一种屏蔽双绞线线缆的结构及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种屏蔽双绞线线缆的结构及制备方法，包括第一导线、第二导线、第一介电绝缘体、第二介电绝缘体、第三介电绝缘体、屏蔽层及第四介电绝缘体，本发明专利技术采用银氨法，在第三介电绝缘体的表面生长导电银层，采用光刻掩模法，使析出导电银层的第三介电绝缘体的银层图形化，构成屏蔽层，可实现在介点绝缘层原位生长屏蔽层，制备工艺上更为便捷，具有结构简单、电磁屏蔽层与导电绝缘层贴敷牢固，屏蔽效率高的优点。

Structure and preparation method of shielded twisted pair cable

The invention discloses a structure and a preparation method of shielded twisted pair cable, including a first conductor, a second conductor, a first dielectric insulator, a second dielectric insulator, a third dielectric insulator, a shielding layer and a fourth dielectric insulator. The invention adopts silver ammonia method to grow a conductive silver layer on the surface of the third dielectric insulator, and uses photolithographic mask method to precipitate the first conductive silver layer. The silver layer of the three dielectric insulators is graphical and forms a shielding layer. The shielding layer can be grown in situ on the insulating layer of the intermediate point. The preparation process is more convenient. It has the advantages of simple structure, firm application of electromagnetic shielding layer and conductive insulating layer, and high shielding efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种屏蔽双绞线线缆的结构及制备方法
本专利技术涉及电线线缆制备
，尤其是一种屏蔽双绞线线缆的结构及制备方法。
技术介绍
数字通信的飞速发展使得在数据传送速度上需求日渐增长。在电子组件尚泳衣连接这些数字数据处理器的传输媒介，对诸如光纤电缆、同轴电缆或者双绞线电缆的要求越来越高。而在高速的数据传送过程中，电磁屏蔽的要求也越来越严苛。现有的光纤电缆提供了可支持高达将近100Gb/s的数据速率并且几乎免于电磁干扰的传输媒介。但是因为价格昂贵，不便于普遍推广及应用，而大多数的同轴电缆在高速数据传送上，如何更为高效的制备电磁屏蔽层，尚存在较多问题。近年来，一些研究通过编制导体形成屏蔽层实现电缆间的通信互联。如专利号201410092225.4的屏蔽双绞线电缆；专利号201210433370.5的屏蔽电线；它们虽然对电线电缆的制备工艺略有简化，且具有一定的电磁屏蔽效果，但存在的问题是，其电磁屏蔽层与导电绝缘层贴敷的牢度不够，易脱落，导致电磁屏蔽层的蔽层效率降低。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术的不足而提供的一种屏蔽双绞线线缆的结构及制备方法，本专利技术采用银氨法，在第三介电绝缘体的表面生长导电银层，采用光刻掩模法，使析出导电银层的第三介电绝缘体的银层图形化，构成屏蔽层，可实现在介点绝缘层原位生长屏蔽层，制备工艺上更为便捷，具有结构简单、电磁屏蔽层与导电绝缘层贴敷牢固，屏蔽效率高的优点。实现本专利技术目的的具体技术方案是：一种屏蔽双绞线线缆的结构，其特点包括第一导线、第二导线、第一介电绝缘体、第二介电绝缘体、第三介电绝缘体、屏蔽层及第四介电绝缘体，所述第一导线及第二导线均为中心双绞线；所述第一介电绝缘体及第二介电绝缘体分别包裹在第一导线及第二导线外侧，将第一导线及第二导线并列设置，第三介电绝缘体包裹在第一介电绝缘体及第二介电绝缘体的外侧，屏蔽层包裹在第三介电绝缘体的外侧，第四介电绝缘体包裹在屏蔽层的外侧。一种屏蔽双绞线线缆的制备方法，其特点包括如下步骤：步骤1：分别在第一导线及第二导线的外表面均匀涂敷一层质量比为12wt%的聚酰胺酸；步骤2：将步骤1所涂敷有聚酰胺酸的第一导线及第二导线置于200℃加热台上加热，加热时间：90～120分钟；使涂敷在第一导线及第二导线的聚酰胺酸亚胺化成为聚酰亚胺，自然冷却至室温，构成第一介电绝缘体及第二介电绝缘体；步骤3：将包裹有第一介电绝缘体及第二介电绝缘体的第一导线及第二导线并列设置，在其外表再次涂敷一层质量比为12wt%的聚酰胺酸，置于60℃加热台上加热，加热时间：20～30分钟；使涂敷的聚酰胺酸固化，构成第三介电绝缘体(21)；步骤4：使用银氨法，使步骤3所得的第三介电绝缘体的表面生长导电银层，具体包括：S4.1：将硝酸银溶于去离子水中，搅拌均匀，得浓度为0.2～0.3mol/L的硝酸银溶液；S4.2：将S4.1所得的硝酸银溶液缓慢滴加NH3含量为25%～28%的氨水，使得溶液从浑浊变澄清，滴定结束，得到银氨溶液；S4.3：将步骤3所得的第三介电绝缘体浸入S4.2所得的银氨溶液中，浸入时间：13～15分钟；S4.4：将S4.3所得的第三介电绝缘体用去离子水冲洗，并置于浓度为8～10mmol／L的还原剂中，使之析出导电银层；步骤5：使用光刻掩模法，使步骤4所得析出导电银层的第三介电绝缘体的银层图形化，构成屏蔽层，具体过程如下：S5.1：采用喷墨打印机将所需导电银层的图形打印在菲林片上，制作光刻掩模版；S5.2：将光刻掩模版贴敷至感光蓝膜，使之表面平整、无气泡、无褶皱，采用UV光刻机进行光刻蚀，光强度为500～800cd，时间为90～120s；S5.3：将感光蓝膜卷曲贴敷到步骤4所得的导电银层的表面上，置于60℃加热台上，加热时间：5～10分钟，使感光蓝膜与导电银层粘附；S5.4：将感光蓝膜光刻后放入显影剂中进行显影，使之未被曝光的感光蓝膜被脱掉；S5.5：放入刻蚀剂中，使暴露出来的导电银层被刻蚀；S5.6：放入分析纯的丙酮中脱膜，使之被曝光的感光蓝膜被除去，构成屏蔽层；步骤6：用聚丙烯制成第四介电绝缘体，并包裹在步骤5所得的屏蔽层的外表面上，完成屏蔽双绞线线缆的制备。3、根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述还原剂为硼氢化钠溶液、过氧化氢溶液或对苯二酚溶液。4、根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀剂为0.1～0.5mol/L的氯化钾溶液。5、根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述显影剂为pH=12的氢氧化钠溶液。附图说明图1为本专利技术的结构示意图。具体实施方式参阅图1，本专利技术的结构包括第一导线1、第二导线2、第一介电绝缘体11、第二介电绝缘体12、第三介电绝缘体21、屏蔽层31及第四介电绝缘体41，所述第一导线1及第二导线2均为中心双绞线。所述第一介电绝缘体11及第二介电绝缘体12分别包裹在第一导线1及第二导线2外侧，将第一导线1及第二导线2并列设置，第三介电绝缘体21包裹在第一介电绝缘体11及第二介电绝缘体12的外侧，屏蔽层31包裹在第三介电绝缘体21的外侧，第四介电绝缘体41包裹在屏蔽层31的外侧。本专利技术的制备方法，包括如下步骤：步骤1：分别在第一导线1及第二导线2的外表面均匀涂敷一层质量比为12wt%的聚酰胺酸。步骤2：将步骤1所涂敷有聚酰胺酸的第一导线1及第二导线2置于200℃加热台上加热，加热时间：90～120分钟；使涂敷在第一导线1及第二导线2的聚酰胺酸亚胺化成为聚酰亚胺，自然冷却至室温，构成第一介电绝缘体11及第二介电绝缘体12。步骤3：将包裹有第一介电绝缘体11及第二介电绝缘体12的第一导线1及第二导线2并列设置，在其外表再次涂敷一层质量比为12wt%的聚酰胺酸，置于60℃加热台上加热，加热时间：20～30分钟；使涂敷的聚酰胺酸固化，构成第三介电绝缘体21。步骤4：使用银氨法，使步骤3所得的第三介电绝缘体21的表面生长导电银层，具体包括：S4.1：将硝酸银溶于去离子水中，搅拌均匀，得浓度为0.2～0.3mol/L的硝酸银溶液；S4.2：将S4.1所得的硝酸银溶液缓慢滴加NH3含量为25%～28%的氨水，使得溶液从浑浊变澄清，滴定结束，得到银氨溶液；S4.3：将步骤3所得的第三介电绝缘体21浸入S4.2所得的银氨溶液中，浸入时间：13～15分钟；S4.4：将S4.3所得的第三介电绝缘体21用去离子水冲洗，并置于浓度为8～10mmol／L的还原剂中，使之析出导电银层。步骤5：使用光刻掩模法，使步骤4所得析出导电银层的第三介电绝缘体21的银层图形化，构成屏蔽层31，具体过程如下：S5.1：采用喷墨打印机将所需导电银层的图形打印在菲林片上，制作光刻掩模版；S5.2：将光刻掩模版贴敷至感光蓝膜，使之表面平整、无气泡、无褶皱，采用UV光刻机进行光刻蚀，光强度为500～800cd，时间为90～120s；S5.3：将感光蓝膜卷曲贴敷到步骤4所得的导电银层的表面上，置于60℃加热台上，加热时间：5～10分钟，使感光蓝膜与导电银层粘附；S5.4：将感光蓝膜光刻后放入显影剂中进行显影，使之未被曝光的感光蓝膜被脱掉；S5.5：放入刻蚀剂中，使暴露出来的导电银层被刻蚀；S5.6：放入分析纯的丙酮中脱膜，使之被曝光的感光蓝膜被除去，构成屏蔽层31。步骤本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种屏蔽双绞线线缆的结构，其特征在于，它包括第一导线(1)、第二导线(2)、 第一介电绝缘体(11)、第二介电绝缘体(12)、第三介电绝缘体(21)、屏蔽层(31)及第四介电绝缘体(41)，所述第一导线(1)及第二导线(2)均为中心双绞线；所述第一介电绝缘体(11)及第二介电绝缘体(12)分别包裹在第一导线(1)及第二导线(2)外侧，将第一导线(1)及第二导线(2)并列设置，第三介电绝缘体(21)包裹在第一介电绝缘体(11)及第二介电绝缘体(12)的外侧，屏蔽层(31)包裹在第三介电绝缘体(21)的外侧，第四介电绝缘体(41)包裹在屏蔽层(31)的外侧。

【技术特征摘要】
1.一种屏蔽双绞线线缆的结构，其特征在于，它包括第一导线(1)、第二导线(2)、第一介电绝缘体(11)、第二介电绝缘体(12)、第三介电绝缘体(21)、屏蔽层(31)及第四介电绝缘体(41)，所述第一导线(1)及第二导线(2)均为中心双绞线；所述第一介电绝缘体(11)及第二介电绝缘体(12)分别包裹在第一导线(1)及第二导线(2)外侧，将第一导线(1)及第二导线(2)并列设置，第三介电绝缘体(21)包裹在第一介电绝缘体(11)及第二介电绝缘体(12)的外侧，屏蔽层(31)包裹在第三介电绝缘体(21)的外侧，第四介电绝缘体(41)包裹在屏蔽层(31)的外侧。2.一种屏蔽双绞线线缆的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤1：分别在第一导线(1)及第二导线(2)的外表面均匀涂敷一层质量比为12wt%的聚酰胺酸；步骤2：将步骤1所涂敷有聚酰胺酸的第一导线(1)及第二导线(2)置于200℃加热台上加热，加热时间：90～120分钟；使涂敷在第一导线(1)及第二导线(2)的聚酰胺酸亚胺化成为聚酰亚胺，自然冷却至室温，构成第一介电绝缘体(11)及第二介电绝缘体(12)；步骤3：将包裹有第一介电绝缘体(11)及第二介电绝缘体(12)的第一导线(1)及第二导线(2)并列设置，在其外表再次涂敷一层质量比为12wt%的聚酰胺酸，置于60℃加热台上加热，加热时间：20～30分钟；使涂敷的聚酰胺酸固化，构成第三介电绝缘体(21)；步骤4：使用银氨法，使步骤3所得的第三介电绝缘体(21)的表面生长导电银层，具体包括：S4.1：将硝酸银溶于去离子水中，搅拌均匀，得浓度为0.2～0.3mol/L的硝酸银溶液；S4.2...

【专利技术属性】
技术研发人员：李佳，张健，黄淳，
申请(专利权)人：华东师范大学，
类型：发明
国别省市：上海,31