The invention relates to a new technology for growing LBO (LiB3O5, three lithium borate) crystal. Especially the technology that can grow large size and high quality LBO single crystals.
【技术实现步骤摘要】
一种生长大尺寸高质量LBO晶体的特殊工艺方法
本专利技术涉及一种生长LBO(LiB3O5,三硼酸锂)晶体的新工艺技术。尤其是能够生长大尺寸高质量LBO单晶的技术。
技术介绍
LBO晶体是中科院福建物质结构研究所专利技术的一种光学性能非常优秀的非线性光学晶体。它具有宽透过范围、高光学均匀性、相对较大的有效二倍频系数和高的激光损伤阈值。它在光电子技术方面有着重要和广泛的应用,广泛应用于激光频率转化,光学参量振荡和光学参量放大等领域。现在激光技术的发展对LBO晶体器件的尺寸和质量都提出了更高的要求,有些器件尺寸要求达40×30×40mm,内部吸收值(1064nm处)小于50ppm/cm以下,这对LBO晶体生长工艺技术提出了很大的挑战。传统的LBO晶体生长工艺更多地依靠晶体本身的转动来达到搅拌溶液,促进溶液对流的目的,但这种溶液对流有限,特别是晶体生长初期,晶体很小,其转动所带来的搅拌效果及其微小,此时,溶液表面很容易出现杂晶,导致生长失败。同时,晶体在生长过程中由于溶质输运缓慢,溶剂与杂质未能及时排出,极易产生大量的微细包裹,从而极大影响了晶体最终的尺寸和质量。另外,生长LBO晶体传统的溶剂为B2O3,在高温下容易形成硼氧网络结构,导致了溶液的高粘滞度,影响了溶质的输运,从而导致了各种缺陷的形成。
技术实现思路
了克服LBO晶体在生长过程中溶质较难输运的问题,本专利技术提供了一种特殊的旋转热场方法,并改进溶剂成份,有效地解决了溶质输运困难的问题。本专利技术采用的技术方案是:本专利技术在晶体生长时所用的炉子,其发热体由多组发热元件组成,这些发热元件呈对称分布于炉子里。 ...
【技术保护点】
1.一种生长大尺寸高质量LBO晶体的特殊工艺方法,用B2O3和LiF作助熔剂,加入量为40‑60 mol%,降温速度为0.5‑1℃/天,其特征是在晶体生长过程中,发热元件是交替循环加热。
【技术特征摘要】
1.一种生长大尺寸高质量LBO晶体的特殊工艺方法,用B2O3和LiF作助熔剂,加入量为40-60mol%,降温速度为0.5-1℃/天,其特征是在晶...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈伟,王昌运,谢发利,张星,陈秋华,
申请(专利权)人:福建福晶科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:福建,35
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