图案化有机膜层制备方法、阵列基板的制备方法技术

本发明专利技术提供一种图案化有机膜层制备方法、阵列基板的制备方法，属于显示技术领域。本发明专利技术的图案化有机膜层制备方法中，图案化有机膜层包括至少一组图案，每组图案包括多个子图案；其中，任意一组图案通过以下步骤形成：将基底竖直放置于有机溶液中，并静置预设时间，以使有机溶液的溶质在基底与有机溶液、空气接触位置处沉积形成预制图形；以预设速度沿远离有机溶液的方向提拉基底，以使在提拉过程中，有机溶液的溶质在基底与有机溶液、空气接触位置处沉积形成一组图案；每组图案中，多个子图案沿垂直于基底的提拉方向排列。

Patterned Organic Film Layer and Array Substrate

The invention provides a patterned organic film preparation method and a preparation method of an array substrate, belonging to the display technology field. In the patterned organic film preparation method of the present invention, the patterned organic film layer comprises at least one set of patterns, each group of patterns including multiple sub-patterns; among them, any set of patterns is formed by the following steps: the substrate is vertically placed in the organic solution, and the preset time is stationary, so that the solute of the organic solution is deposited at the contact position between the substrate and the organic solution and the air to form a prefabrication. Graphics; Pull the substrate away from the organic solution at a preset speed, so that the solute of the organic solution deposits at the contact position between the substrate and the organic solution and air to form a group of patterns; in each group of patterns, multiple sub-patterns are arranged in the direction perpendicular to the base.

【技术实现步骤摘要】
图案化有机膜层制备方法、阵列基板的制备方法
本专利技术属于显示
，具体涉及一种图案化有机膜层制备方法、阵列基板的制备方法。
技术介绍
目前，有机功能材料由于其分子可设计、易于制备，且可应用于全柔性器件等特点，使得其在诸如有源矩阵显示器，逻辑电路和传感器阵列类的大规模、高集成度工业领域具有广阔的应用前景。然而，这些大规模、高集成度的阵列器件通常需要出色的器件一致性和再现性，这就需要图案化的有机功能薄膜来减少阵列器件中相邻器件的串扰。现有的制备图案化的有机半导体薄膜的方法有以下几种：一是通过对基底进行预处理，使得基底表面具有图案化的亲疏水区域，然后通过旋涂等方法将有机半导体薄膜的前驱体溶液涂覆在基底表面上，干燥后形成图案化的有机半导体薄膜。这种方法具有图案化精度高、所制备薄膜厚度均匀的优点，但是其工艺步骤较多，制程时间长且难以应用于大面积均匀薄膜的制备。二是利用模板引导有机半导体的自组装来实现有机半导体薄膜的图案化。由于模板的存在，毛细作用力会首先将溶液引向模板，在溶剂蒸发后，压印出与模板形状对应的图案。但是该方法所制造的器件阵列通常具有较大的尺寸(100微米以上)和相对较低的分辨率，因此，对于大规模集成电路的应用还需要进一步完善。三是利用喷墨打印技术直接喷印有机半导体薄膜的前驱体溶液来实现阵列化有机半导体薄膜的制备。该方法可实现图案化、按需打印，最大的节约成本，但是利用该技术所制备的图案化薄膜的厚度均一性差，通常具有较差的器件性能。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种制备工艺简单、膜厚均一的图案化有机膜层制备方法。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种图案化有机膜层制备方法，所述图案化有机膜层包括至少一组图案，每组图案包括多个子图案；其中，任意一组图案通过以下步骤形成：将基底竖直放置于有机溶液中，并静置预设时间，以使所述有机溶液的溶质在所述基底与所述有机溶液、空气接触位置处沉积形成预制图形；以预设速度沿远离所述有机溶液的方向提拉所述基底，以使在提拉过程中，所述有机溶液的溶质在所述基底与所述有机溶液、空气接触位置处沉积形成一组图案；每组图案中，多个子图案沿垂直于所述基底的提拉方向排列。优选的，所述预设时间为100至200s。优选的，所述有机溶液的溶剂的挥发速率大于或者等于醋酸正丁酯的挥发速率。优选的，所述将基底竖直放置于有机溶液中的步骤之前还包括：加热所述有机溶液，以使所述有机溶液的溶剂的挥发速率大于或者等于醋酸正丁酯的挥发速率。优选的，所述有机溶液的溶质为TIPS并五苯；所述有机溶液的溶剂包括二氯甲烷。进一步优选的，所述有机溶液的浓度为10mg/ml；任意一组图案的形成步骤具体包括：将基底竖直放置于所述有机溶液中静置120s，以使所述TIPS并五苯在所述基底与所述有机溶液、空气接触位置处沉积形成预设图案；以5mm/min的速度沿远离所述有机溶液的方向提拉所述基底，以使在提拉过程中，所述TIPS并五苯在所述基底与所述有机溶液、空气接触位置处沉积形成一组图案。优选的，在以预设速度沿远离所述有机溶液的方向提拉所述基底预设距离以后，加速提拉所述基底，以使所述有机溶液的溶质无法在基底上形成图案。优选的，所述图案化有机膜层包括多组图案，其中，至少两组图案不同；任意两组不同图案的形成步骤中，所述预设时间和/或预设速度不同。优选的，所述子图案的形状为条形，所述条形的延伸方向平行于所述基底的提拉方向。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板的制备方法，包括上述任意一种图案化有机膜层制备方法。附图说明图1为本专利技术的实施例的图案化有机膜层制备方法的流程图；图2为本专利技术的实施例的图案化有机膜层制备方法中形成预制图形的示意图图3为本专利技术的实施例的图案化有机膜层制备方法中形成图案的示意图；图4为本专利技术的实施例的图案化有机膜层制备方法形成的图案化有机膜层的偏光显微镜图；图5为本专利技术的实施例的图案化有机膜层制备方法中提拉速度与时间的关系图；图6-8为本专利技术的实施例的图案化有机膜层制备方法中不同时间段基底的示意图；图9为本专利技术的实施例的图案化有机膜层制备方法中另一提拉速度与时间的关系图；图10为本专利技术的实施例的图案化有机膜层制备方法中根据图9的工艺参数制备的基底的示意图。其中附图标记为：1、基底；2、有机溶液；3、子图案。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。实施例1：如图1至10所示，本实施例提供一种图案化有机膜层制备方法。利用该制备方法所制备的图案化有机膜层中包括至少一组图案，每组图案包括多个子图案3。其中，任意一组图案通过以下步骤形成：S1、将基底1竖直放置于有机溶液2中，并静置预设时间，以使有机溶液2的溶质在基底1与有机溶液2、空气接触位置处沉积形成预制图形。本步骤中，将待形成有机膜层的基底1竖直浸入有机溶液2中，以使该基底1垂直于有机溶液2液面(由于重力等自然现象的存在，有机溶液2的液面通常是水平的)。并且，维持上述竖直状态以预设时间，在该预设时间内，如图2所示，有机溶液2在表面张力及重力作用下会在基底1、有机溶液2液面和空气三者接触线附近上升形成弯液面，同时，随着有机溶液2的溶剂蒸发，有机溶液2的溶质会在该接触线处沉积，从而在基底1上形成横条状的预制图形。其中，优选的，有机溶液2的溶剂的挥发速率大于或者等于醋酸正丁酯的挥发速率。即，有机溶液2的溶剂挥发速率应不小于醋酸正丁酯的挥发速率。现有技术中，通常以醋酸正丁酯挥发速率＝1.0作为标准参照，根据各溶剂相对醋酸正丁酯的挥发速率(即相对挥发速率)来表示各溶剂的挥发速率的快慢。也就是说，本实施例中的有机溶液2的溶剂的相对挥发速率应大于或者等于1.0，以保证预制图形以及图案化有机膜层的形成。优选的，当有机溶液2的溶剂的挥发速率小于醋酸正丁酯的挥发速率时，可对有机溶液2进行加热，以使有机溶液2的溶剂的挥发速率大于或者等于醋酸正丁酯的挥发速率。当然，有机溶液2的溶剂的挥发速率不小于醋酸正丁酯的挥发速率时，也可以对有机溶液2进行加热。本实施例中，有机溶液2的溶质用以形成有机膜层，其可为可溶性有机小分子材料，具体的，例如6，13-双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯(TIPS并五苯)，所用溶剂可为二氯甲烷，有机溶液2浓度可根据实际需求进行配制，具体可为10mg/ml。本实施例中，为了保证最终在基底1上成膜的均匀性，可对提前对基底1进行预处理，通过清洗工序去除基底1表面的杂质，使基底1待成膜面为光滑表面。S2、以预设速度沿远离有机溶液2的方向提拉基底1，以使在提拉过程中，有机溶液2的溶质在基底1与有机溶液2、空气接触位置处沉积形成一组图案；其中，每组图案中，多个子图案3沿垂直于基底1的提拉方向排列。在基底1静置于有机溶液2的时间段(预设时间)内，基底1、有机溶液2液面和空气三者接触位置处存在由于溶剂蒸发所产生的毛细作用力以及浓度梯度作用。如图3所示，当基底1以预设速度向上(远离有机溶液2的方向)提拉时，毛细作用力以及浓度梯度作用使得有机溶液2的溶质随着基底1的上升而被源源不断地送至接触线附近，并沉积形成有机膜层。同时，基底1在提拉时会受到不稳定因素，导致预制图形由横本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图案化有机膜层制备方法，其特征在于，所述图案化有机膜层包括至少一组图案，每组图案包括多个子图案；其中，任意一组图案通过以下步骤形成：将基底竖直放置于有机溶液中，并静置预设时间，以使所述有机溶液的溶质在所述基底与所述有机溶液、空气接触位置处沉积形成预制图形；以预设速度沿远离所述有机溶液的方向提拉所述基底，以使在提拉过程中，所述有机溶液的溶质在所述基底与所述有机溶液、空气接触位置处沉积形成一组图案；每组图案中，多个子图案沿垂直于所述基底的提拉方向排列。

【技术特征摘要】
1.一种图案化有机膜层制备方法，其特征在于，所述图案化有机膜层包括至少一组图案，每组图案包括多个子图案；其中，任意一组图案通过以下步骤形成：将基底竖直放置于有机溶液中，并静置预设时间，以使所述有机溶液的溶质在所述基底与所述有机溶液、空气接触位置处沉积形成预制图形；以预设速度沿远离所述有机溶液的方向提拉所述基底，以使在提拉过程中，所述有机溶液的溶质在所述基底与所述有机溶液、空气接触位置处沉积形成一组图案；每组图案中，多个子图案沿垂直于所述基底的提拉方向排列。2.根据权利要求1所述的图案化有机膜层制备方法，其特征在于，所述预设时间为100至200s。3.根据权利要求1所述的图案化有机膜层制备方法，其特征在于，所述有机溶液的溶剂的挥发速率大于或者等于醋酸正丁酯的挥发速率。4.根据权利要求1所述的图案化有机膜层制备方法，其特征在于，所述将基底竖直放置于有机溶液中的步骤之前还包括：加热所述有机溶液，以使所述有机溶液的溶剂的挥发速率大于或者等于醋酸正丁酯的挥发速率。5.根据权利要求1所述的图案化有机膜层制备方法，其特征在于，所述有机溶液的溶质为TIPS并五苯；所述有机溶液的溶剂包括二氯甲烷。...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾勋，梅文娟，鉏文权，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11