一种用于检测三氯氢硅中痕量杂质的前处理装置制造方法及图纸

技术编号:19400718 阅读:23 留言:0更新日期:2018-11-10 06:10
本实用新型专利技术涉及多晶硅生产中间产物三氯氢硅杂质检测前处理装置,特别涉及一种用于检测三氯氢硅中痕量杂质的前处理装置。本实用新型专利技术的实施例中提供的用于检测三氯氢硅中痕量杂质的前处理装置。氮气(惰性气体)通过进气管进入样品瓶,对三氯氢硅进行吹扫挥发,混合气体由排气管排出,设置进气调节阀以及排气调节阀对进气量和排气量进行调节,实现了氮气的稳定进入和混合气体的稳定排出,运行稳定,减少了人员的劳动强度。设置与样品瓶相吻合的电加热套且与控制装置电连接,电加热套加热均匀且实现自动启停,缩短工作时间,提高工作效率。在瓶体与瓶盖之间设置密封圈,既保证了密封性,又起到洁净作用。

【技术实现步骤摘要】
一种用于检测三氯氢硅中痕量杂质的前处理装置
本技术涉及多晶硅生产中间产物三氯氢硅杂质检测前处理装置,特别涉及一种用于检测三氯氢硅中痕量杂质的前处理装置。
技术介绍
三氯氢硅是改良西门子法多晶硅生产的中间产物,要通过对其杂质含量的检测监控整个生产,进而保证产品质量。三氯氢硅中杂质含量的检测属于痕量分析,技术要求高,样品制备过程很容易被污染。因此,如何在样品处理过程中避免污染,更好地富集硼、磷元素成为国内外研究的难题。三氯氢硅样品前处理方法多种多样,但至今还没有统一标准。标准号为GB/T29056-2012《硅外延用三氯氢硅化学分析方法杂质含量的测定—电感耦合等离子体质谱法》,此方法中介绍样品处理时用铂金钳锅,而且样品挥发时在敞口状态下,此方法在样品长时间挥发过程中可能会引进杂质,对检测结果产生影响,而且在此前处理条件下的检测结果重复性较差,稳定性也不好。因此,在样品前处理过程中不仅要更好地富集硼、磷,而且采取更好的保护措施避免污染。
技术实现思路
为解决现有技术中的上述问题,本技术的目的在于提供一种用于检测三氯氢硅中痕量杂质的前处理装置。解决了对试样的痕量杂质分析制样过程中易污染的问题,保证了分析结果的可靠性。本技术的实施例是这样实现的:一种用于检测三氯氢硅中痕量杂质的前处理装置,其包括样品瓶,样品瓶包括瓶体、瓶盖以及设置在瓶体与瓶盖之间的密封圈;多个用于放置样品瓶的瓶座,瓶座底部设置有重力传感器,瓶座内设置有与样品瓶相吻合的电加热套;用于向样品瓶通入气体的进气管,进气管设置有进气开关阀以及进气调节阀,进气管与样品瓶连通;用于将样品瓶中的气体排出的排气管,排气管设置有排气开关阀以及排气调节阀,排气管与样品瓶连通;控制装置,控制装置与重力传感器电连接,控制装置与电加热套电连接,控制装置与进气开关阀以及排气开关阀电连接;控制装置与进气调节阀以及排气调节阀电连接。本技术的实施例中提供的用于检测三氯氢硅中痕量杂质的前处理装置。样品瓶放入瓶座内,重力传感器将该信号传递给控制装置,控制装置启动打开进气开关阀以及排气开关阀,控制装置启动电加热套对样品瓶进行加热。氮气(惰性气体)通过进气管进入样品瓶,对三氯氢硅进行吹扫挥发,混合气体由排气管排出,设置进气调节阀以及排气调节阀对进气量和排气量进行调节,实现了氮气的稳定进入和混合气体的稳定排出,运行稳定,减少了人员的劳动强度。设置与样品瓶相吻合的电加热套且与控制装置电连接,电加热套加热均匀且实现自动启停,缩短工作时间,提高工作效率。在瓶体与瓶盖之间设置密封圈,既保证了密封性,又起到洁净作用。本技术的实施例中提供的用于检测三氯氢硅中痕量杂质的前处理装置解决了试样的痕量杂质分析制样过程中易沾污的问题,保证了分析结果的可靠性,同时工作效率高、运行稳定且自动化程度高。在本技术的一个实施例中:上述用于检测三氯氢硅中痕量杂质的前处理装置包括底座,瓶座设置于底座上。在本技术的一个实施例中:上述用于检测三氯氢硅中痕量杂质的前处理装置还包括与底座相对应的上支架,上支架开设有与瓶盖相对应的瓶盖口;上支架连接有驱动装置,用于带动上支架远离或靠近底座,驱动装置与控制装置电连接;进气管以及排气管为开设在上支架上的管道,进气管的进气口设置在上支架的边缘处,进气管靠近瓶盖口处设置有进气开关阀以及进气调节阀;排气管的排气口设置在上支架的边缘处,排气管靠近瓶盖口处设置有排气开关阀以及排气调节阀。在本技术的一个实施例中:上述驱动装置设置为液压缸。在本技术的一个实施例中:上述瓶盖口靠近样品瓶一端设置有密封卡扣。在本技术的一个实施例中:上述用于检测三氯氢硅中痕量杂质的前处理装置包括吸收装置,吸收装置与排气管的排气口连接。在本技术的一个实施例中:上述用于检测三氯氢硅中痕量杂质的前处理装置包括进气流量计,进气流量计与进气管连接,用于测量进气管中的气体流量;进气流量计与控制装置电连接。在本技术的一个实施例中:上述用于检测三氯氢硅中痕量杂质的前处理装置包括排气流量计,排气流量计与排气管连接,用于测量排气管中的气体流量;排气流量计与控制装置电连接。在本技术的一个实施例中:上述用于检测三氯氢硅中痕量杂质的前处理装置包括惰性气体罐,惰性气体罐与进气管的进气口连接。在本技术的一个实施例中:上述样品瓶、进气管以及排气管均采用防腐耐酸材料制成。本技术实施例的有益效果是:本技术的实施例中提供的用于检测三氯氢硅中痕量杂质的前处理装置。样品瓶放入瓶座内,重力传感器将该信号传递给控制装置,控制装置启动打开进气开关阀以及排气开关阀,控制装置启动电加热套对样品瓶进行加热。氮气(惰性气体)通过进气管进入样品瓶,对三氯氢硅进行吹扫挥发,混合气体由排气管排出,设置进气调节阀以及排气调节阀对进气量和排气量进行调节,实现了氮气的稳定进入和混合气体的稳定排出,运行稳定,减少了人员的劳动强度。设置与样品瓶相吻合的电加热套且与控制装置电连接,电加热套加热均匀且实现自动启停,缩短工作时间,提高工作效率。在瓶体与瓶盖之间设置密封圈,既保证了密封性,又起到洁净作用。本技术的实施例中提供的用于检测三氯氢硅中痕量杂质的前处理装置解决了试样的痕量杂质分析制样过程中易沾污的问题,保证了分析结果的可靠性,同时工作效率高、运行稳定且自动化程度高。附图说明为了更清楚的说明本技术实施例的技术方案,下面对实施例中需要使用的附图作简单介绍。应当理解,以下附图仅示出了本技术的某些实施方式,不应被看作是对本技术范围的限制。对于本领域技术人员而言,在不付出创造性劳动的情况下,能够根据这些附图获得其他附图。图1为本技术实施例1提供的用于检测三氯氢硅中痕量杂质的前处理装置的整体结构示意图;图2为本技术实施例1提供的用于检测三氯氢硅中痕量杂质的前处理装置的上支架以及吸收装置的结构示意图;图3为本技术实施例1提供的用于检测三氯氢硅中痕量杂质的前处理装置的样品瓶以及底座的结构示意图;图4为本技术实施例1提供的用于检测三氯氢硅中痕量杂质的前处理装置的样品瓶的结构示意图。图标:10-用于检测三氯氢硅中痕量杂质的前处理装置;100-样品瓶;120-密封圈;200-瓶座;220-底座;300-电加热套;400-上支架;410-进气管;412-进气开关阀;414-进气口;416-进气杆;420-排气管;422-排气开关阀;424-排气口;430-瓶盖口;500-吸收装置。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然,所描述的实施例是本技术的一部分实施例,而不是全部的实施例。因此,以下对本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围,而是仅仅表示本技术的部分实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。需要说明的是,在不冲突的情况下,本技术中的实施例及实施例中的特征和技术方案可以相互组合。应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于检测三氯氢硅中痕量杂质的前处理装置,其特征在于,包括:样品瓶,所述样品瓶包括瓶体、瓶盖以及设置在所述瓶体与所述瓶盖之间的密封圈;多个用于放置所述样品瓶的瓶座,所述瓶座底部设置有重力传感器,所述瓶座内设置有与所述样品瓶相吻合的电加热套;用于向所述样品瓶通入气体的进气管,所述进气管设置有进气开关阀以及进气调节阀,所述进气管与所述样品瓶连通;用于将所述样品瓶中的气体排出的排气管,所述排气管设置有排气开关阀以及排气调节阀,所述排气管与所述样品瓶连通;控制装置,所述控制装置与所述重力传感器电连接,所述控制装置与所述电加热套电连接,所述控制装置与所述进气开关阀以及所述排气开关阀电连接;所述控制装置与所述进气调节阀以及所述排气调节阀电连接。

【技术特征摘要】
1.一种用于检测三氯氢硅中痕量杂质的前处理装置,其特征在于,包括:样品瓶,所述样品瓶包括瓶体、瓶盖以及设置在所述瓶体与所述瓶盖之间的密封圈;多个用于放置所述样品瓶的瓶座,所述瓶座底部设置有重力传感器,所述瓶座内设置有与所述样品瓶相吻合的电加热套;用于向所述样品瓶通入气体的进气管,所述进气管设置有进气开关阀以及进气调节阀,所述进气管与所述样品瓶连通;用于将所述样品瓶中的气体排出的排气管,所述排气管设置有排气开关阀以及排气调节阀,所述排气管与所述样品瓶连通;控制装置,所述控制装置与所述重力传感器电连接,所述控制装置与所述电加热套电连接,所述控制装置与所述进气开关阀以及所述排气开关阀电连接;所述控制装置与所述进气调节阀以及所述排气调节阀电连接。2.根据权利要求1所述的用于检测三氯氢硅中痕量杂质的前处理装置,其特征在于,所述用于检测三氯氢硅中痕量杂质的前处理装置包括底座,所述瓶座设置于所述底座上。3.根据权利要求2所述的用于检测三氯氢硅中痕量杂质的前处理装置,其特征在于,所述用于检测三氯氢硅中痕量杂质的前处理装置还包括与所述底座相对应的上支架,所述上支架开设有与所述瓶盖相对应的瓶盖口;所述上支架连接有驱动装置,用于带动所述上支架远离或靠近所述底座,所述驱动装置与所述控制装置电连接;所述进气管以及所述排气管为开设在所述上支架上的管道,所述进气管的进气口设置在上支架的边缘处,所述进气管靠近所述瓶盖口处设置有所述进气开关阀以及所述进气调节阀;所述排气管的排...

【专利技术属性】
技术研发人员:田润朝征取拜黎洁王彩娟张海燕陈英魏东亮
申请(专利权)人:亚洲硅业青海有限公司
类型:新型
国别省市:青海,63

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