一种用于超辐射发光二极管的级联装置制造方法及图纸

技术编号:20107184 阅读:19 留言:0更新日期:2019-01-16 09:28
本实用新型专利技术属于光电设备技术领域,公开了一种用于超辐射发光二极管的级联装置,包括盒体及置于盒体内的控制电路、光纤束、光纤合束器和光纤法兰;所述盒体设有多个容纳超辐射发光二极管的工位;所述控制电路具有与所述工位对应的多组,每组控制电路对应连接一个超辐射发光二极管;所述光纤束一端的端头与所述工位的数量相适应,用于与每个工位的超辐射发光二极管对应连接,所述光纤束另一端的端头经所述光纤合束器后与光纤法兰连接。本实用新型专利技术的有益效果包括:通过多个超辐射发光二极管与光纤合束器的配合使用,将多路宽带光合在一起,以提高输出功率和增大光谱宽度,克服了传统方法中光源质量不好的缺陷,方便实用。

【技术实现步骤摘要】
一种用于超辐射发光二极管的级联装置
本技术涉及光电设备
,尤其是涉及一种用于超辐射发光二极管的级联装置。
技术介绍
超辐射发光二极管(SLD)近年来迅速发展,它是介于激光器(LD)和发光二极管(LED)之间的一种半导体光电器件,具有输出功率高,光谱宽度宽等特点,极其适合用于诸如光学相干层析(OCT)成像系统和光纤陀螺仪(FOG)等应用。但在很多应用中,单个超辐射发光二极管(SLD)往往功率或带宽达不到使用要求。现有解决办法是采用泵浦源,利用光纤激光器原理制作光源,但存在光束质量不好,过程复杂等诸多弊端。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述技术不足,提出一种用于超辐射发光二极管的级联装置,解决现有技术中单个超辐射发光二极管输出功率和带宽不足、光束质量差的技术问题。为达到上述技术目的,本技术的技术方案提供一种用于超辐射发光二极管的级联装置,包括盒体及置于盒体内的控制电路、光纤束、光纤合束器和光纤法兰;所述盒体设有多个容纳超辐射发光二极管的工位;所述控制电路具有与所述工位对应的多组,每组控制电路对应连接一个超辐射发光二极管;所述光纤束一端的端头与所述工位的数量相适应,用于与每个工位的超辐射发光二极管对应连接,所述光纤束另一端的端头经所述光纤合束器后与光纤法兰连接。与现有技术相比,本技术的有益效果包括:通过多个超辐射发光二极管与光纤合束器的配合使用,将多路宽带光合在一起,以提高输出功率和增大光谱宽度,克服了传统方法中光源质量不好的缺陷,方便实用。附图说明图1是本技术的结构示意图;图2是控制电路的原理框图;图3是控制电路的电路结构示意图;图4是第一超辐射发光二极管发出的宽带光的光谱图;图5是第二超辐射发光二极管发出的宽带光的光谱图;图6是经本技术合并后的宽带光的光谱图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。本技术提供了一种用于超辐射发光二极管的级联装置,如图1所示,包括盒体1及置于盒体1内的控制电路2、光纤束3、光纤合束器4和光纤法兰5。所述盒体1起保护和固定内部零部件的作用,其内部设有两个容纳第一超辐射发光二极管6和第二超辐射发光二极管7的工位1.1。所述控制电路2具有与所述工位1.1对应的多组,每组控制电路2对应连接一个超辐射发光二极管。所述光纤束3一端的端头与所述工位1.1的数量相适应,即两个,用于与每个工位1.1的超辐射发光二极管对应连接,所述光纤束3另一端的端头经所述光纤合束器4后与光纤法兰5连接。光纤束3用于将多束宽带光合为一束,光纤束3可盘绕固定于模块盒体1,保证光导的同时有利于盒体1内零件的合理布局。光纤法兰5将合为一束的宽带光向外输出。工作原理:置于盒体1内各自工位1.1上的两个超辐射发光二极管(第一超辐射发光二极管6和第二超辐射发光二极管7)分别在各自连接的控制电路2的控制下发光,光纤束3将两路宽带光有向导出,并在光纤合束器4的作用下合并为一束,最后经光纤法兰5向外导出,提高了输出功率和增大了光谱宽度。超辐射发光二极管1的光谱图如图4所示,超辐射发光二极管2的光谱图如图5所示,经本案提供的级联装置作用后的宽带光的光谱图如图6所示,可见3dB带宽和功率均有不同程度的增加。作为优选的,每个所述工位1.1均设有热沉,可辅助散热。作为优选的,所述光纤法兰5是FC/APC光纤连接器。作为优选的,如图2和图3所示,所述控制电路2包括用于驱动超辐射发光二极管的驱动电路2.1,和用于控制超辐射发光二极管内部制冷器的温度控制电路2.2。驱动电路2.1为超辐射发光二极管提供稳定的电源;温度控制电路2.2可配合超辐射发光二极管内部的半导体制冷器(TEC)来稳定器件温度,避免环境温度变化引起超辐射发光二极管的性能变化。以上所述本技术的具体实施方式,并不构成对本技术保护范围的限定。任何根据本技术的技术构思所做出的各种其他相应的改变与变形,均应包含在本技术权利要求的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于超辐射发光二极管的级联装置,其特征在于:包括盒体及置于盒体内的控制电路、光纤束、光纤合束器和光纤法兰;所述盒体设有多个容纳超辐射发光二极管的工位;所述控制电路具有与所述工位对应的多组,每组控制电路对应连接一个超辐射发光二极管;所述光纤束一端的端头数量与所述工位的数量相适应,每个端头用于与每个工位的超辐射发光二极管对应连接,所述光纤束另一端的端头经所述光纤合束器后与光纤法兰连接。

【技术特征摘要】
1.一种用于超辐射发光二极管的级联装置,其特征在于:包括盒体及置于盒体内的控制电路、光纤束、光纤合束器和光纤法兰;所述盒体设有多个容纳超辐射发光二极管的工位;所述控制电路具有与所述工位对应的多组,每组控制电路对应连接一个超辐射发光二极管;所述光纤束一端的端头数量与所述工位的数量相适应,每个端头用于与每个工位的超辐射发光二极管对应连接,所述光纤束另一端的端头经所述光纤合束器后与光纤法兰...

【专利技术属性】
技术研发人员:张润何威威吕小威李同宁游毓麒
申请(专利权)人:武汉英飞华科技有限公司
类型:新型
国别省市:湖北,42

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