一种存储记录方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种存储记录方法及装置，所述存储记录方法包括：确定待存储的记录所对应的索引；将待存储的记录存储到所述索引所指向的第一存储区域的第一缓存区中；判断第一缓存区是否存满；若第一缓存区已存满，将第一缓存区存储的记录迁移到第二存储区域中；将待存储的记录所对应的索引存储到所述索引区中。本发明专利技术实施例的存储记录方法及装置可解决第二存储区域(例如Flash)的存储擦写次数与寿命之间的矛盾问题。同时，该存储记录方法及装置还可以降低了存储索引时在同一空间片(同一位置)的多次擦写，可提高第一存储区域的使用寿命。

A Storage Recording Method and Device

The embodiment of the present invention provides a storage recording method and device, which includes: determining the index corresponding to the record to be stored; storing the record to be stored in the first buffer of the first storage area indicated by the index; determining whether the first buffer is full; and migrating the record stored in the first buffer to the first buffer if the first buffer is full. In the second storage area, the index corresponding to the record to be stored is stored in the index area. The storage recording method and device according to the embodiment of the present invention can solve the contradiction between the storage erase times and the life of the second storage area (e.g. Flash). At the same time, the storage and recording method and device can also reduce the multiple erasure of the same spatial slice (same location) when storing the index, and improve the service life of the first storage area.

【技术实现步骤摘要】
一种存储记录方法及装置
本专利技术涉及一种嵌入式
，特别涉及一种存储记录方法及装置。
技术介绍
随着科技的进步，嵌入式软硬件技术得到了飞速发展。在通信领域中，嵌入式设备随着用户需求增大，对各式记录需求开始增大，记录数量开始增多，存储频率也开始加快。闪存(FlashMemory)是一种广泛使用的非易失性的存储器。闪存的特点是读写速度快，缺点是存储管理繁琐，可靠擦写次数有限，闪存以数据块(sector)为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数据，必须先擦除后再写入。采用闪存存储小数据需要高频次写入，如果使用普通方法存储记录，高频次擦写会影响闪存的使用寿命。
技术实现思路
为了解决存储器的存储擦写次数与寿命之间的矛盾问题，本专利技术实施例提供了一种存储记录方法及装置。依据本专利技术实施例的一个方面，提供了一种存储记录方法，包括：确定待存储的记录所对应的索引；将待存储的记录存储到所述索引所指向的第一存储区域的第一缓存区中；判断所述第一缓存区是否存满；若所述第一缓存区已存满，将所述第一缓存区存储的记录迁移到第二存储区域中；将所述待存储的记录所对应的索引存储到所述第一存储区域的索引区中。可选地，将所述第一缓存区存储的记录迁移到第二存储区域中，包括：将所述第一缓存区存储的记录迁移到第二存储区域的第二缓存区中；判断所述第二缓存区是否存满；若所述第二缓存区存满，将所述第二缓存区的记录迁移到第二存储区域的数据区中。可选地，所述索引区包括由多个空间片组成的空间片序列；将所述待存储的记录所对应的索引存储到所述第一存储区域的索引区中，包括：将所述索引存储到所述索引区中的除上一次存储索引的空间片之外的其他任意一个空间片中。可选地，所述将待存储的索引存储到第一存储区域的索引区中的除上一次存储索引的空间片之外的其他任意一个空间片中，包括：根据第一存储区域的索引区的第一空间片中的第一索引和第一校验位，判断所述第一空间片是否为上一次存储索引的空间片，其中所述第一校验位基于第一索引计算得到的；如果第一空间片是上一次存储索引的空间片，将所述索引存储到所述索引区的第二空间片，其中，所述第二空间片是所述第一空间片的下一个空间片。可选地，所述将待存储的索引存储到第一存储区域的索引区中的除上一次存储索引的空间片之外的其他任意一个空间片中，还包括：如果第一空间片不是上一次存储索引的空间片，判断第二空间片是否是所述空间片序列中的最后一个空间片，其中，所述第二空间片是第一空间片的下一个空间片；如果第二空间片是所述空间片序列中的最后一个空间片，将所述索引存储到索引区的指定的空间片中；如果第二空间片不是所述空间片序列中的最后一个空间片，根据所述第二空间片中的第二索引和第二校验位，判断第二空间片是否为上一次存储索引的空间片；如果第二空间片是上一次存储索引的空间片，将当前待存储的记录所对应的索引存储到索引区的第二空间片的下一个空间片中。可选地，所述根据所述索引区的第一空间片中的第一索引和第一校验位，判断第一空间片是否为上一次存储索引的空间片，包括：根据所述索引区的第一空间片中的第一索引计算得到第三校验位；将所述第三校验位与所述第一校验位进行比较；若第三校验位与所述第一校验位一致，判断第一空间片为上一次存储索引的空间片；若第三校验位与所述第一校验位不一致，判断第一空间片不是上一次存储索引的空间片。依据本专利技术实施例的另一个方面，还提供了一种存储记录装置，包括：确定模块，用于确定待存储的记录所对应的索引；记录存储模块，用于将待存储的记录存储到所述索引所指向的第一存储区域的第一缓存区中；判断模块，用于判断所述第一缓存区是否存满；迁移模块，用于若所述第一缓存区已存满，将存储在所述第一缓存区存储的记录迁移到第二存储区域中；索引存储模块，用于将所述待存储的记录所对应的索引存储到第一存储区域的索引区中。可选地，索引存储模块，包括：索引存储单元，用于将所述索引存储到所述索引区中的除上一次存储索引的空间片之外的其他任意一个空间片中。依据本专利技术实施例的又一个方面，还提供了一种存储记录装置，包括：存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现如上所述的存储记录方法中的步骤。依据本专利技术实施例的再一个方面，还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现如上所述的存储记录方法中的步骤。本专利技术的实施例具有如下有益效果：首先，通过先将单条记录存储到第一存储区域中，待第一存储区域存满时，再将存储在第一存储区域中存储的记录迁移到第二存储区域中，避免在每次存储单条记录时需要对第二存储区域进行整体擦除，这样可以减少第二存储区域的擦写次数，可提高第二存储区域寿命。进一步地，本专利技术实施例的存储记录方法及装置在存储记录时做先读后写的操作可大大提高记录(或称为数据)的保存速度。第二存储区域采用Flash时，通过本专利技术实施例的存储记录方法及装置可解决Flash的存储擦写次数与寿命之间的矛盾问题。其次，通过将当前待存储的索引存储到第一存储区域的索引区中的除上一次存储索引的空间片之外的其他任意一个空间片中，这样可以避免存储索引时在同一空间片(同一位置)的多次擦写，可提高第一存储区域的使用寿命。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种存储记录装置的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种存储记录方法的流程图；图3为本专利技术实施例提供的另一种存储记录方法的流程图；图4为本专利技术实施例提供的再一种存储记录方法的流程图；图5为本专利技术实施例提供的又一种存储记录方法的流程图；图6为本专利技术实施例提供的一种存储记录装置的结构示意图；图7为本专利技术另一实施例提供的存储记录装置的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。本专利技术的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术的实施例例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。图1为本专利技术实施例提供的一种存储记录装置的结构示意图，参见图1，所述存储记录装置包括：MCU(MicrocontrollerUnit，微控制单元)、第一存储区域和第二存储区域，其中MCU分别与第一存储区域和第二存储区域电连接。所述MCU可用于逻辑计算以及第一存储区域和第二存储区域的连接通道。例如，所述MCU可用于判断第一存储区域或第二存储区域是否存满，所述MCU还可用于将存储在第一存储区域中存储的记录迁移至第二存储区域中。需要说明的是，以上有关于MCU用途的描述，只是示例并非限定。所述第一存储区域包括一个或多个用于存储待存储记录的存储介质，例如，继续参见图1，所述第一存储区域可包括：EEPROM(ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory，电可擦可编程只读存储器)和RAM(RandomAccessMemory，易挥发性随机存取存储器)。此时，所述第一缓存区和索引区可分别设置在EEPROM和RAM中。或者，所述第一存储区域包括：EEPROM。所述第一缓存区和索引区均本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储记录方法，其特征在于，所述存储记录方法包括：确定待存储的记录所对应的索引；将待存储的记录存储到所述索引所指向的第一存储区域的第一缓存区中；判断所述第一缓存区是否存满；若所述第一缓存区已存满，将所述第一缓存区存储的记录迁移到第二存储区域中；将所述待存储的记录所对应的索引存储到第一存储区域的索引区中。

【技术特征摘要】
1.一种存储记录方法，其特征在于，所述存储记录方法包括：确定待存储的记录所对应的索引；将待存储的记录存储到所述索引所指向的第一存储区域的第一缓存区中；判断所述第一缓存区是否存满；若所述第一缓存区已存满，将所述第一缓存区存储的记录迁移到第二存储区域中；将所述待存储的记录所对应的索引存储到第一存储区域的索引区中。2.根据权利要求1所述的存储记录方法，其特征在于，将所述第一缓存区存储的记录迁移到第二存储区域中，包括：将所述第一缓存区存储的记录迁移到第二存储区域的第二缓存区中；判断所述第二缓存区是否存满；若所述第二缓存区存满，将所述第二缓存区的记录迁移到第二存储区域的数据区中。3.根据权利要求1所述的存储记录方法，其特征在于，所述索引区包括由多个空间片组成的空间片序列；将所述待存储的记录所对应的索引存储到所述第一存储区域的索引区中，包括：将所述索引存储到所述索引区中的除上一次存储索引的空间片之外的其他任意一个空间片中。4.根据权利要求3所述的存储记录方法，其特征在于，所述将待存储的索引存储到第一存储区域的索引区中的除上一次存储索引的空间片之外的其他任意一个空间片中，包括：根据所述索引区的第一空间片中的第一索引和第一校验位，判断所述第一空间片是否为上一次存储索引的空间片，其中，所述第一校验位基于第一索引计算得到的；如果第一空间片是上一次存储索引的空间片，将所述索引存储到所述索引区的第二空间片，其中，所述第二空间片是所述第一空间片的下一个空间片。5.根据权利要求4所述的存储记录方法，其特征在于，所述将待存储的索引存储到第一存储区域的索引区中的除上一次存储索引的空间片之外的其他任意一个空间片中，还包括：如果第一空间片不是上一次存储索引的空间片，判断第二空间片是否是所述空间片序列中的最后一个空间片，其中，所述第二空间片是第一空间片的下一个空间片；如果第二空间片是所述空间片序列中的最...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘斌，
申请(专利权)人：中兴通讯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44