OLED显示基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，OLED显示基板，包括位于衬底基板上的OLED器件以及覆盖所述OLED器件的至少一个封装单元，每一所述封装单元包括无机层、有机层以及位于所述无机层和所述有机层之间的氟掺杂类金刚石层。通过本发明专利技术的技术方案，能够增强OLED显示基板阻隔外界水氧的能力，提高OLED显示基板的使用寿命，同时又能保证OLED显示基板充足的光线透过率。

OLED display substrate and manufacturing method and display device thereof

The invention provides an OLED display substrate, a manufacturing method and a display device thereof, belonging to the display technical field. The OLED display substrate comprises an OLED device located on the substrate substrate and at least one packaging unit covering the OLED device, each of which comprises an inorganic layer, an organic layer and a fluorine-doped diamond-like carbon layer located between the inorganic layer and the organic layer. The technical scheme of the invention can enhance the ability of the OLED display substrate to block external water and oxygen, improve the service life of the OLED display substrate, and ensure the sufficient light transmittance of the OLED display substrate.

【技术实现步骤摘要】
OLED显示基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是指一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
柔性OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管)是OLED器件的重要研究方向。OLED中的发光材料一般为高分子聚合物或有机小分子化合物，阴极材料一般为功函数较低的金属材料如镁、铝等。这些发光材料与阴极材料对水汽和氧气非常敏感，如果水分子与氧分子持续侵入OLED器件，有机层(包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层)会被降解，阴极会被氧化，从而降低OLED器件的使用寿命。因此，OLED显示基板采用的封装技术对阻绝水分子与氧分子的侵入是十分重要的。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置，能够增强OLED显示基板阻隔外界水氧的能力，提高OLED显示基板的使用寿命，同时又能保证OLED显示基板充足的光线透过率。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下：一方面，提供一种OLED显示基板，包括位于衬底基板上的OLED器件以及覆盖所述OLED器件的至少一个封装单元，每一所述封装单元包括无机层、有机层以及位于所述无机层和所述有机层之间的氟掺杂类金刚石层。进一步地，所述氟掺杂类金刚石层中，氟元素的含量小于10wt％。进一步地，所述氟掺杂类金刚石层的厚度为10nm～100nm。进一步地，每一所述封装单元还包括限定结构，每一所述封装单元的所述有机层及所述氟掺杂类金刚石层位于所述限定结构限定出的区域内。进一步地，所述限定结构的材料采用类金刚石、石墨烯、银、铝、氮化铝及铜中的一种或多种。进一步地，在所述OLED显示基板包括至少两个所述封装单元时，从靠近OLED器件到远离OLED器件的方向上，上一封装单元的所述限定结构位于下一封装单元的所述限定结构限定出的区域内。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的OLED显示基板。本专利技术实施例还提供了一种OLED显示基板的制作方法，包括在衬底基板上形成OLED器件以及覆盖所述OLED器件的至少一个封装单元，形成所述封装单元包括：依次形成无机层、氟掺杂类金刚石层和有机层。进一步地，形成所述封装单元还包括：形成限定结构；形成所述氟掺杂类金刚石层和所述有机层包括：在所述限定结构限定出的区域内形成所述氟掺杂类金刚石层和所述有机层。进一步地，形成所述封装单元具体包括：形成无机层；在所述无机层上形成感光材料层；对所述感光材料层进行曝光，显影后形成感光材料保留区域和感光材料去除区域，所述感光材料去除区域对应所述限定结构的形成区域；沉积限定结构材料层，所述限定结构材料层的厚度小于所述感光材料层的厚度；剥离所述感光材料保留区域的感光材料，位于所述感光材料去除区域的限定结构材料层被保留形成所述限定结构；在所述无机层上、所述限定结构限定出的区域内形成所述氟掺杂类金刚石层；在所述氟掺杂类金刚石层上、所述限定结构限定出的区域内形成所述有机层。本专利技术的实施例具有以下有益效果：上述方案中，覆盖OLED器件的封装单元包括无机层、有机层以及位于无机层和有机层之间的氟掺杂类金刚石层，其中，氟掺杂类金刚石层可填充无机层的表面缺陷，增强封装单元阻隔外界水氧的能力，延长OLED器件的使用寿命；另外，氟掺杂类金刚石层的应力降低，更容易实现弯曲变形，可以满足柔性显示的需要；通过控制氟掺杂类金刚石层中氟的含量以及氟掺杂类金刚石层的厚度，可以使得氟掺杂类金刚石层的光线透过率保持在95％以上，能够满足OLED器件对封装材料的要求，保证OLED显示基板充足的光线透过率。附图说明图1-图10为本专利技术实施例OLED显示基板的制作方法的流程示意图。附图标记10衬底基板20OLED器件30第一无机层40光刻胶层50掩模板60致密材料层31外围限定区域61第一外围限定层70第一氟掺杂类金刚石层80第一有机层32第二无机层62第二外围限定层71第二氟掺杂类金刚石层81第二有机层33第三无机层90封装单元具体实施方式为使本专利技术的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。本专利技术的实施例提供一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置，能够增强OLED显示基板阻隔外界水氧的能力，提高OLED显示基板的使用寿命，同时又能保证OLED显示基板充足的光线透过率。本专利技术的实施例提供一种OLED显示基板，包括位于衬底基板上的OLED器件以及覆盖所述OLED器件的至少一个封装单元，每一所述封装单元包括无机层、有机层以及位于所述无机层和所述有机层之间的氟掺杂类金刚石层。本实施例中，覆盖OLED器件的封装单元包括无机层、有机层以及位于无机层和有机层之间的氟掺杂类金刚石层，其中，氟掺杂类金刚石层可填充无机层的表面缺陷，增强封装单元阻隔外界水氧的能力，延长OLED器件的使用寿命；另外，氟掺杂类金刚石层的应力降低，更容易实现弯曲变形，可以满足柔性显示的需要；通过控制氟掺杂类金刚石层中氟的含量以及氟掺杂类金刚石层的厚度，可以使得氟掺杂类金刚石层的光线透过率保持在95％以上，能够满足OLED器件对封装材料的要求，保证OLED显示基板充足的光线透过率。类金刚石(Diamond-LikeCarbon,DLC)具有优异的耐磨损性、热稳定性、化学稳定性与抗腐蚀能力，同时具有良好的疏水性与光透过性，因此相对一般的有机材料和陶瓷材料来说，在OLED的封装工艺上具有一定的优势和前景。然而，由于纯DLC膜的密度较大，因此光透过性不高，而且DLC薄膜的应力很大，在弯曲变形时容易开裂。本专利技术的专利技术人经研究发现，氟化类金刚石(F-DLC)薄膜，通过用氟原子部分或全部替换DLC结构中的氢原子，减小了DLC薄膜的内应力，从而提高了其结构稳定性以及与基体结合的强度。另一方面，氟掺杂类金刚石在保留了DLC优异的耐磨损性、热稳定性、化学稳定性与抗腐蚀性的同时，进一步提高了疏水性与光学透过性，可以应用在OLED显示基板的封装工艺中。氟掺杂类金刚石层相比传统的DLC薄膜内应力得到了大幅降低，可由700MPa下降至250MPa，这使得氟掺杂类金刚石层更容易实现弯曲变形，从而满足柔性显示的需求。另外，氟掺杂类金刚石层已经被证实可提高DLC的疏水特性，氟元素的加入可钝化氟掺杂类金刚石层对水汽和氧气的吸附，因此可提高OLED封装结构阻隔水氧的能力，延长OLED器件的使用寿命。其中，氟掺杂类金刚石层的光线透过率与氟的含量、氟掺杂类金刚石层的厚度以及制备工艺息息相关，氟的含量增加，氟掺杂类金刚石层的透过率会呈降低趋势，氟掺杂类金刚石层的厚度增加，氟掺杂类金刚石层的透过率会呈现先增加后降低的趋势，另外，制备工艺所设定的不同条件对氟掺杂类金刚石层的透过率也有不同的影响。理论上当氟含量＜10wt％，厚度在10nm～100nm时，通过调整制备工艺的条件参数，可使氟掺杂类金刚石层的光线透过率保持在95％以上，该透过率完全可满足OLED器件对封装材料的要求，能够保证OLED显示基板充足的光线透过率。因此，本实施例的氟掺杂类金刚石层中，氟元素的含量小于10wt％，所述氟掺杂类金刚石层的厚度为10nm～100nm。进一步地，每一所述封装单元还包括限定结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED显示基板，包括位于衬底基板上的OLED器件以及覆盖所述OLED器件的至少一个封装单元，其特征在于，每一所述封装单元包括无机层、有机层以及位于所述无机层和所述有机层之间的氟掺杂类金刚石层。

【技术特征摘要】
1.一种OLED显示基板，包括位于衬底基板上的OLED器件以及覆盖所述OLED器件的至少一个封装单元，其特征在于，每一所述封装单元包括无机层、有机层以及位于所述无机层和所述有机层之间的氟掺杂类金刚石层。2.根据权利要求1所述的OLED显示基板，其特征在于，所述氟掺杂类金刚石层中，氟元素的含量小于10wt％。3.根据权利要求1所述的OLED显示基板，其特征在于，所述氟掺杂类金刚石层的厚度为10nm～100nm。4.根据权利要求1所述的OLED显示基板，其特征在于，每一所述封装单元还包括限定结构，每一所述封装单元的所述有机层及所述氟掺杂类金刚石层位于所述限定结构限定出的区域内。5.根据权利要求4所述的OLED显示基板，其特征在于，所述限定结构的材料采用类金刚石、石墨烯、银、铝、氮化铝及铜中的一种或多种。6.根据权利要求4所述的OLED显示基板，其特征在于，在所述OLED显示基板包括至少两个所述封装单元时，从靠近OLED器件到远离OLED器件的方向上，上一封装单元的所述限定结构位于下一封装单元的所述限定结构限定出的区域内。7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-6中任...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔延镇，韩金，贾红红，赵立锦，谷晓俊，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11