发光装置及其制造方法制造方法及图纸

一种发光装置及其制造方法，发光装置包括基板、黏着层、微型发光元件、第一导电层与第二导电层。微型发光元件的发光面远离基板。微型发光元件包括第一半导体层、第二半导体层、系连层、第一电极与第二电极。第一半导体层的垂直投影面积大于第二半导体层的垂直投影面积。第二半导体层比第一半导体层更接近于基板。系连层覆盖第一半导体层的部分侧面与部分下表面以及第二半导体层的侧面与部分下表面。第一电极与第二电极分别通过系连层的第一通孔与第二通孔而电性连接第一半导体层与第二半导体层。第一导电层与第二导电层分别电性连接第一电极与第二电极。

Luminescent Device and Its Manufacturing Method

A light emitting device and a manufacturing method thereof comprise a substrate, an adhesive layer, a micro light emitting element, a first conductive layer and a second conductive layer. The light-emitting surface of the micro-light-emitting element is far away from the substrate. The micro light-emitting elements include a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, a tie layer, a first electrode and a second electrode. The vertical projection area of the first semiconductor layer is larger than that of the second semiconductor layer. The second semiconductor layer is closer to the substrate than the first semiconductor layer. The connecting layer covers part of the side and part of the lower surface of the first semiconductor layer and the side and part of the lower surface of the second semiconductor layer. The first electrode and the second electrode electrically connect the first semiconductor layer and the second semiconductor layer through the first through-hole and the second through-hole of the connecting layer, respectively. The first conductive layer and the second conductive layer electrically connect the first electrode and the second electrode, respectively.

【技术实现步骤摘要】
发光装置及其制造方法
本专利技术涉及一种发光装置，且特别涉及一种具有系连层的发光装置及其制造方法。
技术介绍
微型发光元件(或称微型发光二极管)的发光装置为新一代的显示装置，其具有效率高、寿命长、不易破损、反应速度快以及可靠性高等优点。但是，仍然有可能存在微型发光元件的有效发光面积较少等等的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种发光装置，可以增加微型发光元件的有效发光面积。本专利技术的一种发光装置包括基板、黏着层、微型发光元件、第一导电层以及第二导电层。黏着层位于基板上。黏着层的下表面朝向基板且黏着层的上表面背对基板。微型发光元件位于黏着层的凹槽中。微型发光元件的发光面远离基板。微型发光元件包括第一半导体层、第二半导体层、系连层、第一电极以及第二电极。第二半导体层与第一半导体层重叠。第一半导体层的垂直投影面积大于第二半导体层的垂直投影面积。第二半导体层比第一半导体层更接近于基板。系连层覆盖第一半导体层的部分侧面、第一半导体层的部分下表面、第二半导体层的侧面以及第二半导体层的部分下表面。系连层具有第一通孔与第二通孔。第一通孔对应于第一半导体层的该部分下表面以及第二通孔对应于第二半导体层的该部分下表面。第一电极位于系连层上，且通过第一通孔而与第一半导体层电性连接。第二电极位于系连层上，且通过第二通孔而与第二半导体层电性连接。第一导电层位于基板上，且电性连接第一电极。第二导电层位于基板上，且电性连接第二电极。本专利技术的一种发光装置的制造方法，包括：形成微型发光元件于成长基板上，其中，微型发光元件包含第一半导体层、第二半导体层、系连层、第一电极与第二电极，系连层设置于第一半导体层与第二半导体层上，且系连层具有第一延伸部、第二延伸部以及沿着预定方向延伸的至少一系连，第一电极与第二电极分别设置于第一延伸部以及第二延伸部上，且分别电性连接于第一半导体层与第二半导体层；形成第一牺牲层于微型发光元件上；形成第二牺牲层于微型发光元件上，其中系连连接牺牲部，且牺牲部接触第二牺牲层；提供中介基板于第二牺牲层上以形成中介结构，倒置中介结构，并移除生长基板；移除第一牺牲层；于基板上形成黏着层；利用转置装置接触微型发光元件的第一半导体层，且将微型发光元件转置于黏着层上；以及形成第一导电层和第二导电层于基板上，第一导电层和第二导电层分别电性连接第一电极与第二电极。以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。附图说明图1是依照本专利技术的一实施例的一种发光装置的制造方法的流程图；图2A～图12A、图15A～图17A是依照本专利技术的第一实施例的一种发光装置的制造方法的上视示意图；图2B～图12B、图15B～图17B是依照本专利技术的第一实施例的一种发光装置的制造方法的剖面示意图；图7C～图12C、图13、图14、图15C～图16C是依照本专利技术的第一实施例的一种发光装置的制造方法的剖面示意图；图18是依照本专利技术的第二实施例的一种发光装置的剖面示意图；图19是依照本专利技术的第三实施例的一种发光装置的剖面示意图；图20是依照本专利技术的一实施例的一种发光装置的制造方法的流程图；图21是依照本专利技术的第四实施例的一种发光装置的剖面示意图。其中，附图标记10、20、30、40：发光装置100：微型发光元件110：第一半导体材料层110’：第一半导体层120：发光材料层120’：发光层130：第二半导体材料层130’：第二半导体层140：系连材料层140’：系连层142’：第一延伸部144’：第二延伸部146’：系连148’：牺牲部152：第一电极152A：第一重叠部154：第二电极154A：第二重叠部162：第一导电层164：第二导电层200：中介结构210：第一牺牲层220：第二牺牲层310：黏着层310A：上表面310B：下表面312：凹槽312A：第一子凹槽312B：第二子凹槽312C：第三子凹槽322：第一接垫324：第二接垫B1、B3、B4：第一面BS：底层D1、X1、X2：方向GS：成长基板H1：第一通孔H2：第二通孔MS：中介基板O：开口O1：第一开孔O2：第二开孔RS：基板S1～S8：步骤SW1、SW2、SW3：侧面T：转置装置T1：第二面W1、W2：宽度具体实施方式以下将以附图揭露本专利技术的多个实施方式，为明确说明，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解的是，这些实务上的细节不应用被以限制本专利技术。也就是说，在本专利技术部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些现有的结构与元件在图中将省略或以简单示意的方式为之。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同或类似的元件。在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。应当理解，当一元件被称为在另一元件「上」或「连接到」另一元件时，所述元件可以直接在所述另一元件上或与所述另一元件连接，或者所述元件与所述另一元件中间可以存在其他中间元件。相反，当元件被称为「直接在另一元件上」或「直接连接到另一元件」时，所述元件与所述另一元件中间不存在其他中间元件。本文所使用的「连接」可以指物理及/或电性连接。再者，二元件互相「电性连接」或「耦合」并不限制是二元件互相直接连接，二元件之间可以存在其它元件。应当理解，尽管术语「第一」与「第二」等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层及/或部分，但是这些元件、部件、区域、及/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。本文使用的术语仅仅是为了描述本专利技术特定的实施例，而不是用来限制本专利技术。举例来说，本文使用的「一」、「一个」和「该」并非限制元件为单数形式或复数形式。本文使用的「或」表示「及/或」。如本文所使用的，术语「及/或」包括一个或多个相关所列项目的任何和所有组合。还应当理解，当在本说明书中使用时，术语「包括」或「包含」指定所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件及/或其组合的存在或添加。此外，诸如「下」或「底部」和「上」或「顶部」的相对术语可在本文中用于描述一个元件与另一元件的关系，如图所示。应当理解，相对术语旨在包括除了图中所示的方位的外的装置的不同方位。例如，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为原本在其他元件的「下」侧的元件将被定向在其他元件的「上」侧。因此，示例性术语「下」可以包括「下」和「上」的取向，取决于附图的特定取向。类似地，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为原本在其他元件「下」或「下方」的元件将被定向为在其他元件「上方」。因此，示例性术语「下」或「下方」可以包括上方和下方的取向。本文使用的「约」、「大致」、或「实质上」包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(例如：测量系统的限制)或工艺系统的偏差(例如：工艺系统的限制)。例如，「约」可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或±30％、±20％、±10％、±5％内。再者，本文使用的「约」或「实质上」可依光学性质、蚀刻性质或其它性质，来选择较可接受的偏差范围或标准偏差，而可不用一个标准偏差适用全部性质。除本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光装置，其特征在于，包括：一基板；一黏着层，位于该基板上，其中该黏着层的下表面朝向该基板且该黏着层的上表面背对该基板；一微型发光元件，位于该黏着层的一凹槽中，其中该微型发光元件的发光面远离该基板，且该微型发光元件包括：一第一半导体层；一第二半导体层，与该第一半导体层重叠，其中该第一半导体层的垂直投影面积大于该第二半导体层的垂直投影面积，且该第二半导体层比该第一半导体层更接近于该基板；一系连层，覆盖该第一半导体层的部分侧面、该第一半导体层的部分下表面、该第二半导体层的侧面以及该第二半导体层的部分下表面，其中，该系连层具有一第一通孔与一第二通孔，且该第一通孔对应于该第一半导体层的该部分下表面以及该第二通孔对应于该第二半导体层的该部分下表面；一第一电极，位于该系连层上，且通过该第一通孔而与该第一半导体层电性连接；以及一第二电极，位于该系连层上，且通过该第二通孔而与该第二半导体层电性连接；一第一导电层，位于该基板上，且电性连接该第一电极；以及一第二导电层，位于该基板上，且电性连接该第二电极。

【技术特征摘要】
2018.07.17 TW 1071246841.一种发光装置，其特征在于，包括：一基板；一黏着层，位于该基板上，其中该黏着层的下表面朝向该基板且该黏着层的上表面背对该基板；一微型发光元件，位于该黏着层的一凹槽中，其中该微型发光元件的发光面远离该基板，且该微型发光元件包括：一第一半导体层；一第二半导体层，与该第一半导体层重叠，其中该第一半导体层的垂直投影面积大于该第二半导体层的垂直投影面积，且该第二半导体层比该第一半导体层更接近于该基板；一系连层，覆盖该第一半导体层的部分侧面、该第一半导体层的部分下表面、该第二半导体层的侧面以及该第二半导体层的部分下表面，其中，该系连层具有一第一通孔与一第二通孔，且该第一通孔对应于该第一半导体层的该部分下表面以及该第二通孔对应于该第二半导体层的该部分下表面；一第一电极，位于该系连层上，且通过该第一通孔而与该第一半导体层电性连接；以及一第二电极，位于该系连层上，且通过该第二通孔而与该第二半导体层电性连接；一第一导电层，位于该基板上，且电性连接该第一电极；以及一第二导电层，位于该基板上，且电性连接该第二电极。2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，部分该第一电极自该系连层沿着远离该第一半导体层的一第一方向延伸，且部分该第二电极自该系连层沿着远离该第一半导体层的一第二方向延伸。3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该基板具有一第一接垫以及一第二接垫，其中该第一导电层通过该黏着层的一第一开孔而电性连接该第一接垫，且该第二导电层通过该黏着层的一第二开孔而电性连接该第二接垫。4.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，部分该系连层位于该第二导电层与该第一半导体层之间。5.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该第一电极的一第一重叠部重叠并接触该第一导电层，该第二电极的一第二重叠部重叠并接触该第二导电层。6.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，，该第一导电层与该第二导电层皆位于该黏着层上。7.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该黏着层的该凹槽具有一第一子凹槽与一第二子凹槽，其中该第一导电层设置于该第一子凹槽且与该基板的一第一接垫接触，该第二导电层设置于该第二子凹槽且与该基板的一第二接垫接触。8.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，该第一导电层与该第二导电层至少其中一者的材料包含导电胶。9.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该黏着层的上表面具有暴露出部分该第一电极的一第一子凹槽，该黏着层的上表面具有暴露出部分该第二电极的一第二子凹槽。10.一种发光装置的制造方法，其特征在于，包括：形成一微型发光元件于一成长基板上，其中，该微型发光元件，包含：一第一半导体层与一第二半导体层；一系连层，设置于该第一半导体层与该第二半导体层上，且该系连层具有一第一延伸部、一第二延伸部以及沿着一预定方向延伸的至少一系连；及一第一电极与一第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：蓝伊奋，何金原，吴宗典，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71