一种柔性AMOLED结构及制备方法技术

本发明专利技术涉及显示器技术领域，尤其涉及一种柔性AMOLED结构及其制备方法，通过于外引脚贴合区的PI膜之上完全不设置无机膜层或仅设置较薄的无机材料薄膜，使得外引脚贴合区弯折时的中性面位置也发生了改变，从而可以保障外引脚贴合区弯折后金属线的可靠性，同时由于位于外引脚贴合区的金属线是通过位于桥接区的接触孔与显示区连接，从而也避免了水氧从PI膜透入而导致OLED失效的问题。

A flexible AMOLED structure and its preparation method

The invention relates to the technical field of display, in particular to a flexible AMOLED structure and a preparation method thereof. The position of the neutral surface in the bending of the outer pin bonding area can be changed by completely setting no inorganic film layer or only setting a thinner inorganic material film on the PI film of the outer pin bonding area, so that the outer pin bonding area can be protected. The reliability of the metal wire after bending of the pin bonding area and the failure of the OLED caused by the penetration of water and oxygen from the PI film are avoided because the metal wire located in the outer pin bonding area is connected to the display area through the contact hole located in the bridge area.

【技术实现步骤摘要】
一种柔性AMOLED结构及制备方法
本专利技术涉及显示器
，尤其涉及一种柔性AMOLED结构及制备方法。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)显示技术采用有机材料涂层，具有自发光的特性。OLED显示屏幕可视角度大，节省电能，得到了广泛应用。而OLED显示器件最大的特点在于可以实现柔性显示，采用柔性半导体衬底制成重量轻，可弯曲、便于携带的柔性显示器件是OLED显示器件的重要发展方向。目前在柔性AMOLED显示的外引脚贴合区(OuterLeadBonding，简称OLB)中，其中的金属走线在OLB区弯曲时，金属线可能会断裂或断开，这是由于目前的柔性AMOLED结构中金属线上方与下方的无机膜层均具有较厚的厚度，且无机膜层在弯折时易开裂，而金属本身的断裂应变极限大约在1％，当弯折半径较小时，处于一定厚度的无机膜层上方的金属线的延伸会超过极限，从而导致金属线发生开裂，这是本领域技术人员所不期望见到的。
技术实现思路
针对上述存在的问题，本专利技术实施例公开了一种柔性AMOLED结构，包括：半导体衬底，设置有显示区(activearea，简称AA，特指有效显示区域)、桥接区(bridge，也可以称之为扇形区(fanout)，指的是有效显示区域与外引脚贴合区之间的传输线走线区)和外引脚贴合区，且所述桥接区位于所述显示区与所述外引脚贴合区之间；PI(聚酰亚胺)膜，设置于所述半导体衬底之上；若干金属单元层，依次设置于所述外引脚贴合区和所述桥接区中的所述PI膜之上；若干无机膜层，设置于所述显示区和所述桥接区中的PI膜之上，且相邻的金属单元层之间均设置有一所述无机膜层；若干连接结构，贯穿设置于所述桥接区的各所述无机膜层中；其中，相邻的金属单元层之间均通过所述连接结构电连接，以形成从所述外引脚贴合区延伸至所述显示区的阶梯形桥接结构。本专利技术实施例中还公开了一种柔性AMOLED结构的制备方法，包括如下步骤：提供一设置有显示区、桥接区和外引脚贴合区的半导体衬底，且所述桥接区位于所述显示区和所述外引脚贴合区之间；于所述半导体衬底上涂覆PI膜后，于所述外引脚贴合区和所述桥接区中的所述PI膜之上依次形成若干金属单元层，且相邻的金属单元层之间均设置有一无机膜层；其中，相邻的金属单元层之间均通过贯穿所述无机膜层的连接结构电连接，以形成从所述外引脚贴合区延伸至所述显示区的阶梯形桥接结构，且所述连接结构均设置于所述桥接区中。本专利技术实施例还包括一种柔性AMOLED结构，包括：半导体衬底，设置有显示区、桥接区和外引脚贴合区，且所述桥接区位于所述显示区与所述外引脚贴合区之间；PI膜，设置于所述半导体衬底之上；TFT层，设置于所述显示区和桥接区的PI膜之上，且所述TFT层中设置有金属数据线；平坦化层，覆盖所述外引脚贴合区的PI膜的上表面，且所述平坦化层的上表面和所述TFT层的上表面平齐。金属线，在所述平坦化层与所述TFT层对应的膜层位置，从水平方向贯穿所述平坦化层并与所述金属数据线电连接。本专利技术实施例还公开了提供一设置有显示区、桥接区和外引脚贴合区的半导体衬底，且所述桥接区位于所述显示区和所述外引脚贴合区之间；于所述半导体衬底上涂覆PI膜后，制备无机膜以将所述PI膜的上表面予以覆盖；于所述显示区和桥接区的无机膜之上形成TFT结构，且所述桥接区的所述TFT结构中设置有金属数据线；刻蚀以移除所述外引脚贴合区中的所述无机膜；沉积平坦化材料，并进行平坦化工艺，以形成将所述TFT结构和将所述外引脚贴合区中的所述PI膜上表面均予以覆盖的第一平坦化层；部分刻蚀所述第一平坦化层以形成暴露部分所述金属数据线上表面的接触孔；制备金属层以覆盖所述第一平坦化层的部分上表面，并将部分所述金属数据线的表面和所述接触孔的内壁表面均予以覆盖。上述专利技术具有如下优点或者有益效果：本专利技术公开了一种柔性AMOLED结构及其制备方法，通过于外引脚贴合区的PI膜之上完全不设置无机膜层或仅设置较薄的无机材料薄膜(即完全去除传统技术中外引脚贴合区中的无机膜层或仅留下较薄的一层无机膜层，而显示区和桥接区的无机膜层得以保留，从而保证显示区域对抗水氧入侵的能力)，使得外引脚贴合区弯折时的中性面位置也发生了改变，从而可以保障外引脚贴合区弯折后金属线的可靠性，同时由于位于外引脚贴合区的金属线是通过位于桥接区的接触孔与显示区连接，从而也避免了水氧从PI膜透入而导致OLED失效的问题。附图说明通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术及其特征、外形和优点将会变得更加明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未可以按照比例绘制附图，重点在于示出本专利技术的主旨。图1是本专利技术实施例一中外引脚贴合区中未设置无机材料薄膜的柔性AMOLED结构的结构示意图；图2是本专利技术实施例一中外引脚贴合区中设置了无机材料薄膜的柔性AMOLED结构的结构示意图；图3是本专利技术实施例二中制备柔性AMOLED结构的方法流程图；图4a～4l是本专利技术实施例二中制备柔性AMOLED结构的方法流程结构示意图；图5是本专利技术实施例三中柔性AMOLED结构的结构示意图；图6是本专利技术实施例四中制备柔性AMOLED结构的方法流程图；图7a-7j是本专利技术实施例四中制备柔性AMOLED结构的方法的流程结构示意图。具体实施方式下面结合附图和具体的实施例对本专利技术作进一步的说明，但是不作为本专利技术的限定。实施例一：如图1和图2所示，本实施例涉及一种柔性AMOLED结构，包括：设置有显示区、桥接区和外引脚贴合区，且桥接区位于显示区与外引脚贴合区之间的半导体衬底100、设置于半导体衬底100之上的PI膜101、依次设置于外引脚贴合区和桥接区中的PI膜101之上的若干金属单元层102(金属线)、设置于显示区和桥接区中的PI膜101之上的若干无机膜层103(103′)(该无机膜层起到缓冲和抵抗水氧入侵的作用，也可以称之为缓冲层(buffer-layer))以及贯穿设置于桥接区的各无机膜层103(103′)中的若干连接结构104、设置于最上层的无机膜层103(103′)之上的TFT层105、设置于TFT层105之上的OLED层107以及设置于外引脚贴合区中的金属单元层102之上，且上表面与TFT层105的上表面平齐的平坦化层106；其中，相邻的金属单元层102之间均设置有一无机膜层103(103′)，且相邻的金属单元层102之间均通过贯穿有机膜层的连接结构104电连接，以形成从外引脚贴合区延伸至显示区的阶梯形桥接结构，即如果定义阶梯形桥接结构靠近显示区的为首端，靠近外引脚贴合区为尾端，则阶梯形桥接结构的首端连接从显示区出来的信号线(例如位于显示区的栅驱动阵列(gatedriveronarray，简称GOA)等结构)，尾端连接外引脚贴合区的引线(IC/COFinputpin，IC/COF输入引脚)。在此，值得一提的是，上述柔性AMOLED结构包含两种情况，一种如图1所示，上述外引脚贴合区的PI膜101之上仅设置金属单元层102与平坦化层106，即在外引脚贴合区中，金属单元层102直接覆盖PI膜101，从而避免了传统技术中由于外引脚贴合区中位于金属线上方和下方的无机膜层103(103′)过厚而带来的弯折时，金属线本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种柔性AMOLED结构，其特征在于，包括：半导体衬底，设置有显示区、桥接区和外引脚贴合区，且所述桥接区位于所述显示区与所述外引脚贴合区之间；PI膜，设置于所述半导体衬底之上；若干金属单元层，依次设置于所述外引脚贴合区和所述桥接区中的所述PI膜之上；若干无机膜层，设置于所述显示区和所述桥接区中的PI膜之上，且相邻的金属单元层之间均设置有一所述无机膜层；若干连接结构，贯穿设置于所述桥接区的各所述无机膜层中；其中，相邻的金属单元层之间均通过所述连接结构电连接，以形成从所述外引脚贴合区延伸至所述显示区的阶梯形桥接结构。

【技术特征摘要】
1.一种柔性AMOLED结构，其特征在于，包括：半导体衬底，设置有显示区、桥接区和外引脚贴合区，且所述桥接区位于所述显示区与所述外引脚贴合区之间；PI膜，设置于所述半导体衬底之上；若干金属单元层，依次设置于所述外引脚贴合区和所述桥接区中的所述PI膜之上；若干无机膜层，设置于所述显示区和所述桥接区中的PI膜之上，且相邻的金属单元层之间均设置有一所述无机膜层；若干连接结构，贯穿设置于所述桥接区的各所述无机膜层中；其中，相邻的金属单元层之间均通过所述连接结构电连接，以形成从所述外引脚贴合区延伸至所述显示区的阶梯形桥接结构。2.如权利要求1所述的柔性AMOLED结构，其特征在于，所述外引脚贴合区中的金属单元层和所述PI膜之间还设置有无机材料薄膜。3.如权利要求2所述的柔性AMOLED结构，其特征在于，所述无机材料薄膜的厚度为100nm～500nm。4.如权利要求1所述的柔性AMOLED结构，其特征在于，所述若干无机膜层包括氧化硅层和氮化硅层，且所述氧化硅层和所述氮化硅层交替设置。5.如权利要求1所述的柔性AMOLED结构，其特征在于，所述柔性AMOLED结构还包括：TFT层，设置于位于最上层的所述无机膜层之上；OLED层，设置于所述TFT层之上；平坦化层，设置于所述外引脚贴合区中的金属单元层之上，且所述平坦化层的上表面与所述TFT层的上表面平齐。6.如权利要求5所述的柔性AMOLED结构，其特征在于，所述平坦化层的厚度为0.5μm～10μm。7.一种柔性AMOLED结构的制备方法，其特征在于，包括：提供一设置有显示区、桥接区和外引脚贴合区的半导体衬底，且所述桥接区位于所述显示区和所述外引脚贴合区之间；于所述半导体衬底上涂覆PI膜后，于所述外引脚贴合区和所述桥接区中的所述PI膜之上依次形成若干金属单元层，且相邻的金属单元层之间均设置有一无机膜层；其中，相邻的金属单元层之间均通过贯穿所述无机膜层的连接结构电连接，以形成从所述外引脚贴合区延伸至所述显示区的阶梯形桥接结构，且所述连接结构均设置于所述桥接区中。8.如权利要求7所述的柔性AMOLED结构的制备方法，其特征在于，所述于所述外引脚贴合区和所述桥接区中的所述PI膜之上依次形成若干金属单元层，且相邻的金属单元层之间均设置有一无机膜层的步骤包括：于所述外引脚贴合区和部分所述桥接区的PI膜之上形成一金属单元层；于所述显示区和桥接区的所述PI膜之上形成无机膜层，并于所述桥接区的所述无机膜层中制备贯穿所述无机膜层的接触孔，且所述接触孔暴露所述金属单元层的部分表面；于无机膜层之上沉积金属，并对金属进行刻蚀工艺以形成位于所述接触孔中的连接结构和覆盖所述无机膜层之上的金属单元层；依次重复执行所述步骤S2和步骤S3至预定次数，以形成所述阶梯形桥接结构。9.如权利要求8所述的柔性AMOLED结构的制备方法，其特征在于，在所述步骤S1中，在形成所述金属单元层之前，还包括于所述PI膜上形成无机材料薄膜的步骤。10.如权利要求9所述的柔性AMOLED结构的制备方法，其特征在于，所述无机材料薄膜的厚度为100nm～500nm。11.如权利要求8所述的柔性AMOLED结构的制备方法，其特征在于，所述方法中，第N次形成的无机膜层为氧化硅，第2N次沉积的无机膜层为氮化硅，其中，N为正整数。12.如权利要求8所述的柔性AMOLED结构的制备方法，其特征在于，所述预定次数为4～...

【专利技术属性】
技术研发人员：盛晨航，潘新叶，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31