厚度相加的厚度。3.如权利要求2所述的掩模框架组件，其中，所述第一厚度为10μm至50μm，以及所述第二厚度与所述第三厚度相加的厚度为5μm至20μm。4.如权利要求1所述的掩模框架组件，其中，所述本体部和所述第一子图案部包括通过轧制制造的因瓦合金和超级因瓦合金中的一种以上。5.如权利要求1所述的掩模框架组件，其中，所述第二子图案部包括通过电铸制造的因瓦合金和超级因瓦合金中的一种以上。6.如权利要求1所述的掩模框架组件，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：金仁培，文敏浩，任星淳，黄圭焕，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR