一种基于紧凑型谐振器的高效率F类堆叠功率放大器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于紧凑型谐振器的高效率F类堆叠功率放大器，包括输入基波匹配网络、三堆叠自偏置功率放大网络、基于紧凑型谐振器的F类匹配网络、栅极供电偏置网络以及漏极供电偏置网络。本实用新型专利技术采用基于自偏结构的三堆叠晶体管结构，并结合了基于紧凑型谐振器的F类匹配网络，使得电路在兼顾小型化的同时具有高效率、高增益、高功率输出能力，并具有良好的输入输出匹配，同时不需要额外的堆叠栅极偏置电压。

【技术实现步骤摘要】
一种基于紧凑型谐振器的高效率F类堆叠功率放大器
本技术属于场效应晶体管射频功率放大器和集成电路
，具体涉及一种基于紧凑型谐振器的高效率F类堆叠功率放大器的设计。
技术介绍
随着现代军用、民用通信技术的发展，射频前端发射机也向小型化、高效率、高增益、高功率输出的方向发展。因此市场迫切的需求小型化、高效率、高增益、高功率的功率放大器。然而，在传统高效率功率放大器的设计中，一直存在一些设计难题，主要体现在小型化、高效率指标相互制约：为了保证放大器的高效率工作，晶体管要工作在过驱动模式下，类似于开关状态，但是过驱动开关功率放大器的谐波阻抗控制单元往往需要占据较大的电路尺寸，这影响了电路小型化的指标。常见的高效率功率放大器的电路结构有很多，最典型的是传统AB类、C类，开关型D类、E类、F类功率放大器等，但是这些高效率放大器仍然存在一些不足，主要体现在：传统AB类放大器理论极限效率为78.5％，相对较低；C类放大器极限效率为100％，但是功率输出能力较低；开关型D类、E类、F类功率放大器等需要依赖精确的谐波阻抗控制，或者严格的阻抗匹配条件，这些控制和条件往往需要占据较大的电路尺寸。除此之外，现有高效率场效应管功率放大器往往是基于单个共源晶体管实现的，受到单个晶体管的限制，功率输出能力和功率增益能力都相对较低。
技术实现思路
本技术的目的是为了提出一种基于紧凑型谐振器的高效率F类堆叠功率放大器，利用自偏置晶体管堆叠技术以及高效率F类匹配技术，实现小型化下高效率、高增益、高功率输出特性。本技术的技术方案为：一种基于紧凑型谐振器的高效率F类堆叠功率放大器，包括输入基波匹配网络、三堆叠自偏置功率放大网络、基于紧凑型谐振器的F类匹配网络、栅极供电偏置网络以及漏极供电偏置网络；输入基波匹配网络的输入端为整个高效率F类堆叠功率放大器的输入端，其输出端与三堆叠自偏置功率放大网络的输入端连接；基于紧凑型谐振器的F类匹配网络的输出端为整个高效率F类堆叠功率放大器的输出端，其输入端分别与三堆叠自偏置功率放大网络的输出端以及漏极供电偏置网络连接；三堆叠自偏置功率放大网络的输入端还与栅极供电偏置网络连接，漏极供电偏置网络还与三堆叠自偏置功率放大网络连接。本技术的有益效果是：本技术采用基于自偏结构的三堆叠晶体管结构，并结合了基于紧凑型谐振器的F类匹配网络，使得电路在兼顾小型化的同时具有高效率、高增益、高功率输出能力，并具有良好的输入输出匹配，同时不需要额外的堆叠栅极偏置电压。进一步地，输入基波匹配网络包括电容C1，电容C1的一端为输入基波匹配网络的输入端，其另一端与微带线TL1的一端连接，微带线TL1的另一端分别与微带线TL4的一端以及开路微带线TL2连接，微带线TL4的另一端为输入基波匹配网络的输出端。上述进一步方案的有益效果是：本技术采用的输入基波匹配网络能够实现对射频输入的基波信号进行阻抗匹配，其中微带线TL1、微带线TL4和开路微带线TL2组成的T型匹配枝节能够有效强化对信号的阻抗匹配作用。进一步地，三堆叠自偏置功率放大网络包括按照源极-漏极相连堆叠构成的顶层晶体管Md3、中间层晶体管Md2以及底层晶体管Md1；底层晶体管Md1的源极接地，其栅极为三堆叠自偏置功率放大网络的输入端；中间层晶体管Md2的栅极分别与电阻R2的一端以及第一栅极补偿电路连接，电阻R2的另一端分别与电阻R4的一端以及接地电阻R5连接，第一栅极补偿电路包括串联的栅极稳定电阻R3和补偿接地电容C4；顶层晶体管Md3的漏极为三堆叠自偏置功率放大网络的输出端，其栅极分别与电阻R6的一端以及第二栅极补偿电路连接，电阻R6的另一端分别与电阻R4的另一端以及电阻R7的一端连接，电阻R7的另一端与漏极供电偏置网络连接，第二栅极补偿电路包括串联的栅极稳定电阻R1和补偿接地电容C5；底层晶体管Md1的漏极和中间层晶体管Md2的源极之间通过微带线TL5连接，中间层晶体管Md2的漏极和顶层晶体管Md3的源极之间通过微带线TL6连接。上述进一步方案的有益效果是：本技术的核心架构采用三堆叠自偏置放大网络，相较于传统高效率开关功率放大器往往采用单一晶体管，受到单个晶体管的限制，功率输出能力和功率增益能力都相对较低，本技术采用的三堆叠自偏置放大网络可以帮助现有高效率开关功率放大器提升功率容量和功率增益，并且本技术采用的三堆叠自偏置放大网络加入了自偏置结构，同时不需要额外的堆叠栅极偏置电压，大大简化了堆叠结构的外围栅极供电结构。进一步地，栅极供电偏置网络包括微带线TL3，微带线TL3的一端与三堆叠自偏置功率放大网络的输入端连接，其另一端分别与接地电容C2、接地电容C3以及低压偏置电源VG连接。上述进一步方案的有益效果是：栅极供电偏置网络能够对三堆叠自偏置功率放大网络中的底层晶体管Md1起到良好的栅极供电及偏置作用。进一步地，漏极供电偏置网络包括微带线TL24，微带线TL24的一端与基于紧凑型谐振器的F类匹配网络的输入端连接，其另一端分别与接地电容C6、接地电容C7、电阻R7以及高压偏置电源VD连接。上述进一步方案的有益效果是：漏极供电偏置网络能够对三堆叠自偏置功率放大网络中的顶层晶体管Md3起到良好的漏极供电及偏置作用。进一步地，基于紧凑型谐振器的F类匹配网络包括依次串联的微带线TL7、微带线TL8、微带线TL19、微带线TL20、微带线TL21、电容C8以及微带线TL22，微带线TL7未连接微带线TL8的一端为基于紧凑型谐振器的F类匹配网络的输入端，微带线TL22未连接电容C8的一端与接地微带线TL23连接，并作为基于紧凑型谐振器的F类匹配网络的输出端；微带线TL8和微带线TL19的连接节点还与开路微带线TL9以及开路微带线TL14连接；微带线TL19和微带线TL20的连接节点还与微带线TL11的一端以及微带线TL16的一端连接，微带线TL11的另一端分别与开路微带线TL10以及开路微带线TL12连接，微带线TL16的另一端分别与开路微带线TL15以及开路微带线TL17连接；微带线TL20和微带线TL21的连接节点还与开路微带线TL13以及开路微带线TL18连接；开路微带线TL9与开路微带线TL10相互耦合，开路微带线TL12与开路微带线TL13相互耦合，开路微带线TL14与开路微带线TL15相互耦合，开路微带线TL17与开路微带线TL18相互耦合。上述进一步方案的有益效果是：本技术的输出匹配网络采用基于紧凑型谐振器的高效率F类匹配架构，相较于现有的开关功率放大器的输出网络往往是针对窄带的输出阻抗进行独立控制的，并且往往需要占据较大的电路尺寸，本技术所提出的基于紧凑型谐振器的高效率F类匹配架构可以使得电路实现近似于三阶F类工作状态的输出阻抗的基波与二次谐波阻抗短路和三次谐波开路，从而实现高功率及高效率指标。附图说明图1所示为本技术实施例提供的一种基于紧凑型谐振器的高效率F类堆叠功率放大器原理框图。图2所示为本技术实施例提供的一种基于紧凑型谐振器的高效率F类堆叠功率放大器电路图。具体实施方式现在将参考附图来详细描述本技术的示例性实施方式。应当理解，附图中示出和描述的实施方式仅仅是示例性的，意在阐释本技术的原理和精神本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于紧凑型谐振器的高效率F类堆叠功率放大器，其特征在于，包括输入基波匹配网络、三堆叠自偏置功率放大网络、基于紧凑型谐振器的F类匹配网络、栅极供电偏置网络以及漏极供电偏置网络；所述输入基波匹配网络的输入端为整个所述高效率F类堆叠功率放大器的输入端，其输出端与三堆叠自偏置功率放大网络的输入端连接；所述基于紧凑型谐振器的F类匹配网络的输出端为整个所述高效率F类堆叠功率放大器的输出端，其输入端分别与三堆叠自偏置功率放大网络的输出端以及漏极供电偏置网络连接；所述三堆叠自偏置功率放大网络的输入端还与栅极供电偏置网络连接，所述漏极供电偏置网络还与三堆叠自偏置功率放大网络连接。

【技术特征摘要】
1.一种基于紧凑型谐振器的高效率F类堆叠功率放大器，其特征在于，包括输入基波匹配网络、三堆叠自偏置功率放大网络、基于紧凑型谐振器的F类匹配网络、栅极供电偏置网络以及漏极供电偏置网络；所述输入基波匹配网络的输入端为整个所述高效率F类堆叠功率放大器的输入端，其输出端与三堆叠自偏置功率放大网络的输入端连接；所述基于紧凑型谐振器的F类匹配网络的输出端为整个所述高效率F类堆叠功率放大器的输出端，其输入端分别与三堆叠自偏置功率放大网络的输出端以及漏极供电偏置网络连接；所述三堆叠自偏置功率放大网络的输入端还与栅极供电偏置网络连接，所述漏极供电偏置网络还与三堆叠自偏置功率放大网络连接。2.根据权利要求1所述的高效率F类堆叠功率放大器，其特征在于，所述输入基波匹配网络包括电容C1，所述电容C1的一端为输入基波匹配网络的输入端，其另一端与微带线TL1的一端连接，所述微带线TL1的另一端分别与微带线TL4的一端以及开路微带线TL2连接，所述微带线TL4的另一端为输入基波匹配网络的输出端。3.根据权利要求1所述的高效率F类堆叠功率放大器，其特征在于，所述三堆叠自偏置功率放大网络包括按照源极-漏极相连堆叠构成的顶层晶体管Md3、中间层晶体管Md2以及底层晶体管Md1；所述底层晶体管Md1的源极接地，其栅极为三堆叠自偏置功率放大网络的输入端；所述中间层晶体管Md2的栅极分别与电阻R2的一端以及第一栅极补偿电路连接，所述电阻R2的另一端分别与电阻R4的一端以及接地电阻R5连接，所述第一栅极补偿电路包括串联的栅极稳定电阻R3和补偿接地电容C4；所述顶层晶体管Md3的漏极为三堆叠自偏置功率放大网络的输出端，其栅极分别与电阻R6的一端以及第二栅极补偿电路连接，所述电阻R6的另一端分别与电阻R4的另一端以及电阻R7的一端连接，所述电阻R7的另一端与漏极供电偏置网络连接，所述第二栅极补偿电路包括串联的栅极稳定电阻R1和补偿接地电容C5；所述底层晶体管Md1的漏极和...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕继平，邬海峰，滑育楠，陈依军，胡柳林，童伟，王测天，
申请(专利权)人：成都嘉纳海威科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：四川,51