填充剂滴下装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种填充剂滴下装置，包括：盛放管，用于盛放填充剂，一端具有填充剂出口；磁性件，容纳于盛放管的填充剂内；在第一状态下，磁性件离开填充剂出口、并沿盛放管的长度方向运动直至第一位置，在第二状态下，磁性件由第一位置反向运动直至封堵填充剂出口；第一线圈和第二线圈，均缠绕于盛放管的外周面上，且第一线圈和第二线圈在盛放管的长度方向上间隔预设距离，第一线圈靠近填充剂出口设置；控制结构，用于控制第一线圈和第二线圈产生磁场的参数，以使得磁性件在第一状态和第二状态之间切换，参数包括：第一线圈和第二线圈通电与否、和/或第一线圈和第二线圈的通断电切换时间间隔、和/或第一线圈和第二线圈在通电状态下的电流大小。

【技术实现步骤摘要】
填充剂滴下装置
本专利技术涉及显示产品制作
，尤其涉及一种填充剂滴下装置。
技术介绍
有机电致发光器件(OrganicLight-EmittingDevice，OLED)作为一种新型照明和显示技术具有其独特的优点，已被广泛应用，提高OLED器件的性能是目前有待研究的课题。封装工艺的效果对OLED器件的寿命有着重要的影响，其中封装胶的稳定性在很大程度上影响着封装工艺结果。传统的填充剂滴下装置主要由电磁铁、盛液管、撞针组成，电磁铁提供磁场，撞针在电磁铁的磁场作用下产生向上或向下的力来撞击盛液管的出口，通过撞针上下运动来撞击盛液管的出口，控制其封塞状况进而控制填充剂的滴下。主要靠撞针下落高度、撞针上升下降的切换时间控制滴下量，控制填充剂滴下量的参数单一，不能精确的控制撞针的运动状态(运动速度、运动时间、运动位置等)、从而滴下量控制不精确。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种填充剂滴下装置，解决不能精确控制撞针的运动导致的滴下量控制不精确的问题。为了达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种填充剂滴下装置，包括：盛放管，用于盛放填充剂，所述盛放管的一端具有填充剂出口；具有第一状态和第二状态的磁性件，所述磁性件容纳于所述盛放管的填充剂内；其中，在所述第一状态下，所述磁性件离开所述填充剂出口、并沿所述盛放管的长度方向进行运动直至移动至第一位置，在所述第二状态下，所述磁性件由所述第一位置反向运动直至封堵所述填充剂出口；能够在通电状态下对所述磁性件提供磁力的第一线圈和第二线圈，所述第一线圈和所述第二线圈均缠绕于所述盛放管的外周面上，且所述第一线圈和所述第二线圈在所述盛放管的长度方向上间隔预设距离，所述第一线圈靠近所述填充剂出口设置；控制结构，用于控制所述第一线圈和所述第二线圈产生磁场的参数，以使得所述磁性件在所述第一状态和所述第二状态之间切换，其中，所述参数包括：所述第一线圈和所述第二线圈之间的距离、和/或所述第一线圈和所述第二线圈通电与否、和/或所述第一线圈和所述第二线圈的通断电切换时间间隔、和/或所述第一线圈在通电状态下的电流大小、和/或所述第二线圈在通电状态下的电流大小。进一步的，所述参数包括所述第一线圈和所述第二线圈通电与否，具体的，所述第一线圈断电，所述第二线圈通电，在所述第二线圈产生的磁场的作用下，所述磁性件处于所述第一状态；所述第一线圈通电，所述第二线圈断电，在所述第一线圈产生的磁场的作用下，所述磁性件处于所述第二状态。撞针设计比较细，且下面设计尖形，为了避免撞针在重力作用下进行下降时与填充剂出口处的金属直接相撞，进而产生磨损或发热，填充剂出口处撞针通过穿插在里面进行封塞。撞针下降位置稍微有偏差，就会偏离出胶口中心位置，发生撞击出胶口金属的情况，这种滴胶方法不可避免的在工艺过程中会因撞击产生热量，影响胶材滴下稳定性而且容易造成撞针和喷嘴的磨损。此外，不能完全塞紧时，易发生漏胶导致出口积胶问题。进一步的，所述磁性件由所述第一位置反向运动直至封堵所述填充剂出口时，所述磁性件的速度为小于或等于预设值。进一步的，所述磁性件为条形结构，所述磁性件用于封堵所述填充剂出口的一端具有第一磁性，所述磁性件的另一端具有与所述第一磁性的磁性相反的第二磁性；所述第一线圈通电时，所述第一线圈靠近所述填充剂出口的一端的磁性与所述第一磁性相同；所述第二线圈通电时，所述第一线圈靠近所述填充剂出口的一端的磁性与所述第一磁性相同。进一步的，所述第一线圈断电，所述第二线圈通电时，所述磁性件受到的与重力方向相反的磁力大于所述磁性件的重力。进一步的，所述磁性件用于封堵所述填充剂出口的一端的端面为平面，且所述磁性件用于封堵所述填充剂出口的一端的端面的面积大于所述填充剂出口的面积，且所述磁性件的至少一端的端部与所述盛放管的内壁之间具有缝隙，且该缝隙小于预设值。进一步的，所述磁性件为工字形结构，所述磁性件一端的端面面积大于所述磁性件另一端的端面面积。进一步的，所述磁性件的两端的端部的横截面的形状与所述盛放管的横截面的形状相同。进一步的，还包括：设置于所述盛放管上的液面高度测量结构，用于测量所述盛放管内的填充剂的液面高度；充液结构，与所述液面测量结构连接，用于在所述液面高度测量结构的测量结果为所述盛放管内的填充剂的液面低于预设高度时、对所述盛放管进行充液。进一步的，所述充液结构包括储液结构，以及连接于所述储液结构与所述盛放管上的充液口之间的连接管。进一步的，所述液面高度测量结构包括设置于所述盛放管内侧壁上的液位传感器。本专利技术的有益效果是：采用磁性件代替撞针，并通过控制第一线圈和第二线圈的各项参数，使得位于所述填充剂内的所述磁性件的状态切换，进而控制滴下量，可调参数多，可以精确的控制填充剂的滴下量。附图说明图1表示本专利技术实施例中填充剂滴下装置结构示意图一；图2表示本专利技术实施例中填充剂滴下装置结构示意图二；图3表示本专利技术实施例中磁性件受力状态示意图；图4表示本专利技术实施例中填充剂滴下装置结构示意图三；图5表示本专利技术实施例中填充剂滴下装置结构示意图四；图6表示本专利技术实施例中填充剂滴下装置结构示意图五。具体实施方式为使本实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实施例的附图，对本实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本保护的范围。如图1和图2所示，本实施例提供一种填充剂滴下装置，包括：盛放管1，用于盛放填充剂12，所述盛放管1的一端具有填充剂出口11；具有第一状态和第二状态的磁性件2，所述磁性件2容纳于所述盛放管1的填充剂12内；其中，在所述第一状态下，所述磁性件2离开所述填充剂出口11、并沿所述盛放管1的长度方向进行运动直至移动至第一位置，在所述第二状态下，所述磁性件2由所述第一位置反向运动直至封堵所述填充剂出口11；能够在通电状态下对所述磁性件2提供磁力的第一线圈3和第二线圈4，所述第一线圈3和所述第二线圈4均缠绕于所述盛放管1的外周面上，且所述第一线圈3和所述第二线圈4在所述盛放管1的长度方向上间隔预设距离，所述第一线圈3靠近所述填充剂出口11设置；控制结构，用于控制所述第一线圈3和所述第二线圈4产生磁场的参数，以使得所述磁性件2在所述第一状态和所述第二状态之间切换，其中，所述参数包括：所述第一线圈3和所述第二线圈4通电与否、和/或所述第一线圈3和所述第二线圈4的通断电切换时间间隔、和/或所述第一线圈3在通电状态下的电流大小、和/或所述第二线圈4在通电状态下的电流大小。通过控制第一线圈3和第二线圈4的各项参数，使得位于所述填充剂12内的所述磁性件2的状态切换，进而控制滴下量，相对于传统的填充剂12滴下装置可调参数多，且可以同时调节2项或2项以上的参数，可以更精确的控制所述磁性件的运动状态(包括运动速度、运动时间、运动位置等)、进而可以更精确的控制填充剂的滴下量。所述参数包括：所述第一线圈3和所述第二线圈4之间的距离、和/或所述第一线圈3和所述第二线圈4通电与否，此时，所述第一线圈3和所述第二线圈4可以同时通电，或者所述第一线圈3和所述第二线圈4的一个线圈通电，在本实施例的一具体实施方式中，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种填充剂滴下装置，其特征在于，包括：盛放管，用于盛放填充剂，所述盛放管的一端具有填充剂出口；具有第一状态和第二状态的磁性件，所述磁性件容纳于所述盛放管的填充剂内；其中，在所述第一状态下，所述磁性件离开所述填充剂出口、并沿所述盛放管的长度方向进行运动直至移动至第一位置，在所述第二状态下，所述磁性件由所述第一位置反向运动直至封堵所述填充剂出口；能够在通电状态下对所述磁性件提供磁力的第一线圈和第二线圈，所述第一线圈和所述第二线圈均缠绕于所述盛放管的外周面上，且所述第一线圈和所述第二线圈在所述盛放管的长度方向上间隔预设距离，所述第一线圈靠近所述填充剂出口设置；控制结构，用于控制所述第一线圈和所述第二线圈产生磁场的参数，以使得所述磁性件在所述第一状态和所述第二状态之间切换，其中，所述参数包括：所述第一线圈和所述第二线圈之间的距离、和/或所述第一线圈和所述第二线圈通电与否、和/或所述第一线圈和所述第二线圈的通断电切换时间间隔、和/或所述第一线圈在通电状态下的电流大小、和/或所述第二线圈在通电状态下的电流大小。

【技术特征摘要】
1.一种填充剂滴下装置，其特征在于，包括：盛放管，用于盛放填充剂，所述盛放管的一端具有填充剂出口；具有第一状态和第二状态的磁性件，所述磁性件容纳于所述盛放管的填充剂内；其中，在所述第一状态下，所述磁性件离开所述填充剂出口、并沿所述盛放管的长度方向进行运动直至移动至第一位置，在所述第二状态下，所述磁性件由所述第一位置反向运动直至封堵所述填充剂出口；能够在通电状态下对所述磁性件提供磁力的第一线圈和第二线圈，所述第一线圈和所述第二线圈均缠绕于所述盛放管的外周面上，且所述第一线圈和所述第二线圈在所述盛放管的长度方向上间隔预设距离，所述第一线圈靠近所述填充剂出口设置；控制结构，用于控制所述第一线圈和所述第二线圈产生磁场的参数，以使得所述磁性件在所述第一状态和所述第二状态之间切换，其中，所述参数包括：所述第一线圈和所述第二线圈之间的距离、和/或所述第一线圈和所述第二线圈通电与否、和/或所述第一线圈和所述第二线圈的通断电切换时间间隔、和/或所述第一线圈在通电状态下的电流大小、和/或所述第二线圈在通电状态下的电流大小。2.根据权利要求1所述的填充剂滴下装置，其特征在于，所述参数包括所述第一线圈和所述第二线圈通电与否，具体的，所述第一线圈断电，所述第二线圈通电，在所述第二线圈产生的磁场的作用下，所述磁性件处于所述第一状态；所述第一线圈通电，所述第二线圈断电，在所述第一线圈产生的磁场的作用下，所述磁性件处于所述第二状态。3.根据权利要求1所述的填充剂滴下装置，其特征在于，所述磁性件由所述第一位置反向运动直至封堵所述填充剂出口时，所述磁性件的速度为小于或等于预设值。4.根据权利要求1所述的填充剂滴下装置，其特征在于，所述磁性件为条形结构，所述磁性件用...

【专利技术属性】
技术研发人员：屈丽桃，赵利豪，吴解书，田彪，金韬，邹清华，窦义坤，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11