反相器及GOA电路制造技术

一种反相器，包括：第一薄膜晶体管，包括：第一基板；至少一第一缓冲层，形成于所述第一基板上；以及第一多晶硅层，形成于所述至少一第一缓冲层上的一部分；以及第二薄膜晶体管，包括：第二基板；至少一第二缓冲层，形成于所述第二遮光层上；以及第二多晶硅层，形成于所述至少一第二缓冲层上的一部分。所述第一薄膜晶体管进一步包括第一遮光层形成于所述第一基板及所述至少一第一缓冲层之间，及/或所述第二薄膜晶体管进一步包括第二遮光层形成于所述第二基板及所述至少一第二缓冲层之间。还提供一种GOA电路。

【技术实现步骤摘要】
反相器及GOA电路
本揭示涉及显示装置，特别是涉及一种用于显示装置的反相器及GOA电路。
技术介绍
阵列栅极驱动(GatedriverOnArray，GOA)电路是利用显示面板的制程将控制扫描线的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)组件制作在显示面板的显示区周边。GOA电路包括反相器、(inverter，INV)、传输门(transfergate，TG)、与非门(NANDgate)、或非门(NORgate)等基本逻辑电路。请参阅图1，图1显示现有技术中利用反相器输出扫描信号至扫描线G的示意图。所述反相器包括P型薄膜晶体管P以及N型薄膜晶体管N。所述P型薄膜晶体管P的栅极及所述N型薄膜晶体管N的栅极电性连接至输入端点IN。所述P型薄膜晶体管P的源极电性连接至直流电压源VGH(高电平)。所述N型薄膜晶体管N的源极电性连接至直流电压源VGL(低电平)。所述P型薄膜晶体管P的漏极及所述N型薄膜晶体管N的漏极电性连接至所述扫描线G。当一高电平讯号输入至所述输入端点IN时，所述P型薄膜晶体管P不导通，所述N型薄膜晶体管N导通，所述扫描线G为低电平(电性连接至直流电压源VGL)。当一低电平讯号输入至所述输入端点IN时，所述P型薄膜晶体管P导通，所述N型薄膜晶体管N不导通，所述扫描线G为高电平(电性连接至直流电压源VGH)。当所述P型薄膜晶体管P的电气特性变差，导致临界电压(thresholdvoltage)Vth往正数值偏移，因此P型薄膜晶体管P的Vgs会趋于临界电压Vth，P型薄膜晶体管P的导通电流增大。直流电压源VGH(高电平)和直流电压源VGL(低电平)之间会存在导通路径，最终导致扫描线G趋近于0伏特，进而使得与画素电性连接的薄膜晶体管慢慢导通，漏电流增加，导致面板出现串扰现象。因此需要对现有技术中的问题提出解决方法。
技术实现思路
当P型薄膜晶体管的电气特性变差，导致临界电压往正数偏移，使得与画素电性连接的薄膜晶体管慢慢导通，漏电流增加，导致面板出现串扰现象。本揭示的目的在于提供一种反相器及GOA电路，其能解决现有技术中的问题。为解决上述问题，本揭示提供的一种反相器，用于GOA电路，所述反相器包括：第一薄膜晶体管，包括：第一基板；至少一第一缓冲层，形成于所述第一基板上；第一多晶硅层，形成于所述至少一第一缓冲层上的一部分；第一栅极绝缘层，形成于所述至少一第一缓冲层上以及所述第一多晶硅层上；以及第一栅极，形成于所述第一栅极绝缘层上；以及第二薄膜晶体管，包括：第二基板；至少一第二缓冲层，形成于所述第二基板上；第二多晶硅层，形成于所述至少一第二缓冲层上的一部分；第二栅极绝缘层，形成于所述至少一第二缓冲层上以及所述第二多晶硅层上；以及第二栅极，形成于所述第二栅极绝缘层上。所述第一薄膜晶体管进一步包括第一遮光层形成于所述第一基板及所述至少一第一缓冲层之间，及/或所述第二薄膜晶体管进一步包括第二遮光层形成于所述第二基板及所述至少一第二缓冲层之间。于一实施例中，所述第一栅极电性连接至一输入端点，且所述第二栅极电性连接至所述输入端点。于一实施例中，所述第一薄膜晶体管进一步包括一第一源极以及一第一漏极，所述第一源极电性连接至一第一直流电压源，所述第一漏极电性连接至一输出端点，所述第二薄膜晶体管进一步包括一第二源极以及一第二漏极，所述第二源极电性连接至一第二直流电压源，所述第二漏极电性连接至所述输出端点。于一实施例中，所述第一薄膜晶体管为P型薄膜晶体管。于一实施例中，所述第二薄膜晶体管为N型薄膜晶体管。本揭示提供的一种GOA电路包括多个反相器，每一反相器包括：第一薄膜晶体管，包括：第一基板；第一遮光层，形成于所述第一基板上；至少一第一缓冲层，形成于所述第一遮光层上；第一多晶硅层，形成于所述第一缓冲层上的一部分；第一栅极绝缘层，形成于所述至少一第一缓冲层上以及所述第一多晶硅层上；以及第一栅极，形成于所述第一栅极绝缘层上；以及第二薄膜晶体管，包括：第二基板；第二遮光层，形成于所述第二基板上；至少一第二缓冲层，形成于所述第二遮光层上；第二多晶硅层，形成于所述第二缓冲层上的一部分；第二栅极绝缘层，形成于所述至少一第二缓冲层上以及所述第二多晶硅层上；以及第二栅极，形成于所述第二栅极绝缘层上。所述第一薄膜晶体管进一步包括第一遮光层形成于所述第一基板上，及/或所述第二薄膜晶体管进一步包括第二遮光层形成于所述第二基板上。于一实施例中，所述第一栅极电性连接至一输入端点，且所述第二栅极电性连接至所述输入端点。于一实施例中，所述第一薄膜晶体管进一步包括一第一源极以及一第一漏极，所述第一源极电性连接至一第一直流电压源，所述第一漏极电性连接至一输出端点，所述第二薄膜晶体管进一步包括一第二源极以及一第二漏极，所述第二源极电性连接至一第二直流电压源，所述第二漏极电性连接至所述输出端点。于一实施例中，所述第一薄膜晶体管为P型薄膜晶体管。于一实施例中，所述第二薄膜晶体管为N型薄膜晶体管。相较于现有技术，本揭示之GOA电路的反相器中，由于在P型薄膜晶体管及N型薄膜晶体管的至少一者设置遮光层，所述遮光层能减少所述漏电流，进而避免所述显示面板的串扰现象。为让本揭示的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：附图说明图1显示现有技术中利用反相器输出扫描信号至扫描线的示意图。图2显示根据本揭示一实施例之GOA电路的反相器的上视图。图3显示图2沿线段AA’的剖面图。图4显示图2沿线段BB’的剖面图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本揭示可用以实施的特定实施例。请参阅图2至图4，图2显示根据本揭示一实施例之GOA电路的反相器的上视图，图3显示图2沿线段AA’的剖面图，图4显示图2沿线段BB’的剖面图。所述GOA电路包括多个反相器且设置于一显示面板上。更明确地说，所述GOA电路设置于所述显示面板的显示区周边。每一所述反相器包括一第一薄膜晶体管T1以及一第二薄膜晶体管T2。所述第一薄膜晶体管T1包括一第一基板10、一第一遮光层12、至少一第一缓冲层(图中显示两第一缓冲层14、16)、一第一多晶硅层(polysiliconlayer)18、一第一栅极绝缘层20、一第一栅极G1、一第一源极S1以及一第一漏极D1。所述第一基板10为所述显示面板的阵列基板。所述第一基板10可以但不限于为玻璃基板或软性基板。所述第一遮光层12形成于所述第一基板10上。所述第一缓冲层14形成于所第一遮光层12上。所述第一缓冲层14可以为氧化硅层或氮化硅层。所述第一缓冲层16形成于所述第一缓冲层14上。所述第一缓冲层16可以为氧化硅层或氮化硅层。所述第一多晶硅层18形成于所述第一缓冲层16上的一部分。所述第一栅极绝缘层20形成于所述第一缓冲层16上以及所述第一多晶硅层18上。所述第一栅极G1形成于所述第一栅极绝缘层20上且电性连接至一输入端点IN。所述第一源极S1以及所述第一漏极D1形成的位置与现有技术相同，于此不多加赘述。所述第一源极S1电性连接至一第一直流电压源V1。所述第一漏极D1电性连接至一输出端点OUT。所述输出端点OUT电性连接至所述面板之一扫描线。所述第二薄膜晶体管T2包括一第二基板30、一第二遮光层32、至本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反相器，用于GOA电路，其特征在于，所述反相器包括：第一薄膜晶体管，包括：第一基板；至少一第一缓冲层，形成于所述第一基板上；第一多晶硅层，形成于所述至少一第一缓冲层上的一部分；第一栅极绝缘层，形成于所述至少一第一缓冲层上以及所述第一多晶硅层上；以及第一栅极，形成于所述第一栅极绝缘层上；以及第二薄膜晶体管，包括：第二基板；至少一第二缓冲层，形成于所述第二基板上；第二多晶硅层，形成于所述至少一第二缓冲层上的一部分；第二栅极绝缘层，形成于所述至少一第二缓冲层上以及所述第二多晶硅层上；以及第二栅极，形成于所述第二栅极绝缘层上，其中所述第一薄膜晶体管进一步包括第一遮光层形成于所述第一基板及所述至少一第一缓冲层之间，及/或所述第二薄膜晶体管进一步包括第二遮光层形成于所述第二基板及所述至少一第二缓冲层之间。

【技术特征摘要】
1.一种反相器，用于GOA电路，其特征在于，所述反相器包括：第一薄膜晶体管，包括：第一基板；至少一第一缓冲层，形成于所述第一基板上；第一多晶硅层，形成于所述至少一第一缓冲层上的一部分；第一栅极绝缘层，形成于所述至少一第一缓冲层上以及所述第一多晶硅层上；以及第一栅极，形成于所述第一栅极绝缘层上；以及第二薄膜晶体管，包括：第二基板；至少一第二缓冲层，形成于所述第二基板上；第二多晶硅层，形成于所述至少一第二缓冲层上的一部分；第二栅极绝缘层，形成于所述至少一第二缓冲层上以及所述第二多晶硅层上；以及第二栅极，形成于所述第二栅极绝缘层上，其中所述第一薄膜晶体管进一步包括第一遮光层形成于所述第一基板及所述至少一第一缓冲层之间，及/或所述第二薄膜晶体管进一步包括第二遮光层形成于所述第二基板及所述至少一第二缓冲层之间。2.根据权利要求1所述的反相器，其特征在于，所述第一栅极电性连接至一输入端点，且所述第二栅极电性连接至所述输入端点。3.根据权利要求1所述的反相器，其特征在于，所述第一薄膜晶体管进一步包括一第一源极以及一第一漏极，所述第一源极电性连接至一第一直流电压源，所述第一漏极电性连接至一输出端点，所述第二薄膜晶体管进一步包括一第二源极以及一第二漏极，所述第二源极电性连接至一第二直流电压源，所述第二漏极电性连接至所述输出端点。4.根据权利要求1所述的反相器，其特征在于，所述第一薄膜晶体管为P型薄膜晶体管。5.根据权利要求1所述的反相器，其特征在于，所述第二薄膜晶体管为N型薄膜晶体管。6.一种G...

【专利技术属性】
技术研发人员：余华伦，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42