【技术实现步骤摘要】
一种利用ESD保护器件实现预加重的高速接口电路
本专利技术涉及接口电路设计领域,具体涉及一种利用ESD保护器件实现预加重的高速接口电路。
技术介绍
随着工艺不断的发展,系统工作频率不断的提高,芯片的输出接口电路成了制约芯片工作频率的主要因素。决定芯片输出接口电路工作频率两个关键的因素是电压转换速率(SlewRate)和输出接口信号的电容负载。传统的输出接口电路如图1所示:上拉驱动器P1,下拉驱动器N1。PESD是栅极接电源的上拉ESD保护电路,PESD的栅极通过电阻R2接到电源VDD上。NESD是栅极接地(VSS)的下拉ESD保护电路,NESD的栅极通过电阻R1接到VSS上。电阻R1和电阻R2的电阻值比较大,一般在1k~10KOhm。这种传统的输出接口电路,输出接口信号翻转慢,从而影响到工作频率。
技术实现思路
为了解决现有的输出接口电路工作频率低的技术问题,本专利技术的目的之一提供一种预加重电路;本专利技术的目的之二提供一种改善输出接口电路工作频率的方法,本专利技术的目的之三为提供一种利用ESD保护器件实现预加重的高速接口电路。本专利技术的技术解决方案为:一种提高输出接口电路工作频率的方法,其特殊之处在于包括以下步骤:S1)产生一个高频率上拉脉冲信号emp_p和一个高频率下拉脉冲信号emp_n;上拉脉冲信号emp_p的脉宽比输入信号inp窄且方向相反;下拉脉冲信号emp_n的脉宽比输入信号inp窄且方向相反;输入信号inp的下降沿处emp_n为高;输入信号inp的上升沿处emp_p为低;S2)将上拉脉冲信号emp_p转换为上拉瞬间开启信号g_pesd;将下拉 ...
【技术保护点】
1.一种提高输出接口电路工作频率的方法,其特征在于包括以下步骤:S1)产生一个高频率上拉脉冲信号emp_p和一个高频率下拉脉冲信号emp_n;上拉脉冲信号emp_p的脉宽比输入信号inp窄且方向相反;下拉脉冲信号emp_n的脉宽比输入信号inp窄且方向相反;输入信号inp的下降沿处emp_n为高;输入信号inp的上升沿处emp_p为低;S2)将上拉脉冲信号emp_p转换为上拉瞬间开启信号g_pesd;将下拉脉冲信号emp_n转换为下拉瞬间开启信号g_nesd;下拉脉冲信号emp_n为高时,下拉瞬间开启信号g_nesd打开ESD保护器件NESD;下拉脉冲信号emp_n的前一个脉冲的下降沿到下一个脉冲的上升沿段,下拉瞬间开启信号g_nesd关闭ESD保护器件NESD;上拉脉冲信号emp_p为低时,下拉瞬间开启信号g_pesd打开ESD保护器件PESD;上拉脉冲信号emp_p前一个脉冲的上升沿到下一个脉冲的下降沿段,下拉瞬间开启信号g_pesd关闭ESD保护器件PESD;S3)瞬间开启信号g_pesd打开上拉ESD保护器件PESD,拉高输出接口电路的输出信号outp;瞬间开启信号g_nesd ...
【技术特征摘要】
1.一种提高输出接口电路工作频率的方法,其特征在于包括以下步骤:S1)产生一个高频率上拉脉冲信号emp_p和一个高频率下拉脉冲信号emp_n;上拉脉冲信号emp_p的脉宽比输入信号inp窄且方向相反;下拉脉冲信号emp_n的脉宽比输入信号inp窄且方向相反;输入信号inp的下降沿处emp_n为高;输入信号inp的上升沿处emp_p为低;S2)将上拉脉冲信号emp_p转换为上拉瞬间开启信号g_pesd;将下拉脉冲信号emp_n转换为下拉瞬间开启信号g_nesd;下拉脉冲信号emp_n为高时,下拉瞬间开启信号g_nesd打开ESD保护器件NESD;下拉脉冲信号emp_n的前一个脉冲的下降沿到下一个脉冲的上升沿段,下拉瞬间开启信号g_nesd关闭ESD保护器件NESD;上拉脉冲信号emp_p为低时,下拉瞬间开启信号g_pesd打开ESD保护器件PESD;上拉脉冲信号emp_p前一个脉冲的上升沿到下一个脉冲的下降沿段,下拉瞬间开启信号g_pesd关闭ESD保护器件PESD;S3)瞬间开启信号g_pesd打开上拉ESD保护器件PESD,拉高输出接口电路的输出信号outp;瞬间开启信号g_nesd打开下拉ESD保护器件NESD,拉低输出接口电路的输出信号outp。2.根据权利要求1所述的改善输出接口电路工作频率的方法,其特征在于,S2)中通过电容c_p将上拉脉冲信号emp_p转换为上拉瞬间开启信号g_pesd;通过电容c_n将上拉脉冲信号emp_n转换为下拉瞬间开启信号g_pesd。3.一种N型预加重电路,其特征在于:包括反相器组:对输入信号inp进行延时处理得到反相信号inp_n_n;或非门Nor1:输入信号inp与反相信号inp_n_n进行处理,得到下拉脉冲信号emp_n,下拉脉冲信号emp_n的脉冲宽度等于反相器的总延时之和;和电容c_n:下拉脉冲信号emp_n进行处理产生下拉瞬间开启信号g_nesd,当下拉脉冲信号emp_n为高时,下拉瞬间开启信号g_nesd打开ESD保护器件NESD;下拉脉冲信号emp_n的前一个脉冲的下降沿到下一个脉冲的上升沿段,下拉瞬间开启信号g_nesd关闭ESD保护器件NESD。4.根据权利要求3所述的N型预加重电路,其特征在于:反相器组包括三个串联的反相器。5.一种P型预加重电路,其特征在于:包括反相器组:对输入信号inp进行延时处理得到反相信号inp_n_p;与非门Nand1:对输...
【专利技术属性】
技术研发人员:杜伟,
申请(专利权)人:深圳讯达微电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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