存储器系统、及其读取方法与写入方法技术方案

一种存储器系统、及其读取方法与写入方法。存储器系统包括一主控制器、一存储器控制器及一存储器阵列。存储器控制器电性连接于主控制器。存储器阵列电性连接于存储器控制器。存储器阵列包括多个存储器装置。一同位信息及一控制表存储在存储器阵列。读取方法包括以下步骤：自一主机接口接收一读取命令，读取命令用以请求存储在存储器阵列的一用户数据。当用户数据在这些存储器装置的其中之一发生错误时，根据同位信息，复原(recover)用户数据。传递已复原的用户数据至主机接口，并同时更新(refresh)错误的用户数据。

Memory system, reading method and writing method thereof

A memory system, a reading method and a writing method thereof. The memory system includes a main controller, a memory controller and a memory array. The memory controller is electrically connected to the main controller. The memory array is electrically connected to the memory controller. The memory array includes a plurality of memory devices. A bit information and a control table are stored in the memory array. The reading method comprises the following steps: receiving a reading command from a host interface to request a user data stored in a memory array. When a user data error occurs in one of these memory devices, the user data is recovered based on the peer information. Transfer recovered user data to host interface and update (refresh) incorrect user data.

【技术实现步骤摘要】
存储器系统、及其读取方法与写入方法
本专利技术是有关于一种存储器系统、一读取方法及一写入方法，且特别是有关于一种存储器系统、及其读取方法与写入方法。
技术介绍
近年来，存储装置可以应用独立磁盘备援阵列技术(RedundantArrayofIndependentDisks，RAID)来避免磁盘损坏造成的数据损失。在另一方面，许多的应用采用了如NAND闪存(NANDflash)来实现RAID技术，以增强其效果。由于NAND闪存具有干扰(disturbance)及保持力(retention)的问题，NAND闪存的效果将长时间使用后将产生衰退。再者，在写入大量数据后，NAND闪存将会耗损(wearout)，而造成没有空间能够更新数据或者造成数据的错误。
技术实现思路
本专利技术系有关于一种存储器系统、及其读取方法与写入方法。根据本专利技术的第一方面，提出一种存储器系统的读取方法。存储器系统包括一存储器控制器及一存储器阵列。存储器阵列电性连接于存储器控制器。一同位信息存储在存储器阵列。存储器阵列包括多个存储器装置。读取方法包括以下步骤：自一主机接口接收一读取命令，读取命令用以请求存储在存储器阵列的一用户数据。当用户数据在这些存储器装置的其中之一发生错误时，根据同位信息，复原(recover)用户数据。传递已复原的用户数据至主机接口，并更新(refresh)用户数据。根据本专利技术的第二方面，提出一种存储器系统的写入方法。存储器系统包括一存储器控制器及一存储器阵列。存储器阵列电性连接于存储器控制器。一同位信息存储在存储器阵列中。存储器阵列包括多个存储器装置。写入方法包括以下步骤：接收一写入命令。写入命令用以写入一用户数据于存储器阵列。分配存储器阵列的多个页面(page)来存储用户数据。若被分配的这些页面在这些存储器装置的其中之一无法进行存取，则除了无法进行存取的存储器装页面外，在这些页面存储用户数据及其对应的同位信息。执行一升温修复程序(heatingrepairoperation)于无法进行存取的存储器装置。在升温修复程序完成后，回存用户数据至存储器阵列。根据本专利技术的第三方面，提出一种存储器系统。存储器系统包括一存储器控制器及一存储器阵列。一同位信息存储在存储器阵列，存储器阵列包括多个存储器装置。控制表包括一更新名单。当一用户数据在这些存储器装置的其中之一发生错误时，具有用户数据的错误的存储器装置的一标识符记录在更新名单。为了对本专利技术的上述及其他方面有更好的了解，下文特举优选实施例，并配合所附附图，作详细说明如下：附图说明图1绘示根据一实施例的一存储器系统的示意图。图2及图3说明存储器系统的读取方法的一实施例。图4说明存储器系统的读取方法的另一实施例。图5及图6说明存储器系统的写入方法的一实施例。图7绘示根据一实施例的存储器系统的读取方法的流程图。图8绘示根据一实施例的存储器系统的写入方法的流程图。图9绘示图8的步骤S218的流程图。图10绘示图8的步骤S314的流程图。【符号说明】1000：存储器系统100：主控制器200：存储器控制器300：存储器阵列310：存储器装置400：数据缓存器500：同位单元600：主机接口A1、A2、A3、B1、B2、B2*、B3、Bx、C1、C2、Cx、D1、D2、D3、Dx：用户数据Ap、Bp、Cp、Dp：同位信息L1：更新名单L2：升温修复名单L3：回存名单S102、S104、S106、S108、S110、S112、S114、S116、S118、S120、S122、S202、S204、S206、S208、S210、S212、S214、S216、S218、S220、S302、S304、S306、S308、S310、S312、S314、S402、S404、S406、S408、S410：流程步骤TB：控制表具体实施方式请参照图1，其绘示根据一实施例的一存储器系统1000的示意图。存储器系统1000例如是一独立磁盘备援阵列(RedundantArrayofIndependentDisks，RAID)存储器系统。存储器系统1000包括一主控制器(maincontroller)100、一存储器控制器(memorycontroller)200、一存储器阵列(memoryarray)300、一数据缓存器(databuffer)400、一同位单元(parityunit)500及一主机接口(hostinterface)600。主控制器100用以接收来自于主机接口600的命令，并对应地控制存储器控制器200。存储器控制器200用以进行存储器阵列300、数据缓存器400及同位单元500的存取与操作。举例来说，主控制器100及存储器控制器200例如是一电路、一芯片、一电路板、或存储阵列程序代码的一存储装置。数据缓存器400用以暂存来自主机接口600或存储器阵列300的用户数据。举例来说，数据缓存器400可以是非易失性存储器(NVRAM)，例如是DRAM或SRAM。同位单元500用以分配同位信息或根据同位信息进行复原程序(recoveringprocedure)。举例来说，同位单元500例如是一电路、一芯片、或存储阵列程序代码的存储装置。存储器阵列300包括多个存储器装置310。存储器阵列300用以长时间存储用户数据。存储器装置310例如是组成一RAID数据结构。同位信息及用户数据存储在存储器阵列310的不同区域。用户数据可能会在某一存储器装置310产生错误。错误的用户数据可以根据同位信息及存储在其他存储器装置的用户数据来复原。举例来说，存储器装置310可以是一非易失存储器(NVRAM)或闪存(flash)，例如是一NAND闪存。请参照图2及图3，其说明存储器系统1000的读取方法的一实施例。如图2所示，一控制表TB包括一更新名单L1、一升温修复名单L2及一回存名单L3。控制表TB可以存储在存储器阵列300内，或者存储在另一非易失存储器。如图2所示，存储器阵列300用以存储用户数据A1、A2、A3、...、B1、...、Bx、C1、C2、...、Cx及同位信息Ap、Bp、Cp。存储在标识符为「#1」的存储器装置310用以存储用户数据A1、用户数据B1及用户数据C1。标识符为「#2」的存储器装置310用以存储用户数据A2、用户数据B2及同位信息Cp。标识符为「#3」的存储器装置310用以存储用户数据A3、用户数据C2及同位信息Bp。标识符为「#x+1」的存储器装置310用以存储用户数据Bx、用户数据Cx及同位信息Ap。如图2所示，用户数据B1至用户数据Bx欲被读取出来。首先，用户数据B1至用户数据Bx须被读取至数据缓存器400。然而，存储在标识符为「#2」的存储器装置310的用户数据B2*是错误的。接着，同位单元500可以执行下式(1)，以根据同位信息Bp、用户数据B1、用户数据B3、...、用户数据Bx来复原用户数据B2*为用户数据B2。在另一实施例中，复原程序并不局限于下式(1)。在用户数据B2被复原后，用户数据B2存储在数据缓存器400，且标识符「#2」存储在控制表TB的更新名单L1。接着，如图3所示，存储在数据缓存器400的用户数据B1至用户数据Bx可以完整地被读取至主机接口600。「#2」记录在更本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器系统的读取方法，其特征在于，该存储器系统包括一存储器控制器及一存储器阵列，一同位信息存储在该存储器阵列，该存储器阵列包括多个存储器装置，且该读取方法包括：自一主机接口接收一读取命令，该读取命令用以请求存储在该存储器阵列的一用户数据；当该用户数据在这些存储器装置的其中之一发生错误时，根据该同位信息，复原该用户数据；传递已复原的该用户数据至该主机接口，并更新该用户数据。

【技术特征摘要】
1.一种存储器系统的读取方法，其特征在于，该存储器系统包括一存储器控制器及一存储器阵列，一同位信息存储在该存储器阵列，该存储器阵列包括多个存储器装置，且该读取方法包括：自一主机接口接收一读取命令，该读取命令用以请求存储在该存储器阵列的一用户数据；当该用户数据在这些存储器装置的其中之一发生错误时，根据该同位信息，复原该用户数据；传递已复原的该用户数据至该主机接口，并更新该用户数据。2.根据权利要求1所述的存储器系统的读取方法，其特征在于，更包括：将具有该用户数据的错误的该存储器装置的一标识符记录在一控制表的一更新名单，该控制表存储在该存储器阵列。3.根据权利要求1所述的存储器系统的读取方法，其特征在于，更包括：将正在执行一升温修复程序的这些存储器装置的其中之一的一标识符记录在一控制表的一升温修复名单，该控制表存储在该存储器阵列；以及当一升温修复程序已执行完毕，传递已复原的该用户数据至该主机接口，并执行一搜寻读取程序。4.一种存储器系统的写入方法，其特征在于，该存储器系统包括一存储器控制器及一存储器阵列，一同位信息存储在该存储器阵列中，该存储器阵列包括多个存储器装置，且该写入方法包括：接收一写入命令，该写入命令用以写入一用户数据于该存储器阵列；分配该存储器阵列的多个页面来存储该用户数据；若被分配的这些页面在这些存储器装置的其中之一无法进行存取，则除了无法进行存取的该存储器装置以外，在这些页面存储该用户数据及其对应的该同位信息；执行一升温修复程序在无法进行存取的该存储器装置；以及在该升温修...

【专利技术属性】
技术研发人员：王思忠，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71