The invention discloses an electrode structure, a QLED and a preparation method for improving the light output efficiency. The electrode structure comprises a substrate, a transparent electrode with multiple grooves on the surface of the substrate, a doped oxide filled in the groove, and a nickel oxide film or a manganese oxide film deposited on the surface of the transparent electrode. The electrode structure of the present invention introduces a doped oxide to fill the groove on a transparent electrode with a groove, and a layer of nickel oxide film or manganese oxide film is deposited on the transparent electrode. The introduction of the nickel oxide film or manganese oxide film can effectively restrain the light emitted from the luminous layer and lead the light into the transparent layer to a greater extent. In the groove of the open electrode, the groove is used to change the light output angle from the transparent electrode to the glass interface, thus reducing the total reflection probability and improving the light output efficiency of the device. The invention can reduce the potential barrier of the transparent electrode and the light-emitting function layer, and improve the hole injection efficiency of the device.
【技术实现步骤摘要】
一种可提高出光效率的电极结构、QLED及制备方法
本专利技术涉及发光显示领域,尤其涉及一种可提高出光效率的电极结构、QLED及制备方法。
技术介绍
量子点发光二极管(QLED)由于其具有色彩饱和、纯度高、单色性佳、颜色可调以及可用溶液法制备等优点,被认为是下一代发光器件的优势技术。目前,QLED的外量子效率只能达到20%甚至更低,有大部分光被限制在器件结构中,这主要是由于QLED器件结构折射率的适配,当光从高折射率材料向低折射率材料传播(比如ITO/玻璃界面,玻璃/空气界面)时,很大一部分光被捕获,ITO/玻璃界面称为波导模式全反射,玻璃/空气界面称为玻璃模式全反射,这些情况都会降低QLED器件的出光效率。研究学者们对这些光学模式展开了很多的研究,通过对器件结构、形貌的改善与调控来提高器件的出光效率,比如:改变透明电极表面形貌、增加折射率匹配层、利用光子晶体或是纳米结构等方法提高器件的外量子效率。其中,通过改变透明电极的表面形貌来提高器件的出光效率被证明是一种行之有效的方式。目前最通用的透明电极是ITO,有研究表明,凹槽结构能够提高有机发光二极管(OLED)20%的出光效率。然而,这种结构并不适用于QLED,因为QLED使用无机量子点材料作为发光层,通常采用溶液法制备,凹槽结构会造成成膜不匀,甚至可能导致器件性能以及寿命的下降。因此,现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足,本专利技术的目的在于提供一种可提高出光效率的电极结构、QLED及制备方法,旨在解决现有电极结构无法提高QLED器件出光效率的问题。本专利技术的技术方案如下:一种可 ...
【技术保护点】
1.一种可提高出光效率的电极结构,其特征在于,包括基底、位于基底表面上的具有多个凹槽的透明电极、填充于凹槽内的掺杂氧化物以及沉积于透明电极表面的氧化镍薄膜或氧化锰薄膜。
【技术特征摘要】
1.一种可提高出光效率的电极结构,其特征在于,包括基底、位于基底表面上的具有多个凹槽的透明电极、填充于凹槽内的掺杂氧化物以及沉积于透明电极表面的氧化镍薄膜或氧化锰薄膜。2.根据权利要求1所述的可提高出光效率的电极结构,其特征在于,所述掺杂氧化物为铝掺杂氧化锌、氟掺杂氧化锡或锑掺杂氧化锡。3.根据权利要求1所述的可提高出光效率的电极结构,其特征在于,所述透明电极为ITO。4.根据权利要求1所述的可提高出光效率的电极结构,其特征在于,所述凹槽的深度为50~100nm。5.根据权利要求1所述的可提高出光效率的电极结构,其特征在于,所述透明电极的厚度为250~300nm。6.根据权利要求1所述的可提高出光效率的电极结构,其特征在于,所述氧化镍薄膜或...
【专利技术属性】
技术研发人员:张滔,向超宇,李乐,辛征航,张东华,
申请(专利权)人:TCL集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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