【技术实现步骤摘要】
三态门
本专利技术涉及集成电路
,尤其涉及到三态门。
技术介绍
集成电路设计经常遇到三态门电路,尤其在输出端口时,一方面要考虑驱动能力,另一方面要考虑互锁现象,一旦发生互锁会使得输出管从电源到地之间形成通路,使得管子烧坏。
技术实现思路
本专利技术旨在解决现有技术的不足,提供一种能够避免互锁现象发生的三态门。三态门,包括第一反相器、第二反相器、第三反相器、第一与非门、第四反相器、第一NMOS管和第二NMOS管:所述第一反相器的输入端接输入端A,输出端接所述第二反相器的输入端和所述第一与非门的一输入端;所述第二反相器的输入端接所述第一反相器的输出端和所述第一与非门的一输入端,输出端接所述第一NMOS管的栅极;所述第三反相器的输入端接输入端B,输出端接所述第一与非门的一输入端;所述第一与非门的一输入端接所述第一反相器的输出端和所述第二反相器的输入端,另一输入端接所述第三反相器的输出端,输出端接所述第四反相器的输入端;所述第四反相器的输入端接所述第一与非门的输出端,输出端接所述第二NMOS管的栅极;所述第一NMOS管的栅极接所述第二反相器的输出端,漏极接电源电压VCC,源极接所述第二NMOS管的漏极并作为三态门的输出端OUT;所述第二NMOS管的栅极接所述第四反相器的输出端,漏极接所述第一NMOS管的源极并作为三态门的输出端OUT,源极接地。当三态门的输入端A为低电平时,输入端B为低电平时,所述第一NMOS管的栅极为低电平,所述第二NMOS管的栅极为高电平,三态门的输出端OUT为低电平;当三态门的输入端A为低电平时,输入端B为高电平时,所述第一NMOS管的栅极 ...
【技术保护点】
1.三态门,其特征在于:包括第一反相器、第二反相器、第三反相器、第一与非门、第四反相器、第一NMOS管和第二NMOS管;所述第一反相器的输入端接输入端A,输出端接所述第二反相器的输入端和所述第一与非门的一输入端;所述第二反相器的输入端接所述第一反相器的输出端和所述第一与非门的一输入端,输出端接所述第一NMOS管的栅极;所述第三反相器的输入端接输入端B,输出端接所述第一与非门的一输入端;所述第一与非门的一输入端接所述第一反相器的输出端和所述第二反相器的输入端,另一输入端接所述第三反相器的输出端,输出端接所述第四反相器的输入端;所述第四反相器的输入端接所述第一与非门的输出端,输出端接所述第二NMOS管的栅极;所述第一NMOS管的栅极接所述第二反相器的输出端,漏极接电源电压VCC,源极接所述第二NMOS管的漏极并作为三态门装置的输出端OUT;所述第二NMOS管的栅极接所述第四反相器的输出端,漏极接所述第一NMOS管的源极并作为三态门装置的输出端OUT,源极接地。
【技术特征摘要】
1.三态门,其特征在于:包括第一反相器、第二反相器、第三反相器、第一与非门、第四反相器、第一NMOS管和第二NMOS管;所述第一反相器的输入端接输入端A,输出端接所述第二反相器的输入端和所述第一与非门的一输入端;所述第二反相器的输入端接所述第一反相器的输出端和所述第一与非门的一输入端,输出端接所述第一NMOS管的栅极;所述第三反相器的输入端接输入端B,输出端接所述第一与非门的一输入端;所述第一与非门的一输入端接所述第一反相器的输出...
【专利技术属性】
技术研发人员:孟庆生,
申请(专利权)人:杭州宽福科技有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江,33
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。