The invention relates to an anti-PID photovoltaic cell and a preparation method thereof. The anti-PID photovoltaic cell comprises toughened glass, an upper EVA layer, a battery sheet, a lower EVA layer, a PET backplane and an aluminum alloy frame. Its manufacturing process includes film loading, boat entry, evacuation, heating, leak detection, nitrogen filling, evacuation, pre-deposition, evacuation, anti-PID coating, evacuation, step-by-step deposition, evacuation, end process. The invention has the advantages of good PID resistance, no attenuation of battery power, simple process and low cost.
【技术实现步骤摘要】
一种抗PID光伏电池及其制备方法
本专利技术涉及太阳能光伏领域,尤其涉及抗PID光伏电池及其制备方法。
技术介绍
光伏发电系统在实际使用过程中,长期处于高温高湿和高压偏压的环境下,钢化玻璃与封装材料之间存在漏电流,大量电荷聚集在电池片表面,造成光伏组件性能持续衰减的现象称为PID(PotentialInducedDegradation)。光伏电池组件的PID现象严重时会引起超过50%的功率衰减,进而影响整个光伏电站的功率输出,是影响光伏电池组件的品质和可靠性的重要因素。因此消除PID已成为目前光伏制造企业亟需解决的问题。除外界环境影响之外,造成PID现象的内部原因主要分为:系统设计原因,光伏组件原因和电池片原因。但无论是从系统设计还是组件材料角度上来提高抗PID性能的方法,都存在成本较高或预防效果不明显等缺陷,故无法广泛推广。而电池片的质量及制造工艺过程,基底材料硅片电阻率,方块电阻均匀性,以及电池片表面减反射层的厚度和折射率等特征都会对光伏电池抗PID性能产生较大影响,其中常通过优化电池片表面减反射层沉积方法和沉积参数来提高光伏电池的抗PID性能。传统的PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)气相沉积方法能够在多晶硅片表面形成一层SiNx:H减反射膜,该减反射膜具备一定的钝化作用,但这种钝化作用无法防止电池经过封装材料和组件边框形成的路径所导致的漏电流引起的PID现象。此外,在硅片表面形成SiO2薄膜层的方法,能够满足组件功率衰减不超过5%的抗PID性能的标准要求,且不影响电池效率及组件功率输出。现有的Si ...
【技术保护点】
1.一种抗PID光伏电池的制备方法,所述电池从上至下分别为钢化玻璃、上EVA层、电池片、下EVA层、PET背板和铝合金边框;所述的钢化玻璃、上EVA层、电池片、下EVA层、PET按从上而下的顺序依次铺设层层叠压,并通过所述的铝合金边框组装在一起,其特征在于:电池片表面采用PECVD方法镀SiO2薄膜作为减反射膜,制备方法包括以下步骤:(1)装片:将检查合格的石墨舟按照规定方向要求放置在推车上,并将经清洗干净的硅片装在石墨舟两面,仔细检查硅片是否有倾斜或重片;(2)进舟:将推车按照规定方向推入PECVD设备装载区中,并安装好;(3)抽空:将设备装载区抽真空至5×10‑3Pa,并持续监测腔内压力;(4)升温:加热设备装载区,使温度达到工艺要求的温度400℃,并保持该温度直至工艺结束;(5)检漏:利用专业的腔体检漏工具检查装载区漏率;(6)充氮:在装载区内充入氮气,保证腔内无空气残留,使真空度降至0.3MPa;(7)抽空:重复步骤(3);(8)预淀积:先往装载区内通入NH3进行预清洗,再通入SiH4气体,NH3与SiH4的气体流量比为4:3,使之在硅片表面预先形成一层氮化硅薄膜层;(9)抽空 ...
【技术特征摘要】
2018.03.20 CN 20181022943281.一种抗PID光伏电池的制备方法,所述电池从上至下分别为钢化玻璃、上EVA层、电池片、下EVA层、PET背板和铝合金边框;所述的钢化玻璃、上EVA层、电池片、下EVA层、PET按从上而下的顺序依次铺设层层叠压,并通过所述的铝合金边框组装在一起,其特征在于:电池片表面采用PECVD方法镀SiO2薄膜作为减反射膜,制备方法包括以下步骤:(1)装片:将检查合格的石墨舟按照规定方向要求放置在推车上,并将经清洗干净的硅片装在石墨舟两面,仔细检查硅片是否有倾斜或重片;(2)进舟:将推车按照规定方向推入PECVD设备装载区中,并安装好;(3)抽空:将设备装载区抽真空至5×10-3Pa,并持续监测腔内压力;(4)升温:加热设备装载区,使温度达到工艺要求的温度400℃,并保持该温度直至工艺结束;(5)检漏:利用专业的腔体检漏工具检查装载区漏率;(6)充氮:在装载区内充入氮气,保证腔内无空气残留,使真空度降至0.3MPa;(7)抽空:重复步骤(3);(8)预淀积:先往装载区内通入NH3进行预清洗,再通入SiH4气体,NH3与SiH4的气体流量比为4:3,使之在硅片表面预先形成一层氮化硅薄膜层;(9)抽空:重复步骤(3);(10)镀抗PID薄膜层:设置PECVD射频功率为4000W,往装载区内通入N2O和SiH4两种气体的流量分...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵沁,朱广和,赵雅,费春燕,王燕,赵枫,李向华,赵卫东,
申请(专利权)人:江苏东鋆光伏科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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