光线准直膜片及其制造方法以及光学指纹识别装置制造方法及图纸

本公开涉及一种光线准直膜片及其制造方法以及光学指纹识别装置。该光线准直膜片包括：第一滤光膜区域；以及多个第二滤光膜单元，散布在所述第一滤光膜区域中以与所述第一滤光膜区域形成一平坦膜片，所述第一滤光膜区域允许通过的光的波长不同于所述多个第二滤光单元允许通过的光的波长。采用本公开的方案，可以克服光学准直结构中加工难度大的问题。

【技术实现步骤摘要】
光线准直膜片及其制造方法以及光学指纹识别装置
本公开涉及显示技术，尤其涉及一种光线准直膜片及其制造方法以及光学指纹识别装置。
技术介绍
在光学指纹识别过程中，当手指与传感器的距离较大时，由于经过手指反射后的光线的散射，会造成获取的图像模糊的问题，进而导致根据传感器接收到的光线识别出的指纹信息不准确。现有的指纹识别的传感部分包括如图12所示的通孔滤光方式，或者透镜加光阑方式。如图12所示，通过在传感器101上方的材料中开设通孔102，使得入射到传感器101上的光线的收光角足够小，以将指纹的谷与脊信息区分。要实现如图12中左侧的理想通孔101的结构需要特定材料能达到较高的深宽比，但是现有工艺在光刻过程中会出现类似‘倒角’的结构，使得收光角变大(如图12中右侧的图所示)，导致相邻谷脊光线信息会发生串扰，识别出的指纹信息不准确，进而导致图像模糊。透镜加光阑的方式同样存在工艺加工难度大的问题。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种光线准直膜片及其制造方法以及光学指纹识别装置，能够克服光学准直结构中加工难度大的问题。根据本公开的一个方面，提供了一种光线准直膜片，包括：第一滤光膜区域；以及多个第二滤光膜单元，散布在所述第一滤光膜区域中以与所述第一滤光膜区域形成一平坦膜片，所述第一滤光膜区域允许通过的光的波长不同于所述多个第二滤光单元允许通过的光的波长。根据本公开的另一方面，提供了一种光学指纹识别装置，包括：发光器件，用于在进行指纹识别时发光，发出的光线被指纹反射；如上文所述的光线准直膜片，设置在所述发光器件下方，用于接收被指纹反射的光；传感器，设置在所述光线准直膜片下方，用于接收经由所述光线准直膜片传输的光。根据本公开的另一方面，提供了一种光线准直膜片的制造方法，包括：步骤S21，在所述基板上形成第一滤光膜材料；步骤S22，使用具有多个孔洞的掩模板对所述第一滤光膜材料进行图案化，形成第一滤光膜区域的图案；步骤S23，使用所述具有多个孔洞的掩模板，形成第二滤光膜材料，使得所述第二滤光膜材料通过所述孔洞沉积到未形成有所述第一滤光膜材料的区域，得到多个第二滤光膜单元，其中多个第二滤光膜单元散布在第一滤光膜区域中以与所述第一滤光膜区域形成一平坦膜片，所述第一滤光膜区域允许通过的光的波长不同于所述多个第二滤光单元允许通过的光的波长。在本公开实施例提供的技术方案中，多个第二滤光膜单元散布在第一滤光膜区域中以与第一滤光膜区域形成一平坦膜片，第一滤光膜区域允许通过的光的波长不同于多个第二滤光单元允许通过的光的波长。这样，通过多个第二滤光膜单元来允许特定波长光的通过，第二滤光膜单元的尺寸可以设计得较小，从而可以实现光线准直的功能。另外，第二滤光膜单元可以通过掩模板来形成，而无需特定的工艺，降低了工艺难度。附图说明通过参照附图来详细描述其示例性实施例，本公开的上述和其它特征及优点将变得更加明显。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：图1示出了根据本公开一示例性实施例的光线准直膜片的平面示意图。图2是沿着图1中的线II-II’截取的剖视图。图3示出了根据本公开一示例性实施例的光学指纹识别装置的结构示意图。图4是本公开实施例中光学指纹识别装置的一种识别效果图。图5是本公开实施例中光学指纹识别装置的另一种识别效果图。图6示出了根据本公开一示例性实施例的光线准直膜片的制造方法的流程图。图7至图11示出制造光线准直膜片的工艺步骤。图12示出了相关技术中的通孔滤光方式。具体实施方式现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施例；相反，提供这些实施例使得本公开将全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、材料、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知技术方案以避免模糊本公开的各方面。此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按照比例绘制。图中相同的附图标记标识相同或相似的部分，因而将省略对它们的重复描述。图1示出了根据本公开一示例性实施例的光线准直膜片的平面示意图，图2是沿着图1中的线II-II’截取的剖视图。如图1和图2所示，光线准直膜片包括第一滤光膜区域1以及多个第二滤光膜单元2。多个第二滤光膜单元2散布在第一滤光膜区域1中以与第一滤光膜区域1形成一平坦膜片，第一滤光膜区域1允许通过的光的波长不同于多个第二滤光单元2允许通过的光的波长。如图1所示的光线准直膜片中，多个第二滤光膜单元2可以具有各种形状，例如圆形、正方形或六边形等，在图1中以多个第二滤光膜单元2是圆形为例进行描述。多个第二滤光膜单元2可以以阵列形式散布在第一滤光膜区域1中。具体而言，如图1所示，从平面图上看，布置在第一滤光膜区域1中的多个滤光膜单元2形成为三行三列的阵列。每个第二滤光膜单元2的直径或边长为w，平坦膜片(即光线准直膜片)的厚度为H，w和H满足如下关系：θ＝w/2H其中θ为平坦膜片的半收光角，收光角α＝2θ为表征经过手指指纹最小可分辨谷脊反射的光线入射到平坦膜片的角度，并且θ小于或等于5.7°。其中，平坦膜片的厚度H为42～100um，每个所述第二滤光膜单元2的直径或边长w为6um或更小，多个第二滤光膜单元2之间的间距P(参见图1)可以根据光线准直膜片的透光率确定，即根据光学指纹识别装置中传感器的响应能力确定。例如，为了实现期望的透光率，光线准直膜片中多个第二滤光膜单元2之间的间距P可以进行调整。例如，间距越小，透光率越大；间距越大，透光率越小。第一滤光膜区域1可以由不同折射率的介质层交替层叠而成；第二滤光膜单元中的每一个可以由不同折射率的介质层交替层叠而成。例如，所述第一滤光膜区域交替层叠的介质层的数量与所述第二滤光膜单元中交替层叠的介质层的数量不同；所述第一滤光膜区域交替层叠的多个介质层中每一层的厚度与所述第二滤光膜单元中交替层叠的多个介质层中每一层的厚度不同。也就是说，第一滤光膜区域1和第二滤光膜单元2都可以通过膜层堆叠形成，但是膜层数目和厚度可以不一样。在本公开实施例提供的技术方案中，多个第二滤光膜单元散布在第一滤光膜区域中以与第一滤光膜区域形成一平坦膜片，第一滤光膜区域允许通过的光的波长不同于多个第二滤光单元允许通过的光的波长。这样，第二滤光膜单元允许通过特定波长的光通过，第二滤光膜单元的尺寸可以设计得较小，例如通过设计第二滤光膜单元的直径或边长与光线准直膜片的厚度，可以实现光线准直的功能。另外，第二滤光膜单元可以通过掩模板来形成，而无需如现有技术中那样需要特定的工艺来形成高深宽比通孔或光阑，降低了工艺难度。另外，在公开实施例提供的技术方案中，通过不同折射率的膜层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光线准直膜片，包括：第一滤光膜区域；以及多个第二滤光膜单元，散布在所述第一滤光膜区域中以与所述第一滤光膜区域形成一平坦膜片，所述第一滤光膜区域允许通过的光的波长不同于所述多个第二滤光膜单元允许通过的光的波长。

【技术特征摘要】
1.一种光线准直膜片，包括：第一滤光膜区域；以及多个第二滤光膜单元，散布在所述第一滤光膜区域中以与所述第一滤光膜区域形成一平坦膜片，所述第一滤光膜区域允许通过的光的波长不同于所述多个第二滤光膜单元允许通过的光的波长。2.根据权利要求1所述的光线准直膜片，其中，所述多个第二滤光膜单元以阵列形式散布在所述第一滤光膜区域中。3.根据权利要求2所述的光线准直膜片，其中，所述多个第二滤光模单元的形状为圆形、正方形或六边形中的一个，每个所述第二滤光膜单元的直径或边长为w，所述平坦膜片的厚度为H，w和H满足如下关系：θ＝w/2H其中θ为所述平坦膜片的半收光角，并且θ小于或等于5.7°。4.根据权利要求1至3中任一所述的光线准直膜片，其中，所述平坦膜片的厚度H为42～100um，每个所述第二滤光膜单元的直径或边长w为6um或更小。5.根据权利要求1至3中任一项所述的光线准直膜片，其中，所述第一滤光膜区域由多个不同折射率的介质层交替层叠而成；所述第二滤光膜单元中的每一个由多个不同折射率的介质层交替层叠而成。6.根据权利要求5所述的光线准直膜片，其中，所述第一滤光膜区域交替层叠的介质层的数量与所述第二滤光膜单元中交替层叠的介质层的数量不同；所述第一滤光膜区域交替层叠的多个介质层中每一层的厚度与所述第二滤光膜单元中交替层叠的多个介质层中每一层的厚度不同。7.根据权利要求5所述的光线准直膜片，其中，所述第一滤光膜区域包括长通滤光膜以允许第一波长范围的光通过，所述多个第二滤光膜单元包括短通滤光膜以允许第二波长范围的光通过，所述第一波长范围是800nm～1200nm，所述第二波长范围是380nm～780nm。8....

【专利技术属性】
技术研发人员：海晓泉，王海生，王雷，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11