薄膜晶体管、栅极驱动电路和显示面板制造技术

本发明专利技术的实施例公开了薄膜晶体管、栅极驱动电路和显示面板。该薄膜晶体管包括：衬底基板，设置在衬底基板上的梳齿形状的栅极、有源层、位于栅极和有源层之间的栅极绝缘层、以及梳齿形状的源电极和漏电极。源电极的第一齿部和漏电极的第二齿部沿第一方向交替设置，并且在衬底基板上的正投影与有源层分别至少部分重叠。栅极的第三齿部位于邻近的第一齿部和第二齿部之间。有源层与第三齿部在衬底基板上的正投影相交的区域为第一相交部。第一齿部、第二齿部、第三齿部以及有源层形成多个并联的子薄膜晶体管。多个子薄膜晶体管中在中心位置处的至少一个中心子薄膜晶体管的第一相交部在第一方向上的第一尺寸与该第一相交部在第二方向上的第二尺寸的比值最大，其中，第二方向与第一方向垂直。

Thin Film Transistor, Gate Drive Circuit and Display Panel

The embodiment of the present invention discloses a thin film transistor, a gate driving circuit and a display panel. The thin film transistor includes a substrate, a comb-shaped gate, an active layer, a gate insulating layer between the gate and the active layer, and a comb-shaped source and drain electrode. The first tooth of the source electrode and the second tooth of the drain electrode are alternately arranged in the first direction, and the orthographic projection on the substrate overlaps at least partially with the active layer, respectively. The third tooth of the grid is located between the adjacent first tooth and the second tooth. The area where the active layer intersects the orthographic projection of the third tooth on the substrate is the first intersection. The first tooth part, the second tooth part, the third tooth part and the active layer form a plurality of parallel sub-thin film transistors. The ratio of the first dimension of the first intersection part of at least one central thin film transistor in the central position of a plurality of sub-thin film transistors in the first direction to the second dimension of the first intersection part in the second direction is the largest, in which the second direction is perpendicular to the first direction.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、栅极驱动电路和显示面板
本专利技术涉及显示
，具体地，涉及薄膜晶体管、栅极驱动电路和显示面板。
技术介绍
目前，显示面板的窄边框化已成为趋势。在显示面板中，可采用将栅极驱动电路整合到阵列基板上的技术实现，即GOA(GateDriverOnArray)技术。在GOA技术中，通常需要具有超大宽长比的薄膜晶体管来实现大电流，以保证显示面板的显示效果。在现有技术中，具有超大宽长比的薄膜晶体管一般采用由多个子薄膜晶体管并联形成的梳状薄膜晶体管。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种薄膜晶体管、相应的栅极驱动电路和显示面板，其能够减少在薄膜晶体管的中心区域积累的热量，从而避免由于中心区域过热而导致的晶体管的击穿现象。根据本专利技术的第一方面，提供了一种薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括衬底基板、设置于衬底基板上的梳齿形状的栅极、有源层、位于栅极和有源层之间的栅极绝缘层、以及梳齿形状的源电极和漏电极。进一步地，源电极的第一齿部和漏电极的第二齿部沿第一方向交替设置并且在衬底基板上的正投影与有源层分别至少部分重叠。栅极的第三齿部位于邻近的第一齿部和第二齿部之间。有源层与第三齿部在衬底基板上的正投影相交的区域为第一相交部。第一齿部、第二齿部、第三齿部以及有源层形成多个并联的子薄膜晶体管。多个子薄膜晶体管中在中心位置处的至少一个中心子薄膜晶体管的第一相交部在第一方向上的第一尺寸与第一相交部在第二方向上的第二尺寸的比值最大，且第二方向与第一方向垂直。在本专利技术的实施例中，多个子薄膜晶体管的相应的第一相交部的第二尺寸相同，并且至少一个中心子薄膜晶体管的第一相交部的第一尺寸最大。在本专利技术的实施例中，多个子薄膜晶体管中不同于至少一个中心子薄膜晶体管的其它子薄膜晶体管的第一相交部的第一尺寸相同。在本专利技术的实施例中，对于多个子薄膜晶体管中不同于至少一个中心子薄膜晶体管的其它子薄膜晶体管，随着与至少一个中心子薄膜晶体管之间的距离的增加，其它子薄膜晶体管的第一相交部的第一尺寸减小。在本专利技术的实施例中，有源层在第二方向上被分隔成多个段。在本专利技术的实施例中，多个段在第二方向上的尺寸相同。在本专利技术的实施例中，多个段在第二方向上的尺寸不同。在本专利技术的实施例中，多个段中处于中心位置处的至少一个段在第二方向上的尺寸最小。在本专利技术的实施例中，多个子薄膜晶体管的相应的第一相交部的第一尺寸相同，并且至少一个中心子薄膜晶体管的第一相交部的第二尺寸最小。在本专利技术的实施例中，对于多个子薄膜晶体管中不同于至少一个中心子薄膜晶体管的其它子薄膜晶体管的第一相交部的第二尺寸相同。在本专利技术的实施例中，对于多个子薄膜晶体管中不同于至少一个中心薄膜晶体管的其它子薄膜晶体管，随着与至少一个中心子薄膜晶体管之间的距离的增加，其它子薄膜晶体管的第一相交部的第二尺寸增大。在本专利技术的实施例中，对于多个子薄膜晶体管中的各个子薄膜晶体管，有源层中用于形成该子薄膜晶体管的区域在第二方向上被分隔成多个段。在本专利技术的实施例中，至少一个中心子薄膜晶体管的第一相交部的第一尺寸最大且第二尺寸最小。根据本专利技术的第二方面，提供了一种栅极驱动电路。该栅极驱动电路包括根据本专利技术的第一方面所述的薄膜晶体管。根据本专利技术的第三方面，提供了一种阵列基板。该阵列基板包括根据本专利技术的第二方面所述的栅极驱动电路。根据本专利技术的第四方面，提供了一种阵列基板。该阵列基板包括根据本专利技术的第一方面所述的薄膜晶体管。附图说明为了更清楚地说明本专利技术的实施例的技术方案，下面将对实施例的附图进行简要说明，应当知道，以下描述的附图仅仅涉及本专利技术的一些实施例，而非对本专利技术的限制，其中，贯穿这些附图的各个视图，相应的参考编号指示相应的部件或特征：图1是现有的示例性梳状薄膜晶体管的平面示意图；图2是根据本专利技术的第一实施例的薄膜晶体管的平面示意图；图3是根据本专利技术的第二实施例的薄膜晶体管的平面示意图；图4是根据本专利技术的第三实施例的薄膜晶体管的平面示意图；图5是根据本专利技术的第四实施例的薄膜晶体管的平面示意图；图6是根据本专利技术的第五实施例的薄膜晶体管的平面示意图；图7是根据本专利技术的第六实施例的薄膜晶体管的平面示意图；图8是根据本专利技术的第七实施例的薄膜晶体管的平面示意图；图9是根据本专利技术的第八实施例的薄膜晶体管的平面示意图；图10是根据本专利技术的第九实施例的薄膜晶体管的平面示意图；图11是根据本专利技术的第十实施例的薄膜晶体管的平面示意图；图12是根据本专利技术的第十一实施例的薄膜晶体管的平面示意图；图13是根据本专利技术的实施例的栅极驱动电路的示意性框图；以及图14是根据本专利技术的实施例的显示面板的示意性框图。具体实施方式为了使本专利技术的实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图，对本专利技术的实施例的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，也都属于本专利技术保护的范围。当介绍本专利技术的元素及其实施例时，冠词“一”、“一个”、“该”和“所述”旨在表示存在一个或者多个要素。用语“包含”、“包括”、“含有”和“具有”旨在包括性的并且表示可以存在除所列要素之外的另外的要素。出于下文表面描述的目的，如其在附图中被标定方向那样，术语“上”、“下”、“左”、“右”“垂直”、“水平”、“顶”、“底”及其派生词应涉及专利技术。术语“上覆”、“在……顶上”、“定位在……上”或者“定位在……顶上”意味着诸如第一结构的第一要素存在于诸如第二结构的第二要素上，其中，在第一要素和第二要素之间可存在诸如界面结构的中间要素。术语“接触”意味着连接诸如第一结构的第一要素和诸如第二结构的第二要素，而在两个要素的界面处可以有或者没有其它要素。除非另外定义，否则在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本专利技术主题所属领域的技术人员所通常理解的相同含义。进一步将理解的是，诸如在通常使用的词典中定义的那些的术语应解释为具有与说明书上下文和相关技术中它们的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于正式的形式来解释，除非在此另外明确定义。如在此所使用的，将两个或更多部分“连接”或“耦接”到一起的陈述应指这些部分直接结合到一起或通过一个或多个中间部件结合。图1示意性地示出了现有的示例性的具有超大宽长比的梳状薄膜晶体管的平面示意图。如图1所示，梳状薄膜晶体管可包括衬底基板(未示出)、梳齿形状的栅极101、有源层102、位于栅极和有源层之间的栅极绝缘层(未示出)、以及梳齿形状的源电极103和漏电极104。源电极103的第一齿部(图示为3个)和漏电极104的第二齿部(图示为3个)沿图示的水平方向交替设置。第一齿部和第二齿部在衬底基板上的正投影与有源层102部分重叠以在有源层102上形成源区域和漏区域。栅极101的第三齿部(图示为5个)位于邻近的第一齿部和第二齿部之间。有源层102与第三齿部在衬底基板上的正投影相交的区域(即第一相交部)在有源层102上形成沟道区。这样，第一齿部、第二齿部、第三齿部和有源层102可形成五个并联的子薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5。在图1所示的薄膜晶体管中，子薄膜晶体管T2与T1共用漏电极104的第一个第二齿部并与T3共用源电极103的第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，包括：衬底基板，设置于所述衬底基板上的梳齿形状的栅极、有源层、位于所述栅极和有源层之间的栅极绝缘层、以及梳齿形状的源电极和漏电极，其中，所述源电极的第一齿部和所述漏电极的第二齿部沿第一方向交替设置，并且在所述衬底基板上的正投影与所述有源层分别至少部分重叠；所述栅极的第三齿部位于邻近的第一齿部和第二齿部之间；所述有源层与所述第三齿部在所述衬底基板上的正投影相交的区域为第一相交部；所述第一齿部、所述第二齿部、所述第三齿部以及所述有源层形成多个并联的子薄膜晶体管；所述多个子薄膜晶体管中在中心位置处的至少一个中心子薄膜晶体管的第一相交部在所述第一方向上的第一尺寸与所述第一相交部在第二方向上的第二尺寸的比值最大，其中所述第二方向与所述第一方向垂直。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括：衬底基板，设置于所述衬底基板上的梳齿形状的栅极、有源层、位于所述栅极和有源层之间的栅极绝缘层、以及梳齿形状的源电极和漏电极，其中，所述源电极的第一齿部和所述漏电极的第二齿部沿第一方向交替设置，并且在所述衬底基板上的正投影与所述有源层分别至少部分重叠；所述栅极的第三齿部位于邻近的第一齿部和第二齿部之间；所述有源层与所述第三齿部在所述衬底基板上的正投影相交的区域为第一相交部；所述第一齿部、所述第二齿部、所述第三齿部以及所述有源层形成多个并联的子薄膜晶体管；所述多个子薄膜晶体管中在中心位置处的至少一个中心子薄膜晶体管的第一相交部在所述第一方向上的第一尺寸与所述第一相交部在第二方向上的第二尺寸的比值最大，其中所述第二方向与所述第一方向垂直。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述多个子薄膜晶体管的相应的第一相交部的第二尺寸相同，并且所述至少一个中心子薄膜晶体管的所述第一相交部的第一尺寸最大。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，所述多个子薄膜晶体管中不同于所述至少一个中心子薄膜晶体管的其它子薄膜晶体管的第一相交部的第一尺寸相同。4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，对于所述多个子薄膜晶体管中不同于所述至少一个中心子薄膜晶体管的其它子薄膜晶体管，随着与所述至少一个中心子薄膜晶体管之间的距离的增加，所述其它子薄膜晶体管的第一相交部的第一尺寸减小。5.根据权利要求1至4中任一项所述的薄膜晶体管，其中，所述有源层在所述第二方向上被分隔成多个段。6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中，所述多个段在所述第二方向上的尺寸相同。7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中，所述多个段在所述第二方向上的尺寸不同。8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其中，所述多个段中处于中心位置处...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘凤娟，韩影，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11