一种振荡装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种振荡装置。一种振荡装置包括第一电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一电容、第三NMOS管、第三PMOS管、第四NMOS管、第二电阻、第四PMOS管和第五NMOS管。利用本发明专利技术可以通过调节所述第二电阻的电阻值可以调节所述第一电容充电电压，这样就调节了振荡器的频率。

【技术实现步骤摘要】
一种振荡装置
本专利技术涉及振荡器，尤其涉及到一种振荡装置。
技术介绍
振荡器的振荡频率是由电容充电和放电的时间决定的，充电的电压高势必增加充电时间，这样整个周期就会增加，频率会降低，也即是通过调节充电电压来调节振荡频率，为此设计了一种通过调节充电电压来调节振荡频率的振荡器电路。
技术实现思路
本专利技术旨在解决现有技术的不足，提供一种振荡装置。一种振荡装置，包括第一电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一电容、第三NMOS管、第三PMOS管、第四NMOS管、第二电阻、第四PMOS管和第五NMOS管：所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一电阻的一端和所述第二NMOS管的栅极，源极接地；所述第二NMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极，源极接地；所述第一PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第二NMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第二PMOS管的栅极接所述第二NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极，漏极接所述第一电容的一端和所述第四NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC；所述第一电容的一端接所述第二PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极，另一端接地；所述第三NMOS管的栅极接所述第四PMOS管的漏极和所述第五NMOS管的漏极，漏极接所述第二PMOS管的漏极和所述第一电容的一端和所述第四NMOS管的栅极，源极接地；所述第三PMOS管的栅极接所述第二NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极，漏极接所述第四NMOS管的漏极和所述第四PMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第四NMOS管的栅极接所述第二PMOS管的漏极和所述第一电容的一端和所述第三NMOS管的漏极，漏极接所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极，源极接第二电阻的一端；所述第二电阻的一端接所述第四NMOS管的源极，另一端接地；所述第四PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极和所述第五NMOS管的栅极，漏极接所述第五NMOS管的漏极并作为振荡器的输出端OSCOUT，源极接电源电压VCC；所述第五NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极和所述第四PMOS管的栅极，漏极接所述第四PMOS管的漏极并作为振荡器的输出端OSCOUT，源极接地。所述第一电阻和所述第一NMOS管构成偏置电流产生电路，产生的电流通过所述第一NMOS管镜像给所述第二NMOS管，再通过所述第一PMOS管镜像给所述第二PMOS管和所述第三PMOS管；所述第二PMOS管漏极流出的电流I2是对所述第一电容进行充电；所述第三PMOS管漏极流出的电流I3通过所述第四NMOS管导通时流过所述第二电阻产生电压，所述第一电容的电压需大于所述第四NMOS管的阈值电压加上所述第二电阻上的电压为所述第三PMOS管漏极流出的电流I3乘所述第二电阻的阻值，通过调节所述第二电阻的电阻值可以调节所述第一电容充电电压，这样就调节了振荡器的频率；所述第三NMOS管导通时对所述第一电容进行放电。有益效果在于：通过调节所述第二电阻的电阻值可以调节所述第一电容充电电压，这样就调节了振荡器的频率。附图说明图1为本专利技术的可调充电电压的振荡器电路的电路图。具体实施方式以下结合附图对本
技术实现思路
进一步说明。一种振荡装置，如图1所示，包括第一电阻101、第一NMOS管102、第二NMOS管103、第一PMOS管104、第二PMOS管105、第一电容106、第三NMOS管107、第三PMOS管108、第四NMOS管109、第二电阻110、第四PMOS管111和第五NMOS管112：所述第一电阻101的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NMOS管102的栅极和漏极和所述第二NMOS管103的栅极；所述第一NMOS管102的栅极和漏极接在一起再接所述第一电阻101的一端和所述第二NMOS管103的栅极，源极接地；所述第二NMOS管103的栅极接所述第一电阻101的一端和所述第一NMOS管102的栅极和漏极，漏极接所述第一PMOS管104的栅极和漏极和所述第二PMOS管105的栅极和所述第三PMOS管108的栅极，源极接地；所述第一PMOS管104的栅极和漏极接在一起再接所述第二NMOS管103的漏极和所述第二PMOS管105的栅极和所述第三PMOS管108的栅极，源极接电源电压VCC；所述第二PMOS管105的栅极接所述第二NMOS管103的漏极和所述第一PMOS管104的栅极和漏极和所述第三PMOS管108的栅极，漏极接所述第一电容106的一端和所述第四NMOS管109的栅极和所述第三NMOS管107的漏极，源极接电源电压VCC；所述第一电容106的一端接所述第二PMOS管105的漏极和所述第三NMOS管107的漏极和所述第四NMOS管109的栅极，另一端接地；所述第三NMOS管107的栅极接所述第四PMOS管111的漏极和所述第五NMOS管112的漏极，漏极接所述第二PMOS管105的漏极和所述第一电容106的一端和所述第四NMOS管109的栅极，源极接地；所述第三PMOS管108的栅极接所述第二NMOS管103的漏极和所述第一PMOS管104的栅极和漏极和所述第二PMOS管105的栅极，漏极接所述第四NMOS管109的漏极和所述第四PMOS管111的栅极和所述第五NMOS管112的栅极，源极接电源电压VCC；所述第四NMOS管109的栅极接所述第二PMOS管105的漏极和所述第一电容106的一端和所述第三NMOS管107的漏极，漏极接所述第三PMOS管108的漏极和所述第四PMOS管111的栅极和所述第五NMOS管112的栅极，源极接第二电阻110的一端；所述第二电阻110的一端接所述第四NMOS管109的源极，另一端接地；所述第四PMOS管111的栅极接所述第三PMOS管108的漏极和所述第四NMOS管109的漏极和所述第五NMOS管112的栅极，漏极接所述第五NMOS管112的漏极并作为振荡器的输出端OSCOUT，源极接电源电压VCC；所述第五NMOS管112的栅极接所述第三PMOS管108的漏极和所述第四NMOS管109的漏极和所述第四PMOS管111的栅极，漏极接所述第四PMOS管111的漏极并作为振荡器的输出端OSCOUT，源极接地。所述第一电阻101和所述第一NMOS管102构成偏置电流产生电路，产生的电流通过所述第一NMOS管102镜像给所述第二NMOS管103，再通过所述第一PMOS管104镜像给所述第二PMOS管105和所述第三PMOS管108；所述第二PMOS管105漏极流出的电流I2是对所述第一电容106进行充电；所述第三PMOS管108漏极流本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种振荡装置，其特征在于：包括第一电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一电容、第三NMOS管、第三PMOS管、第四NMOS管、第二电阻、第四PMOS管和第五NMOS管；所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一电阻的一端和所述第二NMOS管的栅极，源极接地；所述第二NMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极，源极接地；所述第一PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第二NMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第二PMOS管的栅极接所述第二NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极，漏极接所述第一电容的一端和所述第四NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC；所述第一电容的一端接所述第二PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极，另一端接地；所述第三NMOS管的栅极接所述第四PMOS管的漏极和所述第五NMOS管的漏极，漏极接所述第二PMOS管的漏极和所述第一电容的一端和所述第四NMOS管的栅极，源极接地；所述第三PMOS管的栅极接所述第二NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极，漏极接所述第四NMOS管的漏极和所述第四PMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第四NMOS管的栅极接所述第二PMOS管的漏极和所述第一电容的一端和所述第三NMOS管的漏极，漏极接所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极，源极接第二电阻的一端；所述第二电阻的一端接所述第四NMOS管的源极，另一端接地；所述第四PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极和所述第五NMOS管的栅极，漏极接所述第五NMOS管的漏极并作为振荡器的输出端OSCOUT，源极接电源电压VCC；所述第五NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极和所述第四PMOS管的栅极，漏极接所述第四PMOS管的漏极并作为振荡器的输出端OSCOUT，源极接地。...

【技术特征摘要】
1.一种振荡装置，其特征在于：包括第一电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一电容、第三NMOS管、第三PMOS管、第四NMOS管、第二电阻、第四PMOS管和第五NMOS管；所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一电阻的一端和所述第二NMOS管的栅极，源极接地；所述第二NMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极，源极接地；所述第一PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第二NMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第二PMOS管的栅极接所述第二NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极，漏极接所述第一电容的一端和所述第四NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC；所述第一电容的一端接所述第二PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的...

【专利技术属性】
技术研发人员：周宇坤，
申请(专利权)人：杭州宽福科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33